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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
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激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable
近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。
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波长: 355nm 平均值功率: 0.300W 重复频率: 0 - 0.02 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%
QUANTAS-Q2-355是来自Quantum Light Instruments的高能量Q开关355nm二极管泵浦固态(DPSS)激光器。该风冷Q开关系列激光器设计用于需要高峰值功率脉冲的