• BXP-15E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.6 to 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire

    Opto Diode Corporation的BXP-15E是一款基于单通道PbSe的光电二极管,响应速度快,适用于中红外应用。该光电二极管具有1平方的有源元件面积。mm,探测率为2 X 10^10 cm sqrt.Hz/W,峰值灵敏度波长为3.8µm,响应率为3 X 10^4 V/W,电阻为0.7-1.5 mOhm,时间常数小于5µs.BXP-15E光电二极管在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装,带有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • BXP-25E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.6 to 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire

    Opto Diode Corporation的BXP-25SE是一款基于单通道PbSe的光电二极管,可为中红外应用提供最快的响应速度。它的有源元件面积为4平方英寸。mm,探测率为2 X 10^10 cm-sqrt.Hz/W.光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm,响应度为1.5 X 10^4 V/W,电阻为0.7-2.5 MΩ,时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装,配有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • BXP-35E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.6 to 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire

    Opto Diode Corporation的BXP-35E是一款基于单通道PbSe的光电二极管,响应速度快,适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。该光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm,响应度为1.5 X 10^4 V/W,电阻为0.5-1.75 mΩ,时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装,配有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • BXP-35F 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: 2.4 µm Longpass Ge Filter

    Opto Diode Corporation的BXP-35F是一款基于单通道PbSe的光电二极管,响应速度快,适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm,响应度为1.0 X 10^4 V/W,电阻为0.5-1.0 mΩ,时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。它采用TO5封装,具有2.4µm长通GE滤波器窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • BXT2S-68TE 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 4.3 to 4.5 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire

    Opto Diode Corporation的BXT2S-68TE是基于PbSe的单通道光电二极管,可为中红外应用提供最快的响应速度。它的峰值灵敏度波长为4.3~4.5μm,响应度为1.65×104~2.5×104V/W,有效元件面积为36mm2,最小探测率为1.5×1010cm Hz1/2W-1。其电阻为1-15 MΩ,时间常数为12-25µs.这款红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO8封装,具有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • NXIR-5C 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 1 to 3 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.62 A/W

    Opto Diode Corporation的NXIR-5C是一款红光至近红外(NIR)增强型光电二极管,圆形有效面积为5 mm2。光电二极管具有从320nm到1100nm的光谱响应。该器件具有出色的响应度、低反向偏压和高灵敏度,在850 nm时为0.62 A/W,在1064 nm时为0.35 A/W.该光电二极管在1nA时具有低暗电流,在10伏时具有5皮法(PF)的低电容,以及大于100mΩ的高分流电阻。它采用定制的4.7 mm X 4.9 mm陶瓷载体表面贴装器件(SMD)封装。坚固的封装具有AR涂层窗口,可提供超过98%的透射率。NIR增强型探测器适用于激光监测、医疗诊断设备、工业自动化、科学测量和军事应用。SMD符合RoHS和REACH标准,并以卷带和卷盘形式提供。

  • SXUV100TF135 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 18 to 80 nm RoHS: yes 电容: 220 to 350 pF

    Opto Diode Corporation的SXUV100TF135是一款集成薄膜滤波器的光电二极管,工作波长为18至80 nm.该100平方毫米的光电二极管在40纳米处具有0.15 A/W的响应度。它带有保护罩,可以在-10到40摄氏度的温度下工作。

  • SXUV100TF135B 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 12 to 18 nm RoHS: Yes 电容: 5 to 20 pF

    Opto Diode Corporation的SXUV100TF135B是一款集成薄膜滤波器的100平方毫米光电二极管。它的探测范围为12~18nm,在13.5nm处的响应度为0.09A/A.光电二极管具有10兆欧的高分流电阻。它可在黑色塑料容器中的带有保护盖的陶瓷载体中使用。

  • SXUV5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode

    光电二极管公司的SXUV5是一种有效面积为5mm2的EUV(极紫外)圆形光电二极管。这款高速光电二极管具有卓越的13.5 nm光刻能力,在1至90 nm的极端UV曝光中具有稳定的响应度,使其成为EUV光最关键测量的理想选择。该器件具有高达1500 PF的电容、高达1 ns的响应时间和高达0.34 A/W的响应度。在大气环境中,该器件的工作温度范围为-10°C至+40°C,在氮气或真空环境中,该器件的工作温度范围为-20°C至+80°C.这款光电二极管符合RoHS规范,采用TO-5封装。

  • DET100A2 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博
    模块: Yes 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 320 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon

    Thorlabs Inc的DET100A2是一款偏置硅探测器模块,可探测320至1100 nm波长范围内的光信号。其光电二极管的有效面积为75.4 mm2,输出电流高达10 mA.该探测器的上升时间为35 ns,峰值响应为0.72 A/W,偏置电压为10 V,暗电流最高可达10 nA.它有一个可拆卸的1 “光耦合器,可轻松安装ND滤光片、光谱滤光片、光纤适配器(SMA、F和ST型)和其他1 ”可堆叠镜头安装配件。该探测器可使用40 mAh 12 V电池工作,封装尺寸为70.9 X 49.8 X 22.5 mm.

