近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

产品型号 :SOM 这种光纤调制器是一种高速（纳秒）、高动态范围、高消光比的光源模块。 它是一种波长范围在750 至 1700 nm 的低噪声、无损的器件。 在上面的数据表或表格图像中选择您的波长。 它是一个非常紧凑的基于 SOA 的单元，针对单发脉冲到连续模式输出性能进行了优化，其脉冲宽度低至 1.5 纳秒。 该光纤调制器可提供由板载脉冲发生器在内部生成的精确脉冲，或根据需要由外部 TTL 信号生成。 SOM（半导体光调制器）可以与 AOM、EOM 或直接半导体激光管调制器进行比较。 SOM 可保持输入连续信号的窄光线宽，同时产生非常短的脉冲。 它是先进满足可靠、稳定和高效光纤耦合强度调制所有限制的光源模块。

产品型号 :1030LD 这些光纤耦合 1030 nm 半导体激光管作为现货提供，或应用于连续或脉冲半导体激光管驱动器。 它们可与低噪声连续或高速纳秒脉冲驱动器兼容（向下滚动查看所有版本）。 这些带有TEC温控器的交钥匙激光模块提供开放式或集成式版本。 1030 nm 激光二极管可以在高达 1.2 W 的纳秒脉冲范围内达到高功率。大多数交钥匙二极管+驱动器解决方案都针对单次到 CW 性能进行了优化，脉冲宽度长度低至 1 纳秒。 此类光源模块可输出由内部板载脉冲发生器或外部TTL电平触发的高精度1030nm激光脉冲。

产品型号 :976LD 这些带光连接器的光纤耦合 976 nm 半导体激光管提供现货，可与 CW 或脉冲半导体激光管驱动器连用。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器或 CW 驱动器兼容。 Yb 3+或 Er 3+泵浦应用中（布拉格光栅技术），模块的发射带宽很窄。 大多数 976 nm 半导体激光管 + 驱动器解决方案被用来优化单发至 CW 性能，脉冲宽度低至 1 纳秒。 976 nm 半导体激光管由内部的板载脉冲发生器或外部 TTL 信号提供精确脉冲，纳秒脉冲模式下功率高达1500 mW。 5 种多模版本106 µm多模光纤 (NA=0.22) 下CW 发射功率高达140 W 。 每个半导体激光管都有自己的光连接器：FC/APC 用于单模版本，高功率 SMA905 用于多模版本。

来自APE Angewandte Physik&Elektronik的PicoEmerald是一种可调谐/红外光束皮秒激光器，工作波长为700至1950 nm.它在800nm处提供超过700mW的输出功率，脉冲宽度为2ps，脉冲重复频率为80MHz.该线偏振激光器具有水平辐射图案和超过100∶1的偏振比。它具有集成的延迟管理（GDD色散补偿输出）功能，即使对于外部光学器件，也可以完美地调整IR和信号光束之间的时间延迟，以处理不同波长的色散差异。每次皮秒激光器被调谐到新的信号波长时，IR光束的延迟被自动调节，以在输出端口或外部实验位置处实现信号和IR脉冲之间的时间重叠。通过有限元分析和机械稳定性算法（未对准稳定性优化）对PicoEmerald进行优化。它还具有主动腔控制功能，可持续最大化集成光学参量振荡器的效率。激光器配有内部闭环冷却器，以确保稳定运行。它是相干反斯托克斯拉曼光谱（CARS）、受激拉曼光谱（SRS）、二次谐波成像（SHG）、泵浦-探测光谱、振动探针的SRS显微镜和表面增强超拉曼光谱（SEHRS）应用的理想选择。

Menhir Photonics的Menhir-1550系列是飞秒激光源，工作波长为1560 nm.它们提供高达2W的平均功率，高达4kW的峰值功率，并且具有高达1nJ的脉冲能量。这些激光源是线性偏振的，并且具有小于200fs的脉冲宽度。它们需要5-24 V的直流电源，功耗高达50 W.这些激光源具有出色的可靠性和孤子锁模的低噪声性能，并支持USB、RS232、以太网和CAN接口。这些器件采用密封封装，尺寸为240 X 160 X 89立方毫米，非常适合光通信、精密微波、THz生成、放大器种子、时序分配、频率梳和A/D转换器应用。

Cronus-3P From Light Conversion是一种基于光学参量振荡器的激光源，工作波长为1250至1800nm.输出功率超过1500mW，脉冲宽度小于85fs，单脉冲重复频率为2MHz.该飞秒脉冲激光器具有1.5-2.5mm的光束直径和小于1mrad的光束发散度。它在1250~1800nm范围内可调，覆盖了三光子显微镜（3PEF）的1.3μm和1.7μm的生物透明窗口。该激光器具有集成群延迟色散（GDD）补偿技术，可确保样品的最佳脉冲持续时间和可选的自动光束控制，以保证激光指向稳定性。它还具有自动色散补偿和自动光束大小调整和准直功能。激光源可在模块中使用，是高级非线性显微镜的理想选择。

Oxide公司的脉冲紫外光纤激光器是一种紧凑型紫外脉冲激光器，工作波长为355 nm，重复频率为50 kHz.它的平均输出功率为80兆瓦，峰值功率高达1.6千瓦。激光器提供1.6µJ的脉冲能量，脉冲宽度为1 ns.它是水下检测、拉曼光谱和传感（激光雷达）应用的理想选择。光纤激光器的尺寸为120 X 27 X 120 mm3，转换器的尺寸为36 X 36 X 56 mm3。

