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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 3.0µm, 3.4µm, 4.0µm, 5.0µm, 6.0µm, 8.0µm, 10.6µm 探测率D*(λpeak): ≥3.0×10^11cm·Hz1/2/W, ≥9.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥6.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥4.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^9cm·Hz1/2/W, ≥5.0×10^8cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt): ≥1.0×10^11cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥4.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥1.0×10^10cm·Hz1/2/W, ≥4.0×10^9cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8cm·Hz1/2/W, ≥1.5×10^8cm·Hz1/2/W 电流响应度Ri(λopt): ≥0.5A/W, ≥0.8A/W, ≥1.0A/W, ≥1.3A/W, ≥1.5A/W, ≥1.0A/W, ≥0.7A/W
PV-3TE系列特征为基于复杂HgCdTe异质结构的三阶段热电冷却红外光伏探测器,具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以获得最大性能。可根据要求优化截止波长。反向偏压可能显著提高响应速度和动态范围。它还可以改善高频性能,但偏置设备中出现的1/f噪声可能会降低低频性能。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)或锌硒化物抗反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰效应。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0-6.0 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥5.0×1010, ≥5.0×1010, ≥3.0×1010, ≥1.5×1010, ≥8.0×109 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥5.0×1010, ≥4.5×1010, ≥2.0×1010, ≥9.0×109, ≥4.0×109 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5, ≥0.8, ≥1.0
PVI series特征为非制冷红外光伏探测器,基于复杂的HgCdTe异质结构,具有最佳性能和稳定性,通过光学浸没以改善设备参数。探测器针对λopt的最大性能进行了优化。可以根据要求优化截止波长。反向偏压可以显著提高响应速度和动态范围,也提高高频性能,但偏置设备中的1/f噪声可能会降低低频性能。,非制冷红外光伏探测器,适用于红外成像、光谱测量、环境监测和工业过程控制。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0, 3.4, 4.0, 5.0, 6.0, 8.0, 10.6 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥3.0×1011, ≥2.0×1011, ≥1.0×1011, ≥4.0×1010, ≥9.0×109, ≥5.0×108, ≥4.0×108 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥1.5×1011, ≥1.0×1011, ≥6.0×1010, ≥1.5×1010, ≥5.0×109, ≥4.0×108, ≥2.0×108 电流响应度Ri(λopt), A/W: ≥0.5, ≥0.8, ≥1.0, ≥1.3, ≥1.5, ≥1.5, ≥0.5
PV-4TE 系列产品具有四级热电冷却红外光伏探测器,基于复杂的 HgCdTe 异质结构,旨在提供最佳性能和稳定性。这些设备针对 λopt 达到最大性能进行了优化。切入波长可以根据需求进行优化。反向偏压可能显著增加响应速度和动态范围。它还提高了高频性能,但在有偏压的设备中出现的 1/f 噪声可能会降低低频性能。3° 楔形蓝宝石 (wAl2O3) 或锌硒化物抗反射镀膜 (wZnSeAR) 窗口可防止不必要的干扰效应。
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探测器类型: PV-2TE-3 PV-2TE-3.4 PV-2TE-4 PV-2TE-5 PV-2TE-6 PV-2TE-8 PV-2TE-10.6 活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 3.0 3.4 4.0 5.0 6.0 8.0 10.6 探测率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W: ≥1.0×10^11 ≥6.0×10^10 ≥4.0×10^10 ≥1.5×10^10 ≥5.0×10^9 ≥4.0×10^8 ≥2.0×10^8 探测率D*(λopt), cm·Hz1/2/W: ≥7.0×10^10 ≥4.0×10^10 ≥3.0×10^10 ≥9.0×10^9 ≥2.0×10^9 ≥2.0×10^8 ≥1.0×10^8
PV-2TE系列具有两级热电冷却红外光伏探测器,基于复杂的HgCdTe异质结构,提供最佳性能和稳定性。设备针对最大性能进行了优化,λopt可根据需求优化。反向偏压可显著提高响应速度和动态范围,在高频下性能更佳,但在低频下可能会因1/f噪声降低性能。3°楔形蓝宝石(wAl2O3)或锌硒化物抗反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰效应。
