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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 0.8 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-HR005是一种光电二极管，其波长范围为800 nm，电容为0.8 PF，暗电流为0.03至0.8 nA，响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W，上升时间0.6 ns.有关引脚HR005的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 0.8 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-HR005L是一种光电二极管，其波长范围为800 nm，电容为0.8 PF，暗电流为0.03至0.8 nA，响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W，上升时间为O.6 ns.有关引脚HR005L的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 0.8 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-HR008是一种光电二极管，波长范围为800 nm，电容为0.8 PF，暗电流为0.03至0.8 nA，响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W，上升时间0.6 ns.有关引脚HR008的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 0.8 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-HR008L是一种光电二极管，其波长范围为800 nm，电容为0.8 PF，暗电流为0.03至0.8 nA，响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W，上升时间0.6 ns.有关引脚HR008L的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN HR020是一款光电二极管，波长范围为800 nm，电容为1.8 PF，暗电流为0.06至0.1 nA，响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W，上升时间为0.8 ns.有关引脚HR020的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-HR020L是一种光电二极管，其波长范围为800 nm，电容为1.8 PF，暗电流为0.06至0.1 nA，响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W，上升时间为0.8 ns.有关引脚HR020L的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2.6 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN HR026是一种光电二极管，波长范围为800 nm，电容为2.6 PF，暗电流为0.1至1.5 nA，响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W，上升时间为0.9 ns.有关引脚HR026的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2.6 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-HR026L是一种光电二极管，波长范围为800 nm，电容为2.6 PF，暗电流为0.1至1.5 nA，响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W，上升时间0.9 ns.有关引脚HR026L的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4.9 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN HR040是一种光电二极管，波长范围为800 nm，电容为4.9 PF，暗电流为0.3至2 nA，响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W，上升时间为1 ns.有关引脚HR040的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4.9 pF来自OSI Laser Diode，Inc.的PIN-HR040L是波长范围为800nm、电容为4.9pF、暗电流为0.3至2nA、响应度/光敏度为0.45至0.50A/W、上升时间为1ns的光电二极管。有关引脚HR040L的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 125 pF 暗电流: 15 to 30 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的QD50-0是波长范围为900 nm、电容为125 PF、暗电流为15至30 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关QD50-0的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 20 pF 暗电流: 4 to 15 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的QD7-0是波长范围为900 nm、电容为20 PF、暗电流为4至15 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关QD7-0的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 375 pF 暗电流: 600 nAOSI Laser Diode，Inc.的S-100CL是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为375 PF，暗电流为600 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.S-100CL的更多详细信息见下文。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8500 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的S-100VL是一种波长范围为970 nm、电容为8500 PF、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。有关S-100VL的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 pF 暗电流: 40 nAOSI Laser Diode，Inc.的S-10CL是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为30 PF，暗电流为40 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.S-10CL的更多详细信息见下文。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 750 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的S-10VL是一款波长范围为970 nm、电容为750 PF、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。有关S-10VL的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 450 pF 暗电流: 800 nAOSI Laser Diode，Inc.的S-120CL是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为450 PF，暗电流为800 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.S-120CL的更多详细信息见下文。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 10000 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的S-120VL是一种波长范围为970 nm、电容为10000 PF、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。有关S-120VL的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 750 pF 暗电流: 1200 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的S-200CL是波长范围为970 nm、电容为750 PF、暗电流为1200 nA、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 17000 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的S-200VL是一种波长范围为970 nm、电容为17000 PF、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。有关S-200VL的更多详细信息，请联系我们。
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