• LabM-I-4 实验室红外检测模块 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    截止波长(10%): 2.4±0.5µm 峰值波长: 3.5±0.5µm 最佳波长: 4.0µm 截止波长(10%): 4.3±0.3µm 探测率D*: ≥2.0×10^10cm·Hz1/2/W

    LabM-I-4是一款实验室红外检测模块,采用基于HgCdTe异质结构的光学浸入式光伏探测器,集成了跨导可编程前置放大器。3°角度的蓝宝石窗口防止了不必要的干扰效应。为了正常运行,需要使用可编程的“智能” VIGO 热电制冷器控制器 PTCC-01(需另外购买)和免费的Smart Manager软件。LabM-I-4模块附带PTCC-01和Smart Manager软件,是各种中波红外应用的原型设计和研发阶段的最佳解决方案。该套件为系统设计者提供了灵活的选择。

  • PVMQ 光伏多结象限探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: PVMQ-10.6 有源元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 10.6µm 探测率D*(λpeak): ≥2.0×10^7cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt): ≥1.0×10^7cm·Hz1/2/W

    PVMQ是基于复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏多结象限探测器,以实现最佳性能和稳定性。四分之一探测器由四个独立的活动元件组成,排列成四分之一几何结构。该设备在10.6 µm波长处进行了最大性能优化。

  • PC-3TE series 红外光电导探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 9.0, 10.6, 12.0, 13.0 探测率: ≥1.5×109, ≥4.5×108, ≥1.8×108, ≥1.2×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥1.0×109, ≥2.5×108, ≥9.0×107, ≥6.0×107 电流响应率-活动面积长度积: ≥0.075, ≥0.02, ≥0.01, ≥0.007

    PC-3TE系列采用三阶热电制冷红外光电导探测器,基于复杂的HgCdTe异质结构,具有最佳性能和稳定性。设备针对最大性能在λopt进行了优化,需在最佳偏置电压和电流读取模式下运行。低频性能因1/f噪声而降低,1/f噪声拐点频率随截止波长增加而增加。3°楔形硒化锌抗反射镀膜窗口可防止不必要的干扰效应。

  • PC series 光导探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0 µm, 6.0 µm, 9.0 µm, 10.6 µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥1.5×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.9×10^7 cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥1.0×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥2.0×10^7 cm·Hz1/2/W, ≥9.0×10^6 cm·Hz1/2/W 电流响应度-有效面积长度乘积: ≥0.07 A·mm/W, ≥0.02 A·mm/W, ≥0.003 A·mm/W, ≥0.001 A·mm/W

    PC系列特征为使用复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以达到最大性能,应在最佳偏置电压和电流读取模式下操作。低频性能因1/f噪声而降低,1/f噪声拐点频率随截止波长增加。

  • PVI-5-1×1-TO39-NW-36 光伏探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 2.4±0.5µm 峰值波长λpeak: 4.2±0.5µm 最佳波长λopt: 5.0µm 截止波长λcut-off(10%): 5.5±0.3µm

    PVI-5-1×1-TO39-NW-36是一种基于复杂HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏探测器,具有最佳性能和稳定性。该设备针对5 µm的最大性能进行了优化。探测器元件单片集成了超半球形GaAs微透镜,以提高设备性能。反向偏压可能显著增加响应速度和动态范围,还可以提高高频性能,但在偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。

  • PV-5-AF series 光伏探测器 光电二极管
    波兰
    分类:光电二极管
    厂商:VIGO Photonics
    探测器类型: uncooled IR photovoltaic detector 活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 2.1±0.2µm, 2.0±0.2µm 峰值波长λpeak: 4.4±0.2µm, 4.4±0.2µm 截止波长λcut-off(10%): ≥5.3µm, ≥5.3µm

    PV-5-AF系列采用先进的HgCdTe异质结构,具有卓越的性能和稳定性。采用抗条纹技术,大大减少了光学条纹效应。适用于气体检测、监测和分析。

  • SWIR FPA InGaAs 探测器 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics
    暗电流: < 1 nA/cm2 响应度: > 1 A/W @ 1.55 μm 窗口材料: Sapphire

    VIGO Photonics S.A. 基于InGaAs/InP的未冷却SWIR光电探测器640x512格式的最先进性能。FPA(焦平面阵列)采用Vigo Photonics S.A.的15微米像素技术,从外延衬底到最终封装的探测器外壳。该SWIR FPA探测器是为独特和苛刻的应用而设计的成本效益高的检测模块。小尺寸使其可以轻松地机械和热集成到目标设备中。平面蓝宝石窗口与被检测的具有精确定义光谱范围的红外源兼容。

  • MWIR FPA T2SL 红外探测模块 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics

    冷却红外中波红外探测模块,采用VIGO Photonics S.A. 独特技术,提供640 x 512格式的T2SL基冷却中波红外焦平面阵列,具有可靠的探测性能,适用于苛刻应用。

  • AM03120-01 非制冷红外检测模块 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics
    活性元件材料: epitaxial InAsSb heterostructure 活性面积A: 1×1 mm×mm 封装: TO8 接受角Φ: ~48° 窗口: wZnSeAR

    AM03120-01是一个“全合一”的非制冷红外检测模块,封装在紧凑的TO8封装中。光伏多结InAsSb探测器元件直接集成低噪声前置放大器。放大后的模拟输出可直接连接到测量设备。可以进行通孔安装。检测模块配备3°楔形硒化锌抗反射镀膜窗(wZnSeAR),防止不必要的干扰效应。最终产品可以作为OEM组件提供(仅带探测器元件的PCB板),安装在TO8子安装架上,或安装并密封在带窗的TO8封装中。

