• HV94-0008M2 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 940 nm 工作温度: -10-70 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电流: 15mA

    用于传感器的 8mW 940 nm VCSEL 芯片

  • HV94-1000P1 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 940 nm 工作温度: -20-85 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电流: 2.5 A(max 10 sec)

    1 瓦 940 纳米 VCSEL 芯片,温度 60 摄氏度

  • HV94-2000P1 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 940 nm 工作温度: -20-85 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电压: 5 V(max 10 sec) 电流: 4.5 A(max 10 sec)

    2 瓦 940 纳米 VCSEL 芯片,温度 60 摄氏度

  • SS85-5U001 850nm VCSEL芯 片 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -10-70 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电压: 5V (@10μA) 电流: 6mA

    用于传感器的 850 nm VCSEL 芯片

  • V00145 795 nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片(裸片) 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 795 nm 类型: VCSEL芯片(裸片) 正向电压: 1.8 V 芯片技术: GaAs VCSEL 应用行业: 原子钟,磁力计

    来自Vixar的V00145,是波长为795nm的单模VCSEL芯片(裸片)。输出功率为0.13mW,线宽≤100MHz,调制带宽≥3.4GHz,可应用于原子钟,磁力计。该产品为现货,如有需要,请联系我们。

  • 电流-电压放大器 跨阻放大器
    美国
    分类:跨阻放大器
    厂商:ARI CORP

    PMT-5 是一款低噪声直流耦合电流电压放大器,具有较大的输入灵敏度范围:10pA/V 至 1uA 带宽限制为 300kHz

  • 单频高功率纳秒激光器 激光器模块和系统
    德国
    厂商:ALPHALAS
    重复率: 10000 Hz 波长: 1064 nm 电源稳定性: 1 % 脉冲能量: 1mj 光束质量因子(M2): <1.2

    PULSELAS-A-1064-10W-SF™ 是一款功能强大的二极管泵浦单频纳秒激光系统,可在 10 kHz 脉冲重复频率下提供 1 mJ 的脉冲能量。它的工作基本波长为 1064 nm。频率转换为 532 nm、355 nm 和 266 nm 波长是可选的。这种激光器的独特特性,如近乎变换极限的光谱宽度、同时高平均功率和峰值功率、衍射极限输出光束等,使其成为众多科学和工业应用的理想选择,包括光学气象学、干涉测量、高分辨率激光光谱学、光纤通信、单脉冲全息术等。以太网连接允许即使在偏远、难以到达或危险区域也能轻松访问和控制激光系统。

  • 光束质量分析仪V1.0 光谱分析仪
    加拿大
    分类:光谱分析仪
    厂商:World Star Tech

    感谢您选择 World Star Tech BeamCam!BeamCam 经过专门设计,可帮助您获得对激光器光学特性的新知识。BeamCam 非常适合工业、质量保证或开发目的,可让您以 1280 x 1024 的分辨率查看光束的复杂细节,尺寸低至 6um。 随附的 PC 软件是您接触传感器的窗口。它以 2D 形式显示梁的轮廓。一维横截面轮廓沿任意线显示,或沿梁椭圆的 x 和 y 平面自动显示。实时显示基于轮廓的计算和波束宽度数据。 在设计光学系统时,指向稳定性是一个重要因素。该软件具有波束漂移测量功能,可记录光束在大时间跨度内的运动。

  • Measuring microscope WM1 200 manual 显微镜

    手动测量显微镜WM1 200是一款用于精密测量的光学设备,具备高精度的尺寸测量功能。

  • 3D坐标测量机TMM 1000 尺寸测量

    TMM 1000是一款高精度的3D坐标测量机,由Schneider Messtechnik GmbH制造,基于气浮轴承的移动轴设计,配有触摸探针、测量笔和参考球,适用于各种精密测量任务。

  • FJLxxVxxxx6B 半导体激光器
    日本
    ITU频率调谐范围: C:191.3-196.1THz, C++:190.7-196.65THz, L:186.35-190.7THz 光纤输出功率: C/C++:10-17.5dBm, L:10-15.5dBm 寿命期间功率变化: +/-1.0dB 网格间距: 0.1GHz 寿命期间对ITU网格的频率误差: +/-1.5GHz

