• 红外线非线性晶体 - AgGaS2 (AGS) 晶体
    中国大陆
    分类:晶体
    厂商:DIEN TECH
    水晶类型: AgGaS2 (Silver Gallium Sulfide) 相位测量类型: Not Applicable 安装: Mounted 宽度: 5mm 高度: 5mm

    AGS在0.50至13.2µm范围内透明。虽然其非线性光学系数是上述红外晶体中较低的,但在Nd:YAG激光泵浦的OPO中,利用了550nm的高短波长透过率边缘;在覆盖3–12µm范围的二极管、钛宝石、Nd:YAG和红外染料激光器的大量差频混频实验中;在直接红外对抗系统中,以及用于CO2激光器的SHG。薄的AgGaS2(AGS)晶体板是通过使用近红外波长脉冲的差频产生来产生中红外范围的超短脉冲的常用方法。

  • 红外线非线性晶体 - AgGaSe2 (AGSe2) 晶体
    中国大陆
    分类:晶体
    厂商:DIEN TECH
    水晶类型: AgGaSe2 (Silver Gallium Selenide) 相位测量类型: Not Applicable 安装: Mounted 宽度: 8mm 高度: 8mm

    AgSe2 AgGaSe2(AgGa(1-X)InxSe2)晶体具有0.73和18µm的能带边缘。其有用的传输范围(0.9–16µm)和宽相位匹配能力为各种不同激光器泵浦的OPO应用提供了极好的潜力。当用2.05µm的Ho:YLF激光器泵浦时,获得了2.5–12µm的调谐范围;以及在1.4–1.55µm泵浦时在1.9–5.5µm范围内的非临界相位匹配(NCPM)操作。AgGaSe2(AgGaSe)是一种高效的红外CO2激光倍频晶体。

  • 红外线非线性晶体 - CdSe 晶体
    中国大陆
    分类:晶体
    厂商:DIEN TECH
    水晶类型: CdSe (Cadmium Selenide) 相位测量类型: Not Applicable 安装: Unmounted 宽度: 60mm 高度: 60mm

    使用CdSe晶体的激光系统具有明显的优势——更宽的调谐范围。在CdSe参量振荡器输出的差分混频中,获得相位匹配的9.4-24.3µm调谐范围。CdSe晶体在近红外区具有带边,在远红外区具有透射性。由晶格吸收1.5 cm-1@24.3µm确定的长波长极限。还存在以18.5μm为中心的窄杂质吸收,其从一个晶体到另一个晶体变化。CdSe晶体作为一种非线性光学材料,早在20世纪70年代就被用于OPG、OPO和DFG的研究中,首先在10~20μm范围内实现了皮秒量级的可调谐输出,然后在OPG和OPO的基础上分别在8~13μm和7~12μm范围内实现了兆瓦级的峰值功率输出。

  • 红外线非线性晶体GaSe - 1000 晶体
    美国
    分类:晶体
    水晶类型: GaSe 相位测量类型: Type I, Type II 安装: Unmounted 平整度: Not Available 表面质量: Not Available

    GaSe在0.65和18μm处有带边,已成功地用于Co_2激光的高效倍频,脉冲Co_2和化学DF激光(λ=2.36μm)的倍频;Co和CO2激光辐射到可见范围的上转换;通过钕和红外染料激光或(f)-中心激光脉冲的差频混合产生红外脉冲;OPG光产生在3.5–18μm范围内;100–1600μm范围内的高效太赫兹产生。由于材料结构(沿(001)面劈裂)限制了应用领域,因此不可能切割特定相位匹配角度的晶体。

  • 红外线非线性晶体GaSe - 30 晶体
    美国
    分类:晶体
    水晶类型: GaSe 相位测量类型: Type I, Type II 安装: Unmounted 平整度: Not Available 表面质量: Not Available

