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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 650 to 860 nm 光电二极管材料: GaAsOSI Optoelectronics的FCI-GaAs-xxM是一款光电二极管，波长范围为650至860 nm，带宽为2 GHz，电容为0.65 PF，暗电流为0.03 nA，响应度/光敏度为0.63 A/W.有关FCI-GaAs-xxM的更多详细信息，请联系我们。
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模块: No 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 25 to 225 pFOSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-Qxxx系列是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，电容为25至225 PF，暗电流为0.5至100 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W，上升时间为3至24 ns.有关FCI-InGaAs-Qxxx系列的更多详细信息，请联系我们。
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模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pFOSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-xxM系列是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为2 GHz，电容为0.65 PF，暗电流为0.03 nA，响应度/光敏度为0.95 A/W.有关FCI-InGaAs-xxM系列的更多详细信息，请联系我们。
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模块: No 工作模式: Photovoltaic, Photoconductive 暗电流: 17 mA 响应度/光敏度: 1 A/WLED MicroSensor NT的LMS49PD-05系列是一款光电二极管，可为中红外应用提供快速响应速度。它的敏感区域为0.5 mm，最大灵敏度范围为3.55-4.50μm.该光电二极管的暗电流为17 mA，光敏度为1 A/W，截止波长（10%水平）为4.9~5.0μm.它提供TO-18和TO-5两种封装，具有内置热冷却器、热电阻和前置放大器等多种选择。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1310 nm 光电二极管材料: InGaAs 暗电流: 7 µA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.94 A/WCEL的NR6800系列是一款光电二极管，波长范围为1310 nm，暗电流为7µA，响应度/光敏度为0.80至0.94 A/W.有关NR6800系列的更多详细信息，请联系我们。
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模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 pF 暗电流: 5 µACEL的NR8300FP-CC是一款光电二极管，波长范围为1310 nm、1550 nm，电容为0.35 PF，暗电流为5µA，响应度/光敏度为0.80至0.96 A/W.有关NR8300FP-CC的更多详细信息，请联系我们。
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模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1 to 1.7 pF 暗电流: 5 µACEL的NR8360JP-BC是一款光电二极管，波长范围为1310 nm、1550 nm，电容为1至1.7 PF，暗电流为5µA，响应度/光敏度为0.73至1 A/W.有关NR8360JP-BC的更多详细信息，请联系我们。
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模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1310 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.5 to 0.75 pFCEL的NR8800FS-CB是一款光电二极管，波长范围为1310 nm，电容为0.5至0.75 PF，暗电流为7µA，响应度/光敏度为0.8至0.94 A/W.有关NR8800FS-CB的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 560 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 730 pF来自Light Avenue的LA PD120AP1是波长范围为560 nm、带宽为390至800 nm、电容为730 PF、暗电流反向暗电流为2至5 nA、上升时间为100 ns的光电二极管。有关LA PD120AP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 30 to 90 pF来自Light Avenue的LA PD120BP1是波长范围为940 nm、带宽为350至1100 nm、电容为30至90 PF、暗电流为2至5 nA、上升时间为40 ns的光电二极管。有关LA PD120BP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 25 to 70 pF来自Light Avenue的LA PD120HP1是波长范围为940nm、带宽为430至1100nm、电容为25至70pF、暗电流为2至5nA、上升时间为100ns的光电二极管。有关LA PD120HP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.3 pF来自Light Avenue的LA PD26HP1是波长范围为900 nm、带宽为430至1100 nm、电容为1.3 PF、反向暗电流为0.1至3 nA、上升时间为4 ns的光电二极管。有关LA PD26HP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 560 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 28 pF来自Light Avenue的LA PD28AP1是波长范围为560 nm、带宽为390至800 nm、电容为28 PF、反向暗电流为0.1至2 nA、上升时间为100 ns的光电二极管。有关LA PD28AP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 to 18 pF来自Light Avenue的LA PD60HP1是波长范围为950nm、带宽为590至1070nm、电容为6至18pF、暗电流为3至5nA、上升时间为625ns的光电二极管。有关LA PD60HP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.1 to 1.5 pF 暗电流: 0.5 to 3 nAFermionics Opto-Technology的FD100系列是一款光电二极管，波长范围为1300至1550 nm，电容为1.1至1.5 PF，暗电流为0.5至3 nA，响应度/光敏度为0.8至0.90 A/W，上升时间为0.3至0.7 ns.有关FD100系列的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 80 to 150 pF 响应度/光敏度: 0.10 to 0.90 A/WFermionics Opto-Technology的FD1000W系列是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为80至150 PF，响应度/光敏度为0.10至0.90 A/W.有关FD1000W系列的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.5 to 2 pF 暗电流: 0.5 to 3 nAFermionics Opto-Technology的FD150系列是一款光电二极管，波长范围为1300至1550 nm，电容为1.5至2 PF，暗电流为0.5至3 nA，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W，上升时间为0.1至0.3 ns.有关FD150系列的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 300 to 450 pF 响应度/光敏度: 0.1 to 0.95 A/WFermionics Opto-Technology的FD1500W系列是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为300至450 PF，响应度/光敏度为0.1至0.95 A/W.有关FD1500W系列的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 400 to 1000 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.95 A/WFermionics Opto-Technology的FD2000W系列是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为400至1000 PF，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W.有关FD2000W系列的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 4 to 7 pF 暗电流: 1 to 5 nAFermionics Opto-Technology的FD300系列是一款光电二极管，波长范围为1300至1550 nm，电容为4至7 PF，暗电流为1至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W，上升时间为0.4至1.5 ns.有关FD300系列的更多详细信息，请联系我们。
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