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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs, Silicon, GaP 波长范围: 190 to 2200 nm 上升时间: 20 to 100 ns 暗电流: 0.02 to 1 nA
来自激光器组件的p-Cube系列是光谱范围从190到2200nm的InGaAs/GaP/Si光电探测器。这些器件的光谱带宽为180 nm,响应度为0.16 A/W.P-Cube系列在紧凑的立方体内集成了一个极低噪声和灵敏的PIN光电二极管,可轻松集成到光具座设置中。这些探测器具有快速上升时间、响应均匀性、出色的灵敏度和长期可靠性,适用于各种应用,如气体分析、拉曼光谱、红外荧光、化学检测、光通信、光功率监控和激光二极管监控。光电探测器有一个可选的FC连接器,该连接器提供了一种使用光纤将探测器连接到样品的便捷方法。它采用小型封装,可轻松组装到光学装置中。
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Opto Diode Corporation的BXT2S-28T是一款两级冷却PbSe单通道红外探测器,峰值灵敏度波长为4.3至4.5µm.它的响应度/光敏度为7.5 X 104 V/W,有源元件面积为4 mm2。该红外探测器的比探测率为3.5×1010cm Hz1/2 W-1,分流电阻为1-15MΩ。它专为制冷和非制冷设备而设计,具有最快的中红外应用响应速度。该探测器为极低电平信号检测提供额外的灵敏度,并为温度处于恒定通量的环境提供增强的稳定性。它采用TO8封装,尺寸为2 X 2 mm,带有平面蓝宝石窗口,是医疗和工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像、国防和安全应用的理想选择。
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模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.95 µm 光电二极管材料: Pyroelectric, LiTaO3
Laser Components的L2200D1810-JH是一款掺杂钽酸锂的双通道热释电探测器,覆盖从UV到LWIR的宽光谱范围。它集成了运算放大器和有机黑色吸收器,孔径尺寸为2.7 X 1.8 mm.该负极化检测器具有响应度为60000-120000 V/W的100 Gohm反馈电阻器。它具有每当吸收任何辐射时就产生信号的热检测器。该探测器由使用光盲元件集成的TFC(温度通量补偿)组成。L2200D1810-JH需要2.7-10 V直流电源,采用8 X 13.4 mm封装。它是非分散红外气体分析、火焰和火灾探测、非接触式温度测量、火焰控制和湿度监测应用的理想选择。
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模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon
Laser Components的SAP500系列基于“穿透”结构,具有出色的量子效率、极低的噪声和体暗电流以及高增益。该APD的有效面积为D=500µm,既可用于增益高达250或更高的正常线性模式,也可用于“盖革”模式。盖革模式APD可以被偏置在击穿电压之上,以允许检测单个光子。SAP500系列可用于各种要求苛刻的应用,包括激光雷达、光谱学、小信号荧光检测和光子计数。APD密封在改进的TO-46封装中,或者作为选项,它可以与TO-37封装中的一级TEC或TO-8封装中的二级TEC一起提供。
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光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 260 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.4 pF
Laser Components的SUR500X是一款雪崩光电二极管(APD),可在260 nm至1000 nm的商用波长范围内提供无与伦比的噪声和灵敏度性能。它基于硅“穿透”结构,在DUV/UV波长范围内具有高灵敏度。有源区的直径为0.5mm.该APD在10μA的暗电流下具有200V的击穿电压。SUR500X采用特殊的密封TO-46封装,针对紫外线波长范围进行了优化。它是荧光测量、分析设备、医疗、闪烁和高速光度测量应用的理想解决方案。