    GaSe在0.65和18μm处有带边,已成功地用于Co_2激光的高效倍频,脉冲Co_2和化学DF激光(λ=2.36μm)的倍频;Co和CO2激光辐射到可见范围的上转换;通过钕和红外染料激光或(f)-中心激光脉冲的差频混合产生红外脉冲;OPG光产生在3.5–18μm范围内;100–1600μm范围内的高效太赫兹产生。由于材料结构(沿(001)面劈裂)限制了应用领域,因此不可能切割特定相位匹配角度的晶体。

  • 红外线非线性晶体ZGP - 401 晶体
    立陶宛
    分类:晶体
    厂商:EKSMA OPTICS
    水晶类型: ZnGeP2 (ZGP) 相位测量类型: Type I 安装: Unmounted 宽度: 7mm 高度: 5mm

    ZnGeP2(ZGP)晶体具有0.74和12μm的透射带边。然而,它的有效透射范围为1.9-8.6μm和9.6-10.2μm。ZGP晶体具有较大的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值。

  • 红外线非线性晶体ZGP - 403 晶体
    美国
    分类:晶体
    水晶类型: ZnGeP2 (ZGP) 相位测量类型: Type I 安装: Unmounted 宽度: 7mm 高度: 5mm

    ZnGeP2(ZGP)晶体具有0.74和12μm的透射带边。然而,它的有效透射范围为1.9-8.6μm和9.6-10.2μm。ZGP晶体具有较大的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值。

  • 红外线温度传感器-发射器OS101E和OS102E系列 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    探测器类型: Thermal Absorber (thermopile) 光谱范围: 5 - 14 um

    Newport的新型OS100E系列微型红外发射器的测量温度范围为-18至538°C(0至1000°F)。它们由一个远程安装的红外传感头组成,该传感头连接到一个高性能的基于微处理器的信号调节器。微型传感头非常适合在狭窄、难以触及的地方和恶劣环境中测量温度。传感头通过1.8米(6)屏蔽电缆连接到主电子外壳。信号调节器的主要电子设备安装在坚固的NEMA 4(IP65)级压铸铝外壳中。型号OS102E包括一个可在°C和°F之间切换的内置LED显示屏。标准功能包括可调发射率、现场可调报警输出和RS232 PC接口。该装置具有模拟输出,如4至20 mA、0/5 VDC、0/10 VDC、1 MV/度和K型热电偶。

  • 红外线ZnSe窗口 光学窗口片
    中国大陆
    分类:光学窗口片
    厂商:BRD Optical Ltd
    基底材料: ZnSe 抗反射涂层: Coated 直径: 25mm 表面质量: 60/40 表面平整度: Other

    硒化锌(ZnSe)是一种相对较软的材料,容易划伤,不建议在恶劣环境中使用,因为其努氏硬度仅为120。搬运时,施加均匀的压力,并戴上乳胶手指套或手套,以防止污染。BRD OPTICAL公司生产的各种硒化锌窗材出口国外。在下主订单之前,我们可以寄样品给客户检查质量。现在我们有许多不同的ZnSe窗口库存。

  • InGaAs雪崩光电二极管2.5Gbps 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Go!Foton
    APD 类型: InGaAs 工作波长: 1550nm 工作波长范围: 1000 - 1625 nm

    走!Foton的雪崩光电二极管(APD),前照式,适用于G-PON/Ge-PON中的2.5 Gbps应用。这种InGaAs APD具有高可靠性的平面结构。

  • 砷化镓雪崩光电二极管IAG-系列 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    APD 类型: InGaAs 工作波长: 1550nm 工作波长范围: 1000 - 1630 nm

    IAG系列雪崩光电二极管是较大的商用InGaAsAPD,在1000至1630nm波长范围内具有高响应度和极快的上升和下降时间。1550nm处的峰值响应度非常适合人眼安全的测距应用。

  • InGaAs雪崩光电二极管KPDEA005-56F 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    APD 类型: InGaAs 工作波长: 1310nm 工作波长范围: 1310 - 1550 nm

