近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

DSD 500激光二极管驱动器可提供高达50 A的稳定低噪声输出电流。激光棒可以在没有危险的情况下操作。该驱动器采用特殊的开关模式拓扑结构，可实现极低的输出纹波以及超过90%余量的效率。在正常工作条件下，不需要额外的冷却设备，如散热器或风扇。输出电流可在0至50 A范围内调节，可通过板载电位器手动调节，也可通过外部控制电压调节。基本工作模式为恒流模式，在该模式下，可选择恒功率模式。根据要求，可以安装一些额外的电路，以允许从DC到5kHz的数字和模拟调制。具有非常短的响应时间的可调电流限制为几乎所有的激光二极管提供单独的保护。该驱动器采用5 V至9 V的单一直流电压工作，信号质量不会超过要求。

激光器封装包含一个905脉冲激光二极管（CVD 46）和一个650nm激光二极管，并排安装

iFLEX-Gemini™是Qioptiq紧凑但功能强大的双波长激光源，目前可提供一系列不同的波长对，例如488/640nm和405/515nm，是荧光、光谱和计量应用的理想选择，也可作为氩离子气体激光器的理想替代品。OutputKineFlex™光纤耦合系统提供单模、偏振保持输出，具有“即插即用”的多功能性，使其成为具有不断变化的需求和高性能标准的实验工作的理想选择。这种新的创新技术为设置和对准两个单独的激光源提供了一种紧凑且具有成本效益的替代方案，同时提供了比传统技术（如气体激光器）更长的长期可靠性和使用寿命。这使得iFlex-Gemini成为以简单易用的产品增强实验室能力的较佳选择。

iFLEX-Gemini™是Qioptiq紧凑但功能强大的双波长激光源，目前可用于一系列不同的波长对，例如488/640nm和405/515nm，是荧光、光谱和计量应用的理想选择，也可作为氩离子气体激光器的理想替代品。OutputKineFlex™光纤耦合系统提供单模、偏振保持输出，具有“即插即用”的多功能性，使其成为具有不断变化的需求和高性能标准的实验工作的理想选择。这种新的创新技术为设置和对准两个单独的激光源提供了一种紧凑且具有成本效益的替代方案，同时提供了比传统技术（如气体激光器）更长的长期可靠性和使用寿命。这使得iFLEX-Gemini成为以简单易用的产品增强实验室能力的较佳选择。

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Duetto 349 UV系列在UV范围内提供无与伦比的CW单频操作，提供50 MW功率，具有出色的光束特性、高输出稳定性、极低的噪声、小尺寸和多功能软件包，使其适用于广泛的应用和系统集成。

Duetto 532系列以市场领先的输出功率和小尺寸提供无与伦比的单频性能，使其适合与现有系统和广泛的应用集成。Duetto 532具有出色的光束特性、高输出稳定性、极低的噪声和多功能软件包。

Gentec-EoIntegraEmbedded显示器。

EMU-120/65设计用于f/3或更快的输入光学器件，使其具有任何宽带阶梯光栅摄谱仪的较高光学扩展量（数值孔径X狭缝面积）。EMU-120/65的吞吐量通常比其他宽带中阶梯光栅仪器高10倍至20倍。凭借其高光学扩展量，EMU-120/65是先进台通用于LIBS（激光诱导击穿光谱）和拉曼应用的中阶梯光栅光谱仪。EMU-120/65设计用于可选通EMCCD相机，在一次曝光中以波长或拉曼位移的线性单位覆盖探测器的整个范围（UV-VIS-NIR）。

Eblana的EP1278-1-DM系列专为氟化氢而设计使用1278.1 nm吸收线进行检测。该激光器建立在Eblana的离散模式技术平台上，在1278 nm处提供稳定、精确的激光性能，适用于广泛的氟化氢检测应用。

Eblana Photonics是用于气体传感应用的可调谐二极管激光器的专家，提供用于氢氟烃检测的EP1278-DM-B激光器，该激光器可在1260 nm至1288 nm范围内连续可调。该激光二极管是可调谐二极管激光吸收光谱（TDLAS）的理想选择，为恶劣环境中的实时痕量气体传感（ppm或ppb水平）提供了低维护解决方案。EP1278-DM-B二极管激光器利用了Eblana专有的离散模式（DM）技术，该技术类似于没有大多数DFB固有的模式跳变的传统DFB激光器。

Eblana的EP1392-5-DM系列专为使用1392.5 nm吸收线的水分检测而设计。该激光器基于Eblana的离散模式技术平台，可在1392.5 nm提供稳定、精确的激光性能，适用于广泛的水分检测应用。