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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4300 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-44DP是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为4300 PF，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为475 ns.有关PIN-44DP的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4300 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-44DPI是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为4300 PF，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为475 ns.有关PIN-44DPI的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1500 pF 响应度/光敏度: 0.4 to 0.27 A/WOSI Laser Diode，Inc.的PIN-555AP-1是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为1500 PF，响应度/光敏度为0.4至0.27 A/W，上升时间为0.1µs.有关PIN-555AP-1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 500 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-5DP是波长范围为970 nm、电容为500 PF、响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W、上升时间为60 ns的光电二极管。有关引脚5DP的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 500 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-5DPI是一种光电二极管，波长范围为970 nm，电容为500 PF，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为60 ns.有关PIN-5DPI的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2000 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-6DP是一种光电二极管，波长范围为970 nm，电容为2000 PF，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为220 ns.有关引脚6DP的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2000 pFOSI Laser Diode，Inc.的PIN-6DPI是一种光电二极管，波长范围为970 nm，电容为2000 PF，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为220 ns.有关Pin-6DPI的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: YesOSI Laser Diode，Inc.的PIN-DSIN-TEC是一款光电二极管，波长范围为1000至1800 nm（InGaAs），电容为450 PF（Si-TOP）、300 PF（InGaAs），响应度/光敏度为0.55 A/W（Si-TOP）、0.6 A/W（InGaAs），上升时间为4µs.有关PIN-DSIN-TEC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: YesOSI Laser Diode，Inc.的PIN-DSIN是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm（Si-TOP）、1000至1800 nm（InGaAs），电容为450 PF（Si-TOP）、300 PF（InGaAs），响应度/光敏度为0.55 A/W（Si-TO-P）、0.6 A/W（InGaAs），上升时间为4µs.有关PIN-DSIN的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 200 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 响应度/光敏度: 0.10 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UDT-055UV是一款光电二极管，波长范围为200至1100 nm，电容为2500 PF，响应度/光敏度为0.10至0.14 A/W.有关UDT-055UV的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 350 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 15 to 85 pF 暗电流: 0.25 to 3 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的UDT-455是波长范围为350至1100 nm、电容为15至85 PF、暗电流为0.25至3 nA、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。
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波长范围: 200 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 pF 响应度/光敏度: 0.10 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UDT-455UV是一款光电二极管，波长范围为200至1100 nm，电容为300 PF，响应度/光敏度为0.10至0.14 A/W.有关UDT-455UV的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 350 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 to 1500 pF 暗电流: 2 to 25 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的UDT-555D是波长范围为350至1100 nm、电容为300至1500 PF、暗电流为2至25 nA、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。
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波长范围: 200 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.10 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UDT-555UV/LN是一款光电二极管，波长范围为200至1100 nm，电容为4500 PF，响应度/光敏度为0.10至0.14 A/W.有关UDT-555UV/LN的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 200 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.10 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UDT-555UV是一款光电二极管，波长范围为200至1100 nm，电容为4500 PF，响应度/光敏度为0.10至0.14 A/W.有关UDT-555UV的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 890 nm 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 590 pF 暗电流: 1 to 2.5 nA
Roithner Lasertechnik的EPD-880-0-1.4是一款光电二极管，波长范围为890 nm，带宽为680 nm，电容为590 PF，暗电流为1至2.5 nA，响应度/光敏度为0.3至0.55 A/W.EPD-880-0-1.4的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 890 nm 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 120 pF 暗电流: 1 to 2.5 nA
Roithner Lasertechnik的EPD-880-5-0.9是一款光电二极管，波长范围890 nm，带宽680 nm，电容120 PF，暗电流1至2.5 nA，响应度/光敏度0.3至0.55 A/W.EPD-880-5-0.9的更多详情见下文。
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模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 to 1700 nm 电容: 0.55 to 0.80 pF 暗电流: 0.02 to 0.08 nA来自Laserscom的PDI-40-4G-K是一款光电二极管，波长范围为850至1700 nm，电容为0.55至0.80 PF，暗电流为0.02至0.08 nA，响应度/光敏度为0.96至1.10 A/W.有关PDI-40-4G-K的更多详细信息，请联系我们。
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模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 1000 to 1700 nm 电容: 0.55 to 0.80 pF 暗电流: 0.005 to 0.02 nA来自Laserscom的PDI-4P40-4G-K-R50是一款光电二极管，波长范围1000至1700 nm，电容0.55至0.80 PF，暗电流0.005至0.02 nA，响应度/光敏度0.85至0.9 A/W.有关PDI-4P40-4G-K-R50的更多详细信息，请联系我们。
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模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 1260 to 1620 nm 光电二极管材料: InGaAsLaserscom的PMI-155M-L是一款光电二极管，波长范围为1260至1620 nm，带宽为115 MHz.有关PMI-155M-L的更多详细信息，请联系我们。
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