• plpm4 450 激光二极管 半导体激光器
    加拿大
    厂商:World Star Tech
    中心波长: 0.45um 输出功率: 50000mW

    World Star Tech提供全系列的蓝色、绿色和红外欧司朗激光二极管。提供这些二极管的完整特性服务,使您的制造过程更简单、更可靠且更具成本效益。我们提供波长、激光器阈值电流、斜率效率、电压和监控二极管信息。所有欧司朗激光二极管均提供分拣服务和波长选择选项。我们有大量的欧司朗激光二极管库存。过时的欧司朗激光二极管也可从库存中获得。请联系我们为您的要求。PLPM4 450激光二极管具有多阵列和高功率。PLPM4 450是投影仪和医疗应用的理想选择,要求可靠的操作,具有较长的使用寿命和稳定的输出功率。

  • plpt9 450lb_e 蓝色激光二极管TO90封装 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    中心波长: 0.45um 输出功率: 5000mW

    plpt9 450lb_e欧司朗蓝色激光二极管。TO90封装

  • PLT3 510 LASER DIODE 半导体激光器
    加拿大
    厂商:World Star Tech
    中心波长: 0.520um 输出功率: 10mW

    World Star Tech提供全系列的蓝色、绿色和红外欧司朗激光二极管。提供这些二极管的完整特性服务,使您的制造过程更简单、更可靠且更具成本效益。我们提供波长、激光器阈值电流、斜率效率、电压和监控二极管信息。所有欧司朗激光二极管均提供分拣服务和波长选择选项。我们有大量的欧司朗激光二极管库存。过时的欧司朗激光二极管也可从库存中获得。请联系我们了解您的需求。PLT3 510激光二极管具有单模和3.8 mm封装。PLT3 510是投影仪和机器视觉应用的理想选择,要求可靠的操作,具有较长的使用寿命和稳定的输出功率。

  • PLT3 520D激光二极管 半导体激光器
    加拿大
    厂商:World Star Tech
    中心波长: 0.520um 输出功率: 100mW

    World Star Tech提供全系列的蓝色、绿色和红外欧司朗激光二极管。提供这些二极管的完整特性服务,使您的制造过程更简单、更可靠且更具成本效益。我们提供波长、激光器阈值电流、斜率效率、电压和监控二极管信息。所有欧司朗激光二极管均提供分拣服务和波长选择选项。我们有大量的欧司朗激光二极管库存。过时的欧司朗激光二极管也可从库存中获得。请联系我们了解您的要求。PLT3 520D激光二极管具有单模、高功率和3.8 mm封装。PLT3 520D是投影仪和机器视觉应用的理想选择,要求可靠的操作,具有较长的使用寿命和稳定的输出功率。

  • PLTB 450B激光二极管 半导体激光器
    加拿大
    厂商:World Star Tech
    中心波长: 0.45um 输出功率: 1600mW

    World Star Tech提供全系列的蓝色、绿色和红外欧司朗激光二极管。提供这些二极管的完整特性服务,使您的制造过程更简单、更可靠且更具成本效益。我们提供波长、激光器阈值电流、斜率效率、电压和监控二极管信息。所有欧司朗激光二极管均提供分拣服务和波长选择选项。我们有大量的欧司朗激光二极管库存。过时的欧司朗激光二极管也可从库存中获得。请联系我们了解您的需求。PLTB 450B激光二极管具有多模式和窄波长。PLTB 450B是投影仪和机器视觉应用的理想选择,要求可靠的操作,具有较长的使用寿命和稳定的输出功率。

  • PULSED 850nm仪器激光模块 半导体激光器
    美国
    输出功率: 1W 激光波长: 0.85um 脉宽: 50 - 50 ns 中心波长附近的调谐范围: <= 200nm

    OSI激光二极管公司S 850nm激光模块设计用于高光功率和低功率的光纤仪器

  • QFLD-405-10SAX 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 404nm 输出功率: 10.4mW

    QFLD-405-10SAX光纤耦合二极管

  • QFLD-405-20S 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 406nm 输出功率: 20mW

    QFLD-405-20S光纤耦合激光二极管

  • QFLD-450-10S 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 451nm 输出功率: 10mW

    QFLD-450-10S光纤耦合激光二极管

  • QFLD-450-15SAX 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 448nm 输出功率: 15.2mW

    QFLD-450-15SAX光纤耦合激光二极管

  • QFLD-488-20S 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 488nm 输出功率: 20mW

    QFLD-488-20S光纤耦合激光二极管

  • QFLD-488-20SAX 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 488nm 输出功率: 20.1mW

    QFLD-488-20SAX光纤耦合激光二极管

  • QFLD-505-10S 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 504nm 输出功率: 10mW

    QFLD-505-10S光纤耦合激光二极管

  • QPGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx1S09H脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx2S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx2S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx3S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx3S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • SCW 1397-CWDM * R 半导体激光器
    美国
    中心波长: 1270 - 1450 nm 输出功率: 8mW

    SCW 1397-CWDM*R激光二极管系列是1300nm高速单模边缘发射多量子