  • LE/LSE Series 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 波长范围: 800 to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 响应度/光敏度: 10.5 A/W

    Sensors Unlimited的LE/LSE系列是波长为0.8-2.2μm的InGaAs线性光电二极管阵列。这些光电二极管阵列的像素间距为25/50μm,像素高度为250/500μm.它们具有1.5μm的峰值波长灵敏度和10.5nV/光子的最小响应度。这些光电二极管阵列需要4.9-5.25 V的模拟电源。LE/LSE光电二极管阵列具有防晕光保护功能,可防止电荷从饱和像素流出,并允许增加场景内动态范围。它们与CMOS读出集成电路(ROIC)集成,可提供最大的抗扰度和灵敏度。这些光电二极管阵列需要一个模拟电源和两条数字控制线,以实现最佳ROIC性能,并提供通过单个输入选择两个独立增益的选项。它们由1级或2级热电冷却器组成,用于温度稳定和监控。这些光电二极管阵列采用ESD保护模块,非常适合FTIR/NIR干涉测量、NIR分子光谱、生物医学分析、塑料回收、工业过程控制和检测、机器视觉、农业分拣和热成像应用。

  • KPMC29 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: Yes

    Kyoto Semiconductors的KPMC29是一款Si/InGaAs双色调光电二极管,有效面积为2.2 X 2.2 sq.毫米(Si)和0.86 X 0.86平方毫米(InGaAs)。为了扩展波长范围,在同一轴上堆叠了对短波长敏感的Si光电二极管和对长波长敏感的InGaAs光电二极管。它的终端电容为30 PF(Si)、45 PF(InGaAs),响应度高达0.7 A/W(Si)、0.9 A/W(InGaAs)。该光电二极管在-20至+80℃的温度范围内工作,并且具有从400至1700nm的宽波长范围。该设备非常适合用于分光光度计、辐射温度计、医疗设备、保健设备和光纤测试设备。

  • GUVB-C21SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVB-C21SD是一款肖特基光电二极管,工作波长范围为260至320 nm.它的光功率为0.01-100mW/cm2,有效面积为0.076mm2。该光电二极管的正向电流为1 mA,反向电压为3 V.其暗电流为1 nA,光电流为115 nA,响应度为0.2 A/W.该光电二极管采用氮化铝镓制造,具有光伏工作模式。它是UV-B灯和紫外线指数监测应用的理想选择。

  • GUVC-S10GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVC-S10GD是一款肖特基型光电二极管,工作波长范围为220至280 nm.它提供0.01-100mW/cm2的光输出功率,响应度为0.07A/W,光电二极管的反向电压为3V,正向电流为1mA.它是用氮化铝镓基材料制造的,具有良好的日盲性。该光电二极管采用SMD 3535 PKG封装,尺寸为0.4 mm,非常适合纯UV-C监控和灭菌灯监控应用。

  • GUVC-S40GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    模块: No 光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 200 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN

    Genuv的GUVC-S40GD是一款肖特基型光电二极管,工作波长范围为220至280 nm.光电二极管的输出功率为0.01-100mW/cm2,响应度为0.06A/W,反向电压为3V,正向电流为1mA.它采用氮化铝镓基材料制成,具有良好的日盲性。该光电二极管采用尺寸为1 mm的CSP封装,非常适合纯UV-C监测和灭菌灯监测应用。

  • GUVC-T11GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genicom的GUVC-T11GD是一款基于AlGaN的UV-C光电二极管,工作波长为220至280 nm.它由一个肖特基光电二极管组成,提供光伏工作模式。光电二极管的光源功率范围为0.01-100mW/cm2,响应度为0.06A/W,有效面积为0.076mm2。其最大反向电压为3 V,光电流为68 nA.这种光电二极管提供了良好的日盲性,是纯UV-C和消毒灯监测应用的理想选择。

  • AQ6374 光谱分析仪
    波长范围: 350 to 1750 nm 波长分辨率: 0.05 to 10 nm 波长精度: ±0.2 nm 光纤模式: Single Mode 动态范围: 60 dB

