• Qioptiq iFLEX-iRIS -561nm 50mW 激光器模块和系统
    波长: 561nm 最大输出功率: 50mW 运行模式: CW, Modulated

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 633nm 20mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.633um 输出功率: 20mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • Qioptiq iFLEX-iRIS - 633nm 30mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.633um 输出功率: 30mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 637nm 65mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.637um 输出功率: 65mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 660nm 50mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 50mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • Qioptiq iFLEX-iRIS - 660nm 80mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 80mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 780nm 45mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.780um 输出功率: 45mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • Qioptiq iFLEX-iRIS - 780nm 70mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.780um 输出功率: 70mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • Qioptiq kineFLEX-DUO - 488nm 半导体激光器配件

    KineFlex-Duo™是一款功能强大的全光纤光束组合器和激光束传输系统,适用于可见波长的两个激光源。围绕KineFlex™激光-光纤耦合器设计的是一种熔接式单模光纤耦合器,具有预聚焦和集成光学组件。光纤自动与您的激光参数进行模式匹配,以实现超过60%的端到端效率。单模光纤设计专为高精度仪器而设计,使用户能够从测量应用中消除激光束散光和动态光束指向不稳定性。光纤还提供了一种方便的封装解决方案,这是通过重新定位热源和去除大块部件,从而减少光束对准方案中的光学表面的数量来实现的。

  • Qioptiq kineFLEX-DUO - 640nm 半导体激光器配件

    KineFlex-Duo™是一款功能强大的全光纤光束组合器和激光束传输系统,适用于可见波长的两个激光源。围绕KineFlex™激光-光纤耦合器设计的是一种熔接式单模光纤耦合器,具有预聚焦和集成光学组件。光纤自动与您的激光参数进行模式匹配,以实现超过60%的端到端效率。单模光纤设计专为高精度仪器而设计,使用户能够从测量应用中消除激光束散光和动态光束指向不稳定性。光纤还提供了一种方便的封装解决方案,这是通过重新定位热源和去除大块部件,从而减少光束对准方案中的光学表面的数量来实现的。

  • Qioptiq kineFLEX-HPV - 488nm 半导体激光器配件

    KineFlex-HPV™和KineFlex-UV™是KineFlex™系列产品中强大的激光束传输系统。这种光纤传输技术是围绕预聚焦和集成光学组件设计的。光纤自动与激光参数进行模式匹配,以实现超过65%的传输效率。

  • Qioptiq kineFLEX-UV - 375nm 半导体激光器配件

    KineFlex-HPV™和KineFlex-UV™是KineFlex™系列产品中强大的激光束传输系统。这种光纤传输技术是围绕预聚焦和集成光学组件设计的。光纤自动与激光参数进行模式匹配,以实现超过65%的传输效率。

  • Qioptiq laserPLATE - 405nm 8-60mW 半导体激光器配件

    Qioptiq为KineFlex™系列激光-光纤耦合器推出了一系列配件,使光纤-激光对准比以往任何时候都更容易。随着LaserPlate™的推出,用户现在可以为Coherent®的Compass™、Sapphire™和Cube™系列OEM激光器购买完整的机械安装和封装系统。所有的光学和机械对准和安装考虑都通过激光平板解决了,用户现在只需要关注到应用的光纤输出。系统包括一个组合的散热器和底盘来容纳激光器。包括专为Compass DPSS、Sapphire OPSL和Cube二极管激光器安装的预安装销钉和固定件。一旦激光头固定在机箱中,控制器模块就很容易通过机箱中的开放通道直接连接到激光器。较后,提供盖子以完成激光器外壳。

  • Qioptiq laserPLATE - 488nm 10-50mW 半导体激光器配件

    Qioptiq为KineFlex™系列激光-光纤耦合器推出了一系列配件,使光纤-激光对准比以往任何时候都更容易。随着LaserPlate™的推出,用户现在可以为Coherent®的Compass™、Sapphire™和Cube™系列OEM激光器购买完整的机械安装和封装系统。所有的光学和机械对准和安装考虑都通过激光平板解决了,用户现在只需要关注到应用的光纤输出。系统包括一个组合的散热器和底盘来容纳激光器。包括专为Compass DPSS、Sapphire OPSL和Cube二极管激光器安装的预安装销钉和固定件。一旦激光头固定在机箱中,控制器模块就很容易通过机箱中的开放通道直接连接到激光器。较后,提供盖子以完成激光器外壳。

  • Qioptiq laserPLATE - 660nm 8-60mW 半导体激光器配件

    Qioptiq为KineFlex™系列激光-光纤耦合器推出了一系列配件,使光纤-激光对准比以往任何时候都更容易。随着LaserPlate™的推出,用户现在可以为Coherent®的Compass™、Sapphire™和Cube™系列OEM激光器购买完整的机械安装和封装系统。所有的光学和机械对准和安装考虑都通过激光平板解决了,用户现在只需要关注到应用的光纤输出。系统包括一个组合的散热器和底盘来容纳激光器。包括专为Compass DPSS、Sapphire OPSL和Cube二极管激光器安装的预安装销钉和固定件。一旦激光头固定在机箱中,控制器模块就很容易通过机箱中的开放通道直接连接到激光器。较后,提供盖子以完成激光器外壳。

  • QPGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx1S09H脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx2S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx2S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx3S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。