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来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-120-XX-XX是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120-XX-XX的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-120是波长范围为900至1700 nm、电容为2 PF、暗电流为0.05至2、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.30 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-120ACER是波长范围为900至1700nm、电容为1pF、暗电流为0.05至2nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间为0.3ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120ACER的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-120C-XX-XX是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120C-XX-XX的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-120CCER是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05至2 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120CCER的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-120LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05至2 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120LCER的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-120WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05至2 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120WCER的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-12M是波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-1500是一种波长范围为900至1700 nm、电容为200至450 PF、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W的光电二极管。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-16M是波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-300是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.30至5、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-3000-X是一种波长范围为900至1700 nm、电容为750至1800 PF、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W的光电二极管。FCI-InGaAs-3000-X的更多详细信息可参见下文。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-300ACER是波长范围为900至1700nm、电容为10pF、暗电流为0.3至5nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间为1.5ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300ACER的更多详细信息,请联系我们。
OSI Laser Diode,Inc.生产的FCI-InGaAs-300B1是一款光电二极管,波长范围为900至1700 nm,带宽为100 MHz,电容为8至10 PF,暗电流为0.05至5 nA,响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1的更多详情见下文。
OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-300B1X4是一款光电二极管,波长范围为900至1700 nm,带宽为100 MHz,电容为8至10 PF,暗电流为0.05至5 nA,响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1X4的更多详细信息见下文。
OSI Laser Diode,Inc.生产的FCI-InGaAs-300B1x8是一款光电二极管,波长范围为900至1700 nm,带宽为100 MHz,电容为8至10 PF,暗电流为0.05至5 nA,响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1x8的更多详情见下文。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-300CCER是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.3至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300CCER的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-300LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.3至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300LCER的更多详细信息,请联系我们。
来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-300WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.3至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300WCER的更多详细信息,请联系我们。
OSI Laser Diode,Inc.生产的FCI-InGaAs-36C是一款光电二极管,波长范围为1310至1550 nm,带宽为9 GHz,电容为0.16至0.20 PF,暗电流为0.5至2 nA,响应度/光敏度为0.75至0.85 A/W.FCI-InGaAs-36C的更多详情见下文。