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中心波长: 3.34µm (CH1), 4.26µm (CH2), 4.47µm (CH3), 4.71µm (CH4) 滤波器带宽: 130±20nm (CH1), 180±20nm (CH2), 80±20nm (CH3), 100±20nm (CH4) 探测率D*: ≥2.4×10^9cm·Hz1/2/W (CH1), ≥2.4×10^9cm·Hz1/2/W (CH2), ≥2.3×10^9cm·Hz1/2/W (CH3), ≥2.0×10^9cm·Hz1/2/W (CH4) 输出噪声密度: ≤700nV/Hz1/2 电压响应度: ≥1.4×10^4V/W (CH1, CH2, CH3), ≥1.1×10^4V/W (CH4)
4EF-5是一款多波段四通道红外检测模块。它采用热电制冷光伏多结四元素2×2阵列探测器,基于InAsSb异质结构,集成有四通道跨导预放大器和热电制冷器控制器。该模块使用四个带通滤波器,中心波长分别为:3.34 µm (CH1)、4.26 µm (CH2)、4.47 µm (CH3) 和 4.71 µm (CH4)。4EF-5适用于检测常见气体。
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截止波长: 3.0±1.0µm 峰值波长: 5.2±0.5µm 最佳波长: 6.0µm 截止波长(10%): 6.7±0.3µm 探测率D*(λpeak, 25 kV/A): ≥1.0×1010cm·Hz1/2/W
LabM-I-6-01是一款基于HgCdTe异质结构的实验室红外检测模块,集成了跨阻放大器和可编程前置放大器。3°楔形硒化锌抗反射涂层窗口防止不必要的干扰效应。该模块需要可编程的“智能”VIGO热电冷却器控制器PTCC-01(单独销售)和Smart Manager软件(免费软件)才能正常运行。LabM-I-6-01模块配备了PTCC-01和Smart Manager,是各种中红外应用中原型设计和研发阶段的最佳解决方案。该套件为系统设计人员提供了灵活的解决方案。
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探测器类型: Type II superlattice, two-stage thermoelectrically cooled, photoconductive detector 活性元件材料: epitaxial superlattice heterostructure 截止波长λcut-on(10%): 1.6±0.2µm 峰值波长λpeak: 6.2±0.3µm 截止波长λcut-off(10%): 11.0±0.3µm
PCAS-2TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 是一种二类超晶格双级热电冷却红外光电导探测器,具有出色的参数。光电导探测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,低频性能降低。带有楔形锌硒化物防反射涂层窗口(wZnSeAR)的3°窗口可防止不需要的干扰效应。对于连续波辐射的检测,建议使用光学切断系统。该探测器不含汞或镉,并符合RoHS指令。
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截止波长(10%): 2.4±0.5µm 峰值波长: 3.5±0.5µm 最佳波长: 4.0µm 截止波长(10%): 4.3±0.3µm 探测率D*: ≥2.0×10^10cm·Hz1/2/W
LabM-I-4是一款实验室红外检测模块,采用基于HgCdTe异质结构的光学浸入式光伏探测器,集成了跨导可编程前置放大器。3°角度的蓝宝石窗口防止了不必要的干扰效应。为了正常运行,需要使用可编程的“智能” VIGO 热电制冷器控制器 PTCC-01(需另外购买)和免费的Smart Manager软件。LabM-I-4模块附带PTCC-01和Smart Manager软件,是各种中波红外应用的原型设计和研发阶段的最佳解决方案。该套件为系统设计者提供了灵活的选择。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 9.0, 10.6, 12.0, 13.0 探测率: ≥1.5×109, ≥4.5×108, ≥1.8×108, ≥1.2×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥1.0×109, ≥2.5×108, ≥9.0×107, ≥6.0×107 电流响应率-活动面积长度积: ≥0.075, ≥0.02, ≥0.01, ≥0.007
PC-3TE系列采用三阶热电制冷红外光电导探测器,基于复杂的HgCdTe异质结构,具有最佳性能和稳定性。设备针对最大性能在λopt进行了优化,需在最佳偏置电压和电流读取模式下运行。低频性能因1/f噪声而降低,1/f噪声拐点频率随截止波长增加而增加。3°楔形硒化锌抗反射镀膜窗口可防止不必要的干扰效应。
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探测器类型: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0 µm, 6.0 µm, 9.0 µm, 10.6 µm 探测率D*(λpeak, 20kHz): ≥1.5×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥7.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥1.9×10^7 cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt, 20kHz): ≥1.0×10^9 cm·Hz1/2/W, ≥3.0×10^8 cm·Hz1/2/W, ≥2.0×10^7 cm·Hz1/2/W, ≥9.0×10^6 cm·Hz1/2/W 电流响应度-有效面积长度乘积: ≥0.07 A·mm/W, ≥0.02 A·mm/W, ≥0.003 A·mm/W, ≥0.001 A·mm/W
PC系列特征为使用复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光电导探测器,具有最佳性能和稳定性。设备在λopt处优化以达到最大性能,应在最佳偏置电压和电流读取模式下操作。低频性能因1/f噪声而降低,1/f噪声拐点频率随截止波长增加。