• P-CUBE Series 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:Laser Components
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs, Silicon, GaP 波长范围: 190 to 2200 nm 上升时间: 20 to 100 ns 暗电流: 0.02 to 1 nA

    来自激光器组件的p-Cube系列是光谱范围从190到2200nm的InGaAs/GaP/Si光电探测器。这些器件的光谱带宽为180 nm,响应度为0.16 A/W.P-Cube系列在紧凑的立方体内集成了一个极低噪声和灵敏的PIN光电二极管,可轻松集成到光具座设置中。这些探测器具有快速上升时间、响应均匀性、出色的灵敏度和长期可靠性,适用于各种应用,如气体分析、拉曼光谱、红外荧光、化学检测、光通信、光功率监控和激光二极管监控。光电探测器有一个可选的FC连接器,该连接器提供了一种使用光纤将探测器连接到样品的便捷方法。它采用小型封装,可轻松组装到光学装置中。

  • BXT2S-28T 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode

    Opto Diode Corporation的BXT2S-28T是一款两级冷却PbSe单通道红外探测器,峰值灵敏度波长为4.3至4.5µm.它的响应度/光敏度为7.5 X 104 V/W,有源元件面积为4 mm2。该红外探测器的比探测率为3.5×1010cm Hz1/2 W-1,分流电阻为1-15MΩ。它专为制冷和非制冷设备而设计,具有最快的中红外应用响应速度。该探测器为极低电平信号检测提供额外的灵敏度,并为温度处于恒定通量的环境提供增强的稳定性。它采用TO8封装,尺寸为2 X 2 mm,带有平面蓝宝石窗口,是医疗和工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像、国防和安全应用的理想选择。

  • SD 197-70-74-591 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Luna Innovations

    Luna Innovations的SD 197-70-74-591是一款光学探测器,波长范围为350至1050 nm,暗电流为6至18 nA,电容为25 PF,响应度/光敏度为95 A/W,有效面积直径为5mm.有关SD 197-70-74-591的更多详细信息,请联系我们。

  • SLD-70BG2A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Luna Innovations

    Luna Innovations的SLD-70BG2A是一款光学探测器,波长范围为400至700 nm,上升时间为1至1.5µs,暗电流为100 nA,电容为40 PF.有关SLD-70BG2A的更多详细信息,请联系我们。

  • LRM-278 光电探测器
    光电探测器类型: PN 光电二极管材料: Pyroelectric

    INFRATEC的LRM-278是一款八通道热电探测器,非常适合气体分析。它具有8.5 X 8.5 mm2的大孔径,可提供非常大的视场(FOV)和出色的信噪比。该探测器采用直径为15.2 mm的TO8封装,采用2.7至5 V单电源供电。在LRM-278中,敏感的热电传感器、补偿元件以及2 X 2 mm2滤波器直接堆叠在彼此的顶部,为所有其他组件留出足够的空间。

  • IA35 Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    波长范围: 900 to 3500 nm 光电二极管材料: InAs 电容: 1000 pF 暗电流: 0.15 to 1 nA 响应度/光敏度: 1.05 A/W

    Laser Components的IA35系列是与InAs衬底匹配的异质结构光电二极管,标称截止波长为3.5µm.IA35探测器为光伏探测器,有效区域直径为500µm.这些光电二极管的峰值响应度为1.05 A/W,是气体分析、二极管激光监控和非接触式温度测量应用的理想选择。

  • IG17-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1650 nm 光电二极管材料: InGaAs

    Laser Components的IG17系列是一款全色PIN光电二极管,标称截止波长为1.7µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。它提供出色的分流电阻,并在宽范围内具有1.05 A/W的卓越响应度。光电二极管采用TO-CAN封装,非常适合二极管激光监控、火焰控制和分光光度计应用。

  • IG19-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1.87 µm 光电二极管材料: InGaAs

    Laser Components的IG19系列是一款全色PIN光电二极管,标称截止波长为1.9µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。它具有出色的分流电阻,并在宽范围内具有出色的响应度。

  • IG22-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: up to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 40 to 5200 pF

    Laser Components的IG22系列是全色PIN光电二极管,标称截止波长为2.2μm.这些光电二极管具有1.40 A/W的峰值响应度,并在宽范围内提供出色的分流电阻。这些器件采用TO-CAN封装,是二极管激光监控、光谱和辐射测量应用的理想选择。

  • IG26-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.45 µm 光电二极管材料: InGaAs

    Laser Components的IG26系列是全色PIN光电二极管,标称截止波长为2.6µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。光电二极管具有出色的分流电阻,在宽范围内具有1.45 A/W的出色响应度。它们是分光光度计、二极管激光监控和火焰控制应用的理想选择。

  • L2200D1810-JH 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.95 µm 光电二极管材料: Pyroelectric, LiTaO3

