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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 17 to 48 pFVishay Intertechnology的T1120P是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为17至48 PF，暗电流为2至5 nA，上升时间为100 ns.有关T1120P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4 to 12 pFVishay Intertechnology的T1170P是一款光电二极管，波长范围为920 nm，电容为4至12 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为100 ns.有关T1170P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 960 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 5 to 12 pFVishay Intertechnology的T1172P6是一款光电二极管，波长范围为960 nm，电容为5至12 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为625 ns.有关T1172P6的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 810 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.1 to 1.7 pFVishay Intertechnology的T1180P6是一款光电二极管，波长范围为810 nm，电容为1.1至1.7 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为1480 ns.有关T1180P6的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 0.9 to 1.4 pFVishay Intertechnology的T1187P6是一款光电二极管，波长范围为800 nm，电容为0.9至1.4 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为2650 ns.有关T1187P6的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 560 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 730 pFVishay Intertechnology的T1610P是一款光电二极管，波长范围为560 nm，电容为730 PF，暗电流为2至5 nA，上升时间为100 ns.有关T1610P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 560 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 28 pFVishay Intertechnology的T1670P是一款光电二极管，波长范围为560 nm，电容为28 PF，暗电流为0.1至2 nA，上升时间为100 ns.有关T1670P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 570 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 28 pFVishay Intertechnology的T1677P是一款光电二极管，波长范围为570 nm，电容为28 PF，暗电流为0.1至2 nA，上升时间为100 ns.有关T1677P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 570 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 72 pFVishay Intertechnology的T1678P是一款光电二极管，波长范围为570 nm，电容为35至72 PF，暗电流为0.1至2 nA，上升时间为100至415 ns.有关T1678P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 pFVishay Intertechnology的T330P是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3 PF，暗电流为0.1至3 nA，上升时间为4 ns.有关T330P的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 to 3.3 pFVishay Intertechnology的T337P6是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为1.5至3.3 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为550至820 ns.有关T337P6的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 to 3.3 pFVishay Intertechnology的TEFD4300是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为1.2至3.3 PF，暗电流为0.15至3 nA，上升时间为100 ns.有关TEFD4300的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 to 3.3 pFVishay Intertechnology的TEFD4300F是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为1.2至3.3 PF，暗电流为0.15至3 nA，上升时间为100 ns.有关TEFD4300F的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 pFVishay Intertechnology的TEMD1000是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.8 PF，暗电流为1至10 nA，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为4 ns.有关TEMD1000的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 pFVishay Intertechnology的TEMD1020是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.8 PF，暗电流为1至10 nA，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为4 ns.有关TEMD1020的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 pFVishay Intertechnology的TEMD1030是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.8 PF，暗电流为1至10 nA，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为4 ns.有关TEMD1030的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.8 pFVishay Intertechnology的TEMD1040是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为1.8 PF，暗电流为1至10 nA，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为4 ns.有关TEMD1040的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 17 to 48 pFVishay Intertechnology的TEMD5020X01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为17至48 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关TEMD5020X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pFVishay Intertechnology的TEMD5110X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为25至70 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关TEMD5110X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 17 to 48 pFVishay Intertechnology的TEMD5120X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为17至48 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关TEMD5120x01的更多详细信息，请联系我们。
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