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波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 15 pF 暗电流: 5 nA来自Marktech Optoelectronics的MTD5010W是一款光电二极管，波长范围为850 nm，电容为8至15 PF，暗电流为5 nA，响应度/光敏度为0.20至0.55 A/W.MTD5010W的更多详情见下文。
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波长范围: 525 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 100 pF 暗电流: 5 to 30 pA来自Marktech Optoelectronics的MTD5052N是一款光电二极管，波长范围为525 nm，电容为100 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.3 A/W.MTD5052N的更多详情见下文。
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波长范围: 525 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 暗电流: 5 to 30 pA 响应度/光敏度: 0.3 A/W来自Marktech Optoelectronics的MTD5052W是一款光电二极管，波长范围为525 nm，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.3 A/W.有关MTD5052W的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 47 to 120 pF 暗电流: 1.0 nA来自Marktech Optoelectronics的MTPC10.0PV1-5是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为47至120 PF，暗电流为1.0 nA，响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPC10.0PV1-5的更多详情见下文。
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波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 14 to 70 pF 暗电流: 1.0 nA来自Marktech Optoelectronics的MTPC5.0PV1-5是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为14至70 PF，暗电流为1.0 nA，响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPC5.0PV1-5的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 10 pF 暗电流: 1 uA来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-010是波长范围为1300 nm、电容为10 PF、暗电流为1 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-010的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 15 pF 暗电流: 1 uA来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-030是波长范围为1300 nm、电容为15 PF、暗电流为1 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-030的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 45 pF 暗电流: 2 uA来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-080是波长范围为1300 nm、电容为45 PF、暗电流为2 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-080的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 60 pF 暗电流: 2 uA来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-100是波长范围为1300 nm、电容为60 PF、暗电流为2 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-100的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 nm 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 200 pF 暗电流: 2 uA来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-150是波长范围为1300 nm、电容为200 PF、暗电流为2 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-150的更多详细信息，请联系我们。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-200是一款光电二极管，波长范围为600至1750 nm，带宽为7 MHz，电容为1260 PF，暗电流为160 uA，响应度/光敏度为0.57 A/W.MTPD1346D-200的更多详情见下文。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-300是一款光电二极管，波长范围为600至1750 nm，带宽为4.3 MHz，电容为2090 PF，暗电流为265 uA，响应度/光敏度为0.50 A/W.MTPD1346D-300的更多详情见下文。
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波长范围: 440 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 暗电流: 15 to 40 pA来自Marktech Optoelectronics的MTPD1500D-2.5是一款光电二极管，波长范围为440 nm，电容为1000 PF，暗电流为15至40 pA，响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD1500D-2.5的更多详细信息见下文。
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波长范围: 365 nm 光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 250 pF 暗电流: 5 to 30 pA
来自Marktech Optoelectronics的MTPD3650D-1.4是一款光电二极管，波长范围为365 nm，电容为250 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.07 A/W.MTPD3650D-1.4的更多详情见下文。
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波长范围: 440 nm 光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 300 pF 暗电流: 10 to 30 pA
来自Marktech Optoelectronics的MTPD4400D-1.4是一款光电二极管，波长范围为440 nm，电容为300 PF，暗电流为10至30 pA，响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD4400D-1.4的更多详情见下文。
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波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 to 190 pF 暗电流: 1.0 nA来自Marktech Optoelectronics的MTPS15.0PV1-5是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为50至190 PF，暗电流为1.0 nA，响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPS15.0PV1-5的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 600 to 1750 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 60 pFMarktech Optoelectronics的MTSM1346SMF2-100是一款InGaAs PIN光电二极管，工作波长为600至1750 nm.它具有0.7A/W的响应度和55%的量子效率。该光电二极管产生180μA的光电流和2μA的暗电流。它的结电容为60 PF，击穿电压为3 V.该光电二极管的最大响应速度高达2 Gbps.它采用缝焊SMD平面透镜封装，尺寸为5 X 5 mm，是高速光通信、工业控制、光开关、激光雷达和医疗应用的理想选择。MTSM1346SMF2-100是Marktech首款采用该公司最新设计的SMD封装的器件。“阿特拉斯”是一种密封缝焊陶瓷封装，比目前的标准通孔类型具有更高的可靠性。
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光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF来自II-VI Incorporated的APA1101040000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为12至14 GHz，电容为110至150 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101040000的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF来自II-VI Incorporated的APA1101120000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为12至14 GHz，电容为110至150 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101120000的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF来自II-VI Incorporated的APA1201010000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为20 GHz，电容为50至100 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201010000的更多详情见下文。
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