    Yokogawa Meter&Instruments的AQ6374是一款光谱分析仪,可以评估350至1750 nm的可见光和光通信波长。它具有60dB的宽动态范围和0.05~10nm的高波长分辨率。该分析仪的最大分辨率为2 pm,能够对多达100,000个波长点的功率水平进行采样,因此只需一次扫描即可精确评估和分析各种波长。AQ6374可用于开发分布式半导体器件,如仅发射一种波长的反馈激光二极管(DFB-LD)以及需要在宽波长范围内进行测量的光纤。AQ6374带有两个额外的增强功能。第一个是清除单色仪中捕获的水蒸气的功能,单色仪可以抑制某些波长的光的吸收。第二个功能是减少波长为入射光2–3倍的高阶衍射光的影响,这是所有单色仪因其设计原理而具有的特性。它非常适合半导体和光纤激光器的发射光谱测量以及光纤和光学滤波器的波长传输特性测量。

  • AQ6377 光谱分析仪
    波长范围: 1.9 to 5.5 µm 波长分辨率: 0.2 to 5 nm 波长精度: ±0.50 nm 光纤模式: Single Mode 动态范围: 50 dB

    横河电机(Yokogawa Electric)的AQ6377是一款用于环境传感和医疗应用的光谱分析仪。它在1900至5500 nm的中波红外区域提供扩展的波长覆盖范围,波长分辨率为0.2至5 nm.这款频谱分析仪具有−60至13 dBm的宽可测量电平范围和50 dB的动态范围。它具有气体吹扫输入/输出端口、用于高阶衍射光的内置截止滤光片和新颖的双倍速度模式,与标准扫描模式相比,该模式可将扫描速度提高2倍。该器件采用自由空间光输入结构,可同时接受/PC和/APC连接器。

  • MS9740B-009 光谱分析仪
    日本
    分类:光谱分析仪
    厂商:安立公司
    波长范围: 600 to 1750 nm 波长精度: ±50 to ±300 ppm 光纤模式: Multi Mode 动态范围: 53 to 70 dB 扫描时间: 0.2 to 1.65 s

    安立公司(Anritsu Corporation)的MS9740B-009是一款光谱分析仪,可测量600至1750 nm的波长。它的光学灵敏度范围为-90至+23 dBm,动态范围为57-70 dB.该频谱分析仪的波长精度为±50至±300 pm,波长稳定性为±5 pm.它具有超过32dB的光回波损耗和0.2至0.65秒的扫描时间。该频谱分析仪支持SM光纤、50μm/125μm GI光纤、62.5μm/125μm GI光纤、PC连接器SM和GI光纤。它可以通过以太网和GPIB接口进行远程控制,并支持连接到外部VGA显示器。MS9740B-009具有支持调制信号的信号电平积分功能,并可以使用噪声拟合函数准确估计噪声位置。它支持光轴对准、波长校准和有效分辨率校准功能。该频谱分析仪具有用于评估器件的光学有源器件(LD模块、DF-LD、FP-LD、LED、PMD、WDM、OPT AMP和WDM滤波器)测量菜单屏幕。它支持关键评估项目的一次性测量,如光学中心波长、电平、OSNR、光谱宽度等,并在一个屏幕上显示这些结果。该频谱分析仪需要100-120 V或200-240 V的交流电源,功耗为75 W.它采用台式模块,尺寸为426 X 177 X 350 mm,具有FC、SC、ST和DIN光纤连接器。该频谱分析仪是光收发器测量、LD模块测试分析、光学芯片/CAN器件评估、EDFA分析、光学放大器应用分析、窄带滤波器分析、透射率评估、插入损耗评估和WDM应用的理想选择。

  • MS9740B 光谱分析仪
    日本
    分类:光谱分析仪
    厂商:安立公司
    波长范围: 600 to 1750 nm 波长精度: ±20 to ±300 ppm 光纤模式: Multi Mode 动态范围: 42 to 70 dB 扫描时间: 0.2 to 1.65 s

    MS9740B是一款光谱分析仪,工作波长范围为600 nm至1750 nm,可准确验证和改进5G和云通信系统中设计的100G/400G光模块的上市时间。台式OSA具有超过70dB的宽动态范围,测量处理时间小于0.35S(扫描30nm波长)。它具有低至–90 dBm的光学灵敏度,并且可以在45 dB或更高的情况下进行精确的边模抑制比(SMSR)测量。光谱分析仪专为高通量生产环境而设计。它支持多模光纤输入,是制造和评估850-nm波段VCSEL模块的理想选择。MS9740B支持九种应用测量模式,包括LD模块、DFB-LD、FP-LD、LED、PMD、WDM、光放大器(NF和增益)和WDM滤波器。