• AXUV100TF030 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 3 nm RoHS: Yes

    Opto Diode Corporation的AXUV100TF030是一款具有集成薄膜滤波器的100 mm2方形有效面积光电二极管。其探测范围为1nm~12nm,响应度为0.16A/W@3nm.该光电二极管非常适合用于探测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。它在黑色塑料容器中配有保护盖。

  • AXUV100TF400 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 40 nm RoHS: Yes

    Opto Diode Corporation的AXUV100TF400是一款具有集成薄膜滤波器的100 mm2方形有效面积光电二极管。它的探测范围为18 nm至80 nm,响应度为0.15 A/W@40 nm.该光电二极管非常适合用于探测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。它在黑色塑料容器中配有保护盖。

  • AXUV20A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 0.0124 to 190 nm RoHS: Yes

    Opto Diode Corporation的AXUV20A是一种圆形光电二极管,有效面积为5.5 mm直径,对电子能级的灵敏度低至100eV.它的分流电阻超过100 mOhm,电容低于10 N,反向击穿电压为10 V,上升时间为2µs.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C(大气环境)和-20°C至+80°C(氮气或真空环境)。该器件配有保护盖板,以保护光电二极管芯片和焊线。

  • AXUV20HS1 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 0 to 250 nm RoHS: Yes

    Opto Diode Corporation的AXUV20HS1是一款圆形光电二极管,有效面积为20平方。嗯。它的电容小于800pF,反向击穿电压为160V,上升时间为3.5nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C(大气环境)和-20°C至+80°C(氮气或真空环境)。该设备是EUV探测的理想选择。它配有保护盖板,以保护光电二极管芯片和焊线。

  • AXUV63HS1-CH 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    波长范围: 0.01 to 190 nm RoHS: Yes 电容: 10 nF 暗电流: 100 nA

    来自Opto Diode Corporation的AXUV63HS1-CH是波长范围为0.01至190 nm、电容为10 NF、暗电流为100 nA、上升时间为2 nsec、有源区直径为9 mm的光电二极管。有关AXUV63HS1-CH的更多详细信息,请联系我们。

  • AXUV63HS1 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 暗电流: 100 nA 响应度/光敏度: 0.05 to 0.25 A/W

    Opto Diode Corporation的AXUV63HS1是一款圆形光电二极管,有效面积为63 sq.对电子能级的灵敏度低至100eV.它的电容小于85pF,反向击穿电压为160V,上升时间为10nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C(大气环境)和-20°C至+80°C(氮气或真空环境)。该器件配有保护盖板,以保护光电二极管芯片和焊线。

  • BXP-15E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.6 to 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire

    Opto Diode Corporation的BXP-15E是一款基于单通道PbSe的光电二极管,响应速度快,适用于中红外应用。该光电二极管具有1平方的有源元件面积。mm,探测率为2 X 10^10 cm sqrt.Hz/W,峰值灵敏度波长为3.8µm,响应率为3 X 10^4 V/W,电阻为0.7-1.5 mOhm,时间常数小于5µs.BXP-15E光电二极管在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装,带有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • BXP-25E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.6 to 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire

    Opto Diode Corporation的BXP-25SE是一款基于单通道PbSe的光电二极管,可为中红外应用提供最快的响应速度。它的有源元件面积为4平方英寸。mm,探测率为2 X 10^10 cm-sqrt.Hz/W.光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm,响应度为1.5 X 10^4 V/W,电阻为0.7-2.5 MΩ,时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装,配有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • BXP-35E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.6 to 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire

    Opto Diode Corporation的BXP-35E是一款基于单通道PbSe的光电二极管,响应速度快,适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。该光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm,响应度为1.5 X 10^4 V/W,电阻为0.5-1.75 mΩ,时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装,配有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • BXP-35F 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: 2.4 µm Longpass Ge Filter

    Opto Diode Corporation的BXP-35F是一款基于单通道PbSe的光电二极管,响应速度快,适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm,响应度为1.0 X 10^4 V/W,电阻为0.5-1.0 mΩ,时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。它采用TO5封装,具有2.4µm长通GE滤波器窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • BXT2S-68TE 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 4.3 to 4.5 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire

    Opto Diode Corporation的BXT2S-68TE是基于PbSe的单通道光电二极管,可为中红外应用提供最快的响应速度。它的峰值灵敏度波长为4.3~4.5μm,响应度为1.65×104~2.5×104V/W,有效元件面积为36mm2,最小探测率为1.5×1010cm Hz1/2W-1。其电阻为1-15 MΩ,时间常数为12-25µs.这款红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO8封装,具有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • NXIR-5C 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 1 to 3 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.62 A/W