    InGaAs雪崩光电二极管。

  • 砷化镓雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    APD 类型: InGaAs 工作波长: 1300nm 工作波长范围: 1000 - 1630 nm

    InGaAs雪崩光电二极管

  • 砷化镓雪崩光电二极管KPDEA007-56F 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    APD 类型: InGaAs 工作波长: 1310nm 工作波长范围: 1310 - 1550 nm

    InGaAs雪崩光电二极管。

  • 砷化镓相机C12741-03 科学和工业相机
    日本
    相机类型: Industrial, Scientific, Military 阵列类型: InGaAs 光谱带: 0.95 - 1.7 um # 像素(高度): 650 # 像素(宽度): 512

    C12741-03是一款InGaAs相机,在950 nm至1700 nm的近红外区域具有高灵敏度。它具有模拟输出(EIA)和支持14位图像采集和曝光时间调整的USB 3.0接口端口。

  • 砷化镓相机C12741-11 科学和工业相机
    日本
    相机类型: Industrial, Scientific 阵列类型: InGaAs 光谱带: 0.95 - 1.7 um # 像素(高度): 640 # 像素(宽度): 512

    C12741-11是一款采用640×512像素InGaAs传感器的近红外相机。-70˚C珀耳帖冷却显著降低暗电流,从而提高图像质量,并允许长时间曝光成像。与CCD或CMOS相机不同,C12741-11可以检测具有高信噪比的微弱红外光。

  • 砷化镓相机C14041-10U 科学和工业相机
    日本
    相机类型: Industrial, Scientific 阵列类型: InGaAs 光谱带: 0.95 - 1.7 um # 像素(高度): 320 # 像素(宽度): 256

    C14041-10U是一款InGaAs相机,在950 nm至1700 nm的近红外区域具有高灵敏度。它有一个USB 3.0接口,支持14位图像采集和曝光时间调整。

  • InGaAs光电二极管IG17-系列 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:Laser Components
    二极管类型: InGaAs

    IG17系列是一款全色PIN光电二极管,标称截止波长为1.7um。该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。它具有出色的分流电阻,并在宽范围内具有出色的响应度。

  • 内联法布里-珀特可调谐滤波器 光纤可调滤波器
    加拿大
    厂商:OZ Optics
    工作波长范围: 1520 - 1570 nm 自由光谱范围: 15000GHz 清晰度: 500 带宽: 30GHz 插入损耗: 2.5dB

    内嵌法布里-珀罗可调谐滤波器简单而优雅的设计关键在于无透镜全光纤结构。没有准直光学器件或透镜,因此内联Fabry-Perot可调谐滤波器消除了其他Fabry-Perot组件技术的缺陷,包括未对准、环境敏感性和无关模式。内嵌法布里-珀罗可调谐滤波器非常接近艾里函数,因此工程师可以将其设计到光电OEM系统中,因为他们知道它将提供与理论数学模型相匹配的结果。

  • InPhochelle 670 高分辨率、宽范围、高通量、紧凑型拉曼系统 光谱仪
    美国
    分类:光谱仪
    厂商:InPhotonics Inc
    激发波长: 670nm 范围: 3500 - 100 cm^-1 决议: 2cm^-1

    “Inphochelle”是一种紧凑型拉曼仪器,在整个光谱范围(200-3500cm-1)内提供高分辨率(低至2cm-1)。该设计采用快速f/2.8光学器件,以实现出色的吞吐量。光谱采集速度快,可重复性高。由于先进的活动部件是快门,因此该仪器非常坚固。3级冷却CCD的工作温度为-55°C,具有出色的灵敏度、光谱稳定性和低背景噪声。“Inphochelle”有两种标准配置可供选择,激光选择为670或785nm激发。该系统包括Inphotonics公司的数据采集包和在个人电脑、笔记本电脑或上网本上运行的GRAMS人工智能操作软件。较简单的配置利用Inphotonics Raman探针进行正常的化学表征。用于过程控制和高温应用的各种光纤拉曼探头支持更复杂的应用。