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来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-300WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.3至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300WCER的更多详细信息,请联系我们。
OSI Laser Diode,Inc.生产的FCI-InGaAs-36C是一款光电二极管,波长范围为1310至1550 nm,带宽为9 GHz,电容为0.16至0.20 PF,暗电流为0.5至2 nA,响应度/光敏度为0.75至0.85 A/W.FCI-InGaAs-36C的更多详情见下文。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-400是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.40至5、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-400ACER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400ACER的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-400CCER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400CCER的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-400LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400LCER的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-400WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400WCER的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-4M是一种波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-500是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.50至20、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-500ACER是波长范围为900至1700nm、电容为20pF、暗电流为0.5至20nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间为10ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500ACER的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-500CCER是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.5至20 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500CCER的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-500LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.5至20 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。FCI-InGaAs-500LCER的更多详情见下文。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-500WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.5至20 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500WCER的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-75-XX-XX是波长范围为900至1700 nm的光电二极管,电容为0.65 PF,暗电流为0.03 nA,响应度/光敏度为0.75至0.90 A/W,上升时间0.2 ns.有关FCI-InGaAs-75-XX-XX的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-75Acer是波长范围为900至1700nm的光电二极管,电容为0.65pF,暗电流为0.03至2nA,响应度/光敏度为0.80至0.95A/W,上升时间0.2ns.有关FCI-InGaAs-75ACER的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-75C-XX-XX是波长范围为900至1700nm、电容为0.65pF、暗电流为0.03nA、响应度/光敏度为0.75至0.90A/W、上升时间为020ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-75C-XX-XX的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-75CCER是波长范围为900至1700nm、电容为0.65pF、暗电流为0.03至2nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间0.2ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-75CCER的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-75LCER是波长范围为900至1700nm的光电二极管,电容为0.65pF,暗电流为0.03至2nA,响应度/光敏度为0.80至0.95A/W,上升时间为020ns.有关FCI-InGaAs-75LCER的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-75WCER是一种光电二极管,其波长范围为900至1700 nm,电容为0.65 PF,暗电流为0.03至2 nA,响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W,上升时间0.2 ns.有关FCI-InGaAs-75WCER的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-8M是一种波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。