• OP798A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP798A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为4.9 mA至15 mA.有关OP798A的更多详情,请联系我们。

  • OP798B 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP798B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流3.3至9.2 mA.有关OP798B的更多详情,请联系我们。

  • OP798C 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP798C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.9至6.1 mA.有关OP798C的更多详情,请联系我们。

  • OP798D 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP798D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.9至15 mA.有关OP798D的更多详情,请联系我们。

  • OP800A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP800A是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为3.6 mA,功耗为250 MW.有关OP800A的更多详细信息,请联系我们。

  • OP800B 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP800B是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为1.8至5.4 mA,功耗为250 MW.有关OP800B的更多详情,请联系我们。

  • OP800C 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP800C是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.9至3.6 mA,功耗为250 MW.有关OP800C的更多详细信息,请联系我们。

  • OP800D 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP800D是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.45 mA,功耗为250 MW.有关OP800D的更多详情,请联系我们。

  • OP800SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP800SL是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.5 mA,功耗为250 MW.有关OP800SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP800WSL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP800WSL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.3 mA.有关OP800WSL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP801SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP801SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为0.5 mA至3 mA,功耗为250 MW.有关OP801SL的更多详情,请联系我们。

  • OP801WSL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP801WSL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.5 mA至3 mA,功耗为250 MW.有关OP801WSL的更多详情,请联系我们。

  • OP802SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP802SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为2 mA至5 mA,功耗为250 MW.有关OP802SL的更多详情,请联系我们。

  • OP802WSL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP802WSL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为2.5 mA,功耗为250 MW.有关OP802WSL的更多详情,请联系我们。

  • OP803SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP803SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为4 mA至8 mA,功耗为250 MW.有关OP803SL的更多详情,请联系我们。

  • OP804SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP804SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为7 mA至22 mA,功耗为250 MW.有关OP804SL的更多详情,请联系我们。

  • OP805SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP805SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为15 mA,功耗为250 MW.有关OP805SL的更多详情,请联系我们。

  • XRNI12W 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:SunLED
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    SunLED的XRNI12W是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.8 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.5至2.5 mA.有关XRNI12W的更多详细信息,请联系我们。

  • XRNI30W-1 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:SunLED
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    SunLED的XRNi30W-1是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.8 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关XRNi30W-1的更多详细信息,请联系我们。

  • XRNI82B 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:SunLED
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    SunLED的XRNI82B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.4 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关XRNI82B的更多详细信息,请联系我们。