HÜBNER Photonics的Cobolt TOR系列是Q开关二极管泵浦激光器，工作波长为355、532和1064 nm.它们的平均输出功率超过1W，峰值功率超过30kW.这些线性偏振激光器具有高达7kHz的脉冲重复率和3-5ns的脉冲宽度。它们需要15 V的直流电源，电流消耗高达6 A.这些激光器的精密腔体设计提供了高脉冲重复率、短脉冲长度和高质量光束中出色的脉冲到脉冲稳定性的独特组合。它们支持用于串行通信的USB和RS-232接口。COBOLT TOR系列采用COBOLT独特的HTCURE技术制造，具有无与伦比的坚固性和可靠性，非常适合OEM集成到要求苛刻的环境中。这些激光器配备了脉冲计数反馈回路，以确保输出功率和重复率的最小漂移，并提供脉冲触发输出信号，以方便检测系统的同步。它们采用带有SMA连接器的紧凑型模块，是LIBS、显微解剖、MALDI-TOF、测距、拉曼激光雷达、微加工以及工业和科学应用的理想选择。

来自HÜBNER Photonics的Cobolt Tor Xe 532 nm是一种Q开关二极管泵浦激光器，工作波长为532 nm.它提供超过75千瓦的峰值功率，长期稳定性高达3%。该空间模式（TEM00）激光器提供250μJ的脉冲能量，脉冲宽度高达2 ns，通过外部或内部触发器控制从单脉冲到1 kHz的重复频率。它产生直径为0.4mm的光束，光束发散度为5mrad，M2因子小于1.3。该线性和垂直偏振激光器需要12V的DC电源，并且消耗6.67A的电流。它可以通过USB接口进行控制。Cobolt Tor Xe 532 nm基于专有的HTCURE技术，提供卓越的坚固性和可靠性，使其适合OEM集成到要求苛刻的环境中。它采用尺寸为50 X 70 X 144 mm的紧凑型密封激光头模块和SMB连接器。它是LIBS、显微解剖、MALDI-TOF、测距、拉曼激光雷达、微加工、激光打标、光声学和其他工业和科学应用的理想光源。

HÜBNER Photonics公司的Cobolt Tor Xe是一种Q开关纳秒脉冲激光器，工作波长为1064 nm.它的平均输出功率为500mW，峰值功率超过125kW。该线性偏振激光器具有高达1kHz的脉冲重复率和2.5ns的脉冲宽度。它需要12 V的直流电源，功耗高达55 W.激光器支持USB和RS-232串行通信接口。Cobolt Tor Xe采用Cobolt独特的HTCURE技术制造，具有无与伦比的坚固性和可靠性，非常适合OEM集成到要求苛刻的环境中。该激光器采用带有SMB连接器的紧凑型模块，是LIBS、显微解剖、MALDI-TOF、测距、拉曼激光雷达、微加工以及工业和科学应用的理想选择。

Excelitas Technologies的TPG2EW1S09是一款GaAs脉冲半导体激光二极管，工作波长为895至925 nm.该激光器的峰值功率为85W，功率斜率为3W/A，光谱宽度（FWHM）为10nm，脉冲宽度为100ns.它的正向电压为13.5 V，阈值电流高达1.5 A.该激光二极管采用多层单片芯片设计，并在GaAs结构上制造。它采用类似于TO的T1¾通孔塑料封装，非常适合激光雷达/飞行时间测量、激光测距、激光扫描/UGV、红外夜间照明、激光治疗、医疗和分析应用中的材料激发。

OSI Laser Diode的CVN 63-90ECL是一款集成微透镜的脉冲激光二极管，工作波长为895至915 nm.该激光器的脉冲宽度为100纳秒，峰值功率超过75瓦，同时消耗30 A的输入电流。它为发射的快轴（垂直轴）和慢轴（平行轴）提供了具有等效发散值（8×8 FWHM）的远场光束模式。经调整的远场图案提供进入标准球面透镜系统的较高耦合效率。这款符合RoHS标准的激光器/透镜采用9毫米密封封装，是关键国防应用（如现场部署的测距仪）的理想选择。

来自Ushio Opto Semiconductors的HL67191MG_192MG是670nm AlGaInP激光二极管。该激光二极管提供16mW的光输出功率并实现32mW的脉冲光输出功率。脉冲宽度小于50ns，占空比小于50%。激光二极管需要2.70 V的DC电压，并且具有高达30 mA的阈值电流。该器件采用φ5.6mm小型CAN封装，非常适合传感和测量应用。

Aerodiode的Centrale是一个激光二极管驱动器，输出电流为0至1.5 A，脉冲宽度为1 ns，重复频率为0至250 MHz.有关Centrale的更多详细信息，请联系我们。

Aerodiode公司的Multidiode是一种激光二极管驱动器，输出电流为0至4 A，脉冲宽度为1 ns，重复频率为0至250 MHz.有关MultiDiode的更多详细信息，请联系我们。

Aerodiode的整形器是一个激光二极管驱动器，其恒流输出电压为1~5 V，输出电流为0~1.6 A，脉冲宽度为0.5~8000 ns，输出电压为1~5 V，重复频率为0~20 MHz.Shaper的更多细节可以在下面看到。