• UV-035DQC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 380 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-035DQC是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为380 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为1µs,有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035DQC的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-035EQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 800 pF

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-035EQ是一款光电二极管,波长范围为720 nm,电容为800 PF,响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W,上升时间为2µs,有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035EQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为4500 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为5.9µs.有关UV-100的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100DQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 980 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100DQ是一款光电二极管,波长范围为980 nm,电容为1100 PF,响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W,上升时间为3µs,有效区域直径为10 mm.有关UV-100DQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100EQ 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: PIN 波长范围: 720 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100EQ是一款光电二极管,波长范围为720 nm,电容为2500 PF,响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W,上升时间为7µs,有效区域直径为10 mm.有关UV-100EQ的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-100L 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-100L是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为4500 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为5.9µs.有关UV-100L的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-20 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-20是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为1000 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为2µs.有关UV-20的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-35 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1600 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-35是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为1600 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为3µs.有关UV-35的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-35P 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1600 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-35P是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为1600 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为3µs.有关UV-35P的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-50 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-50是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为2500 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为3.5µs.有关UV-50的更多详细信息,请联系我们。

  • UV-50L 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的UV-50L是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为2500 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为3.5µs.有关UV-50L的更多详细信息,请联系我们。

  • EPD-1300-0-0.5 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, InGaAs, InP 电容: 45 pF 暗电流: 250 to 1000 pA 响应度/光敏度: 0.9 A/W

    Roithner Lasertechnik的EPD-1300-0-0.5是一款光电二极管,电容为45 PF,暗电流为250至1000 pA,响应度/光敏度为0.9 A/W.有关EPD-1300-0-0.5的更多详细信息,请联系我们。

  • EPD-1300-0-3.0 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, InGaAs, InP 电容: 1000 to 1300 pF 暗电流: 5 to 30 pA

    Roithner Lasertechnik的EPD-1300-0-3.0是一款光电二极管,电容为1000至1300 PF,暗电流为5至30 pA,响应度/光敏度为0.9 A/W.有关EPD-1300-0-3.0的更多详细信息,请联系我们。

  • EPD-1300-5-0.3 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1750 nm 光电二极管材料: GaP, InGaAs 电容: 11 pF 暗电流: 15 to 40 pA

    Roithner Lasertechnik的EPD-1300-5-0.3是一款光电二极管,波长范围为800至1750 nm,带宽为780 nm,电容为11 PF,暗电流为15至40 pA,响应度/光敏度为0.9 A/W.EPD-1300-5-0.3的更多详情见下文。

  • EPD-365-0-1.4 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 365 nm 光电二极管材料: Gallium RoHS: Yes 电容: 250 pF

    Roithner Lasertechnik的EPD-365-0-1.4是一款光电二极管,波长范围为365 nm,带宽为85 nm,电容为250 PF,暗电流为5至30 pA,响应度/光敏度为0.07 A/W.EPD-365-0-1.4的更多详情见下文。

  • EPD-470-0-1.4 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 暗电流: 5 to 30 pA 响应度/光敏度: 0.18 A/W

    Roithner Lasertechnik的EPD-470-0-1.4是一款光电二极管,带宽为80 nm,暗电流为5至30 pA,响应度/光敏度为0.18 A/W.EPD-470-0-1.4的更多详细信息见下文。

  • EPD-470-5-0.5 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaN 暗电流: 20 to 50 pA 响应度/光敏度: 0.12 A/W

    来自Roithner Lasertechnik的EPD-470-5-0.5是一款光电二极管,带宽为75 nm,暗电流为20至50 pA,响应度/光敏度为0.12 A/W.有关EPD-470-5-0.5的更多详细信息,请联系我们。

  • EPD-525-0-1.4 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 电容: 180 pF 暗电流: 5 to 30 pA 响应度/光敏度: 0.08 A/W

    Roithner Lasertechnik的EPD-525-0-1.4是一款光电二极管,带宽为80 nm,电容为180 PF,暗电流为5至30 pA,响应度/光敏度为0.08 A/W.EPD-525-0-1.4的更多详情见下文。

  • EPD-525-0-2.5 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 电容: 350 pF 暗电流: 50 to 300 pA 响应度/光敏度: 0.08 A/W

    Roithner Lasertechnik的EPD-525-0-2.5是一款光电二极管,带宽为60 nm,电容为350 PF,暗电流为50至300 pA,响应度/光敏度为0.08 A/W.EPD-525-0-2.5的更多详情见下文。

  • EPD-660-5/0.5 光电二极管
    奥地利
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 50 pF 暗电流: 40 to 200 pA 响应度/光敏度: 0.42 A/W

    Roithner Lasertechnik的EPD-660-5/0.5是一款光电二极管,带宽为170 nm,电容为50 PF,暗电流为40至200 pA,响应度/光敏度为0.42 A/W.EPD-660-5/0.5的更多详情见下文。