    Laser Components的L2200D1810-JH是一款掺杂钽酸锂的双通道热释电探测器,覆盖从UV到LWIR的宽光谱范围。它集成了运算放大器和有机黑色吸收器,孔径尺寸为2.7 X 1.8 mm.该负极化检测器具有响应度为60000-120000 V/W的100 Gohm反馈电阻器。它具有每当吸收任何辐射时就产生信号的热检测器。该探测器由使用光盲元件集成的TFC(温度通量补偿)组成。L2200D1810-JH需要2.7-10 V直流电源,采用8 X 13.4 mm封装。它是非分散红外气体分析、火焰和火灾探测、非接触式温度测量、火焰控制和湿度监测应用的理想选择。

  • SAH1L12-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 3 pF 暗电流: 4 to 10 nA

    Laser Components的SAH1L12系列是低噪声、高灵敏度、12元件线性硅雪崩光电二极管阵列,工作波长为800至900 nm.它们可以提供高达60 MW的功耗。APD具有较低的温度系数,元件之间的间隙仅为40µm.这些器件采用带保护窗的14引脚DIL封装,非常适合测距、激光扫描仪和激光雷达ACC应用。

  • SAH1L16-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon

    来自Laser Components的SAH1L16系列是线性Si-APD阵列,具有16个元件,采用带保护窗的LCC44封装。响应度优化为850 nm.它们具有低噪声、高速度和高量子效率的特点。这些阵列每个元件的有效面积为620µm X 190µm,可在-40至85℃的宽温度范围内工作。它们是测距、激光雷达ACC和激光扫描仪应用的理想选择。

  • SAP500-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon

    Laser Components的SAP500系列基于“穿透”结构,具有出色的量子效率、极低的噪声和体暗电流以及高增益。该APD的有效面积为D=500µm,既可用于增益高达250或更高的正常线性模式,也可用于“盖革”模式。盖革模式APD可以被偏置在击穿电压之上,以允许检测单个光子。SAP500系列可用于各种要求苛刻的应用,包括激光雷达、光谱学、小信号荧光检测和光子计数。APD密封在改进的TO-46封装中,或者作为选项,它可以与TO-37封装中的一级TEC或TO-8封装中的二级TEC一起提供。

  • SUR500X 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 260 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.4 pF

    Laser Components的SUR500X是一款雪崩光电二极管(APD),可在260 nm至1000 nm的商用波长范围内提供无与伦比的噪声和灵敏度性能。它基于硅“穿透”结构,在DUV/UV波长范围内具有高灵敏度。有源区的直径为0.5mm.该APD在10μA的暗电流下具有200V的击穿电压。SUR500X采用特殊的密封TO-46封装,针对紫外线波长范围进行了优化。它是荧光测量、分析设备、医疗、闪烁和高速光度测量应用的理想解决方案。

  • AXUV100TF030 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 3 nm RoHS: Yes

    Opto Diode Corporation的AXUV100TF030是一款具有集成薄膜滤波器的100 mm2方形有效面积光电二极管。其探测范围为1nm~12nm,响应度为0.16A/W@3nm.该光电二极管非常适合用于探测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。它在黑色塑料容器中配有保护盖。

  • AXUV100TF400 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 40 nm RoHS: Yes

    Opto Diode Corporation的AXUV100TF400是一款具有集成薄膜滤波器的100 mm2方形有效面积光电二极管。它的探测范围为18 nm至80 nm,响应度为0.15 A/W@40 nm.该光电二极管非常适合用于探测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。它在黑色塑料容器中配有保护盖。

  • AXUV20A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 0.0124 to 190 nm RoHS: Yes

    Opto Diode Corporation的AXUV20A是一种圆形光电二极管,有效面积为5.5 mm直径,对电子能级的灵敏度低至100eV.它的分流电阻超过100 mOhm,电容低于10 N,反向击穿电压为10 V,上升时间为2µs.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C(大气环境)和-20°C至+80°C(氮气或真空环境)。该器件配有保护盖板,以保护光电二极管芯片和焊线。

  • AXUV20HS1 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 0 to 250 nm RoHS: Yes

    Opto Diode Corporation的AXUV20HS1是一款圆形光电二极管,有效面积为20平方。嗯。它的电容小于800pF,反向击穿电压为160V,上升时间为3.5nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C(大气环境)和-20°C至+80°C(氮气或真空环境)。该设备是EUV探测的理想选择。它配有保护盖板,以保护光电二极管芯片和焊线。

  • AXUV63HS1 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 暗电流: 100 nA 响应度/光敏度: 0.05 to 0.25 A/W

    Opto Diode Corporation的AXUV63HS1是一款圆形光电二极管,有效面积为63 sq.对电子能级的灵敏度低至100eV.它的电容小于85pF,反向击穿电压为160V,上升时间为10nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C(大气环境)和-20°C至+80°C(氮气或真空环境)。该器件配有保护盖板,以保护光电二极管芯片和焊线。