    Opto Diode Corporation的NXIR-5C是一款红光至近红外(NIR)增强型光电二极管,圆形有效面积为5 mm2。光电二极管具有从320nm到1100nm的光谱响应。该器件具有出色的响应度、低反向偏压和高灵敏度,在850 nm时为0.62 A/W,在1064 nm时为0.35 A/W.该光电二极管在1nA时具有低暗电流,在10伏时具有5皮法(PF)的低电容,以及大于100mΩ的高分流电阻。它采用定制的4.7 mm X 4.9 mm陶瓷载体表面贴装器件(SMD)封装。坚固的封装具有AR涂层窗口,可提供超过98%的透射率。NIR增强型探测器适用于激光监测、医疗诊断设备、工业自动化、科学测量和军事应用。SMD符合RoHS和REACH标准,并以卷带和卷盘形式提供。

  • NXIR-RF100 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 3 pF 暗电流: 0.1 to 0.75 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.62 A/W

    Opto Diode Corporation的NXIR-RF100是一款光电二极管,波长范围为320至1100 nm,电容为3 PF,暗电流为0.1至0.75 nA,响应度/光敏度为0.35至0.62 A/W,上升时间为50 nsec.有关NXIR-RF100的更多详细信息,请联系我们。

  • NXIR-RF100C 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: Yes 波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 3 pF 暗电流: 0.1 to 0.75 nA

    Opto Diode Corporation的NXIR-RF100C是一款表面贴装光电二极管,工作波长为320至1100 nm.它的感光面积为1×1mm,灵敏度为0.62A/W(λ=850nm),0.35A/W(λ=1064nm)。光电二极管是激光监测、雨水和阳光传感器应用的理想选择。

  • SXUV100TF135 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 18 to 80 nm RoHS: yes 电容: 220 to 350 pF

    Opto Diode Corporation的SXUV100TF135是一款集成薄膜滤波器的光电二极管,工作波长为18至80 nm.该100平方毫米的光电二极管在40纳米处具有0.15 A/W的响应度。它带有保护罩,可以在-10到40摄氏度的温度下工作。

  • SXUV100TF135B 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 12 to 18 nm RoHS: Yes 电容: 5 to 20 pF

    Opto Diode Corporation的SXUV100TF135B是一款集成薄膜滤波器的100平方毫米光电二极管。它的探测范围为12~18nm,在13.5nm处的响应度为0.09A/A.光电二极管具有10兆欧的高分流电阻。它可在黑色塑料容器中的带有保护盖的陶瓷载体中使用。

  • SXUV5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode

    光电二极管公司的SXUV5是一种有效面积为5mm2的EUV(极紫外)圆形光电二极管。这款高速光电二极管具有卓越的13.5 nm光刻能力,在1至90 nm的极端UV曝光中具有稳定的响应度,使其成为EUV光最关键测量的理想选择。该器件具有高达1500 PF的电容、高达1 ns的响应时间和高达0.34 A/W的响应度。在大气环境中,该器件的工作温度范围为-10°C至+40°C,在氮气或真空环境中,该器件的工作温度范围为-20°C至+80°C.这款光电二极管符合RoHS规范,采用TO-5封装。

  • DET100A2 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博
    模块: Yes 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 320 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon

    Thorlabs Inc的DET100A2是一款偏置硅探测器模块,可探测320至1100 nm波长范围内的光信号。其光电二极管的有效面积为75.4 mm2,输出电流高达10 mA.该探测器的上升时间为35 ns,峰值响应为0.72 A/W,偏置电压为10 V,暗电流最高可达10 nA.它有一个可拆卸的1 “光耦合器,可轻松安装ND滤光片、光谱滤光片、光纤适配器(SMA、F和ST型)和其他1 ”可堆叠镜头安装配件。该探测器可使用40 mAh 12 V电池工作,封装尺寸为70.9 X 49.8 X 22.5 mm.

  • FD11A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博
    波长范围: 320 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 140 pF 暗电流: 2 pA

    Thorlabs的FD11A是一款硅光电二极管,工作波长范围为320至1100 nm.它的上升时间为400 ns,有效面积为1.21 mm2。光电二极管采用TO-18封装。

  • SM05PD3A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博
    波长范围: 320 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 140 pF 暗电流: 20 to 100 nA 响应度/光敏度: 0.60 A/W

    来自Thorlabs的SM05PD3A是一款贴装式硅光电二极管,工作波长范围为320至1100 nm.它是测量脉冲和连续光纤光源的理想选择。光电二极管安装在方便的SM05(Ø0.535-40)外螺纹管中,响应度为0.60 A/W.