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来自TT Electronics的OP798A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为4.9 mA至15 mA.有关OP798A的更多详情,请联系我们。
来自TT Electronics的OP798B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流3.3至9.2 mA.有关OP798B的更多详情,请联系我们。
来自TT Electronics的OP798C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.9至6.1 mA.有关OP798C的更多详情,请联系我们。
来自TT Electronics的OP798D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.9至15 mA.有关OP798D的更多详情,请联系我们。
来自TT Electronics的OP800A是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为3.6 mA,功耗为250 MW.有关OP800A的更多详细信息,请联系我们。
来自TT Electronics的OP800B是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为1.8至5.4 mA,功耗为250 MW.有关OP800B的更多详情,请联系我们。
来自TT Electronics的OP800C是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.9至3.6 mA,功耗为250 MW.有关OP800C的更多详细信息,请联系我们。
来自TT Electronics的OP800D是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.45 mA,功耗为250 MW.有关OP800D的更多详情,请联系我们。
来自TT Electronics的OP800SL是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.5 mA,功耗为250 MW.有关OP800SL的更多详细信息,请联系我们。
来自TT Electronics的OP800WSL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.3 mA.有关OP800WSL的更多详细信息,请联系我们。
来自TT Electronics的OP801SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为0.5 mA至3 mA,功耗为250 MW.有关OP801SL的更多详情,请联系我们。
来自TT Electronics的OP801WSL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.5 mA至3 mA,功耗为250 MW.有关OP801WSL的更多详情,请联系我们。
来自TT Electronics的OP802SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为2 mA至5 mA,功耗为250 MW.有关OP802SL的更多详情,请联系我们。
来自TT Electronics的OP802WSL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为2.5 mA,功耗为250 MW.有关OP802WSL的更多详情,请联系我们。
来自TT Electronics的OP803SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为4 mA至8 mA,功耗为250 MW.有关OP803SL的更多详情,请联系我们。
来自TT Electronics的OP804SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为7 mA至22 mA,功耗为250 MW.有关OP804SL的更多详情,请联系我们。
来自TT Electronics的OP805SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为15 mA,功耗为250 MW.有关OP805SL的更多详情,请联系我们。
SunLED的XRNI12W是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.8 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.5至2.5 mA.有关XRNI12W的更多详细信息,请联系我们。
SunLED的XRNi30W-1是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.8 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关XRNi30W-1的更多详细信息,请联系我们。
SunLED的XRNI82B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.4 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关XRNI82B的更多详细信息,请联系我们。