    本文档描述了FITEL的微型可调谐激光器组件的规格,该组件的外形和命令接口符合OIF-microITLA-01.0标准。

  • 脉冲发生器-A-1064-300 激光器模块和系统
    德国
    厂商:ALPHALAS
    类型: Laser System 技术: DPSS Laser, Q-Switched Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 1064 nm

    来自AlphaLas的Pulselas-A-1064-300是一种波长为1064 nm、功率为0.3 W(300 MW)、输出功率(脉冲)为0.3 W(300 MW)、脉冲能量为20µJ、工作温度为18至30摄氏度的激光器。Pulselas-A-1064-300的更多详情见下文。

  • 脉冲发生器-A-1064-300 激光器模块和系统
    德国
    厂商:ALPHALAS
    类型: Laser System 技术: DPSS Laser, Q-Switched Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 1064 nm

    来自AlphaLas的Pulselas-A-1064-300是一种波长为1064 nm、功率为0.3 W(300 MW)、输出功率(脉冲)为0.3 W(300 MW)、脉冲能量为20µJ、工作温度为18至30摄氏度的激光器。Pulselas-A-1064-300的更多详情见下文。

  • 脉冲发生器-A-1064-300 激光器模块和系统
    德国
    厂商:ALPHALAS
    类型: Laser System 技术: DPSS Laser, Q-Switched Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 1064 nm

    来自AlphaLas的Pulselas-A-1064-300是一种波长为1064 nm、功率为0.3 W(300 MW)、输出功率(脉冲)为0.3 W(300 MW)、脉冲能量为20µJ、工作温度为18至30摄氏度的激光器。Pulselas-A-1064-300的更多详情见下文。

  • HV85-0001G1 Pre 2.0 半导体激光器
    韩国
    厂商:Optowell
    储存温度: -40 to 85℃ 工作温度: -10 to 85℃ 连续正向电流: 5mA 连续反向电压: 5V (@10μA) 阈值电流: 0.5 to 1.0mA CW

    850 nm高斯光束VCSEL芯片,具有高可靠性和低电流操作的特点,可根据要求提供其他配置。

  • pco.panda 4.2 bi UV 高量子效率-背照式sCMOS相机 科学和工业相机
    量子效率: up to 95% 分辨率: 2048 x 2048 pixels 像元尺寸: 6.5µm x 6.5µm 光谱范围: 370nm...1100nm, 190nm...1100nm UV version 动态范围: 26 667:1 (88.5dB), 1636:1 (64dB) low light mode

    pco.panda 4.2 bi UV是一款超紧凑型背照式sCMOS相机,具有高量子效率和灵活的扫描模式,适用于低光环境下的成像。

  • pco.edge 4.2 bi UV 高量子效率-背照式冷却sCMOS相机 科学和工业相机
    分辨率: 2048 x 2048 active pixel 像素尺寸: 6.5µm x 6.5µm 传感器格式/对角线: 13.3mm x 13.3mm / 18.8mm 快门模式: Rolling Shutter (RS) 量子效率: Up to 95%

    pco.edge 4.2 bi UV是一款背照式冷却sCMOS相机,具备高量子效率、低光模式和光片扫描模式,适用于低光照条件下的成像。

  • C30902SH Series(系列) 雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有效面积直径: 500μm

    Excelitas Technologies的C30902SH系列雪崩光电二极管是高速、大面积的硅APD,能在低噪声下提供高响应度。这些APD被特别选中用于Geiger模式(Vop > VBD)以检测单光子,或者在Linear模式(Vop < VBD)下工作,增益可达250。

  • C30703FH系列硅雪崩光电二极管(Si APD) 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    形状: Square 有效区域: 100mm2 有用尺寸: 10x10mm 响应度: 55A/W 暗电流: 250nA

    C30703FH Avalanche Photodiode是一种具有高响应度和低暗电流特性的光电探测器,适用于高精度光学测量。

  • C30659-UV-1 带混合前置放大器的UV增强型硅雪崩光电二极管(Si APD) 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 1x1mm² 带宽范围: 50MHz 工作电压温度系数: 1.0V/°C 指定响应度的Vop: 350-430V 温度传感器灵敏度: -1.8 to -2.4mV/°C

    Excelitas Technologies的C30659-UV-1 前置放大器模块集成了紫外增强型Si雪崩光电二极管(APD)和混合前置放大器,封装在同一密封的TO-8封装中,以实现超低噪声操作。