  • 32EM-5系列 32通道检测模块 光电探测器
    波兰
    分类:光电探测器
    厂商:VIGO Photonics
    窗口: pAlOAR 接受角Φ: ~70°

    32EM-5是一系列32通道检测模块。热电冷却的中波红外32元件HgCdTe光伏探测器与直流耦合32通道跨阻前置放大器集成。具有高灵敏度和高速响应,适用于光谱学、非接触温度测量等应用。

  • 消色度可切换偏振旋转器 偏振光学元件
    瑞士
    厂商:ARCoptix
    扭曲角度: 45°或90°(可定制) 扭曲精度: ±1° 输出椭圆度: 0.1%-10%(取决于型号和波长) 波长范围: 350-1800 nm 有效区域: 10 mm或20mm(直径)

    Achromatic switchable polarization rotator是一种液晶偏振旋转器,适用于科学和工业应用,具有大接受角度和宽光谱范围。液晶扭曲向列型(TN)偏振旋转器是一种非常有用的设备,可以将线性偏振的方向固定旋转通常为45°或90°。

  • D30-850M 高性能光电探测器模块 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 840~1650nm 3 dB带宽: ≥30GHz 暗电流: <10pA 反向偏压电压: -2到-4V 最大输入功率: 2mW@850nm

    D30-850M是一款高性能光电探测器模块,适用于多模光纤耦合,光纤系统测试、研究与开发及VCSEL测试,工作波长范围为840-1650nm,具有高达56 Gbit/s的传输速度。

  • YAG Series 1064nm硅光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -200V 工作温度: -40~+100ºC 存储温度: -40~+125ºC 型号: PIN-5-YAG, PIN-100-YAG 有效区域: 5.1mm², 100mm²

    YAG系列硅光电探测器针对1064nm Nd:YAG激光波长进行了优化,具有低电容和快速响应时间。由于低噪声和高响应度,非常适合测量低光强度,如被Nd:YAG激光束照射物体反射的光,用于测距应用。

  • YAG Quadrant Series 1064nm象限光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -200V 工作温度: -10ºC~+100ºC 存储温度: -40ºC~+125ºC 型号: SPOT-9YAG, SPOT-11AYAG-FL, SPOT-13AYAG-FL, SPOT-15YAG 有效区域: 19.6mm2, 26mm2, 33.7mm2, 38.5mm2

    SPOT-YAG系列是1064纳米的钕:钇铝石榴石优化的四象限光电二极管,非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计,用于收集在活动区域外部产生的电流,以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间,非常适合低光强度测量,因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式(无偏)下运行,适用于需要低噪声的应用,也可以在光导模式(有偏)下操作,适用于高速、瞄准和指向应用。

  • APD Series 8-150 硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 0.2-5.0mm 活动区域: 0.03-19.6mm² 存储温度最小值: -55°C 存储温度最大值: +125°C 工作温度最小值: -40°C

    APD Series 8-150硅雪崩光电二极管,波长800纳米。具有高增益、宽带宽和低暗电流,适用于光纤通信、激光雷达和光电探测。

  • Back-llluminated 背光硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: -10V 工作温度: -20ºC~+60ºC 存储温度: -20ºC~+80ºC 响应度@540nm: 0.30~0.35A/W 响应度@920nm: 0.53~0.59A/W

    Back-llluminated Series系列芯片尺寸封装的背照式硅光电二极管。适用于X射线检查、计算机断层扫描和一般工业用途。

  • SPOT-4D-0 环形象限硅光电二极管350nm到1100nm 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有源面积: 1.3x1.3mm 元素间隙: 0.127mm 光谱范围: 350-1100nm 峰值波长: 980nm 响应度@790nm: 0.52A/W

    SPOT-4D-0是一款环形象限硅光电二极管,适用于350nm到1100nm的光谱范围。该产品采用环形封装设计,适合与LC插针耦合,具有ϕ200μm激光切割孔,以及反射率测量的后向散射检测。

  •  SPOT-9D-0 环形象限硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 350nm-1100nm 激光切割孔径: ϕ200μm 封装尺寸: 24.77mm x 17.65mm x 4.95mm

    SPOT-9D-0 Annular Quadrant Silicon Photodiode是一款高性能的硅光电二极管,适用于350nm到1100nm波长范围内的光检测。其独特的环形封装设计特别适用于反射率测量和LC插芯耦合。

  • Photovoltaic Series 平面漫射硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    峰值波长: 350nm-1100nm 响应度: 0.88A/W-1.6A/W 电容: 70pF-2000pF 暗电流: 2.0e-14W/√Hz-2.5e-13W/√Hz 上升时间: 4ns-6600ns

    Photovoltaic Series系列用于需要高灵敏度和中等响应速度的应用,尤其是对于蓝色增强系列在可见蓝光区域具有额外的灵敏度。光谱响应范围从350nm到1100nm,使常规光伏设备非常适合可见光和近红外应用。对于350nm到550nm区域的额外灵敏度,蓝色增强设备更为适用。

  • BPX65-100 光纤接收器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    窗口直径: 3.89mm 盖直径: 4.65mm 电源电压: 4.0V 静态电流: 3.5V 输出波形: 标称值

    BPX65-100接收器包含一个BPX-65超高速光电二极管,与一个NE5212(Signetics)转导放大器耦合。标准产品包括ST和SMA连接器版本。适用于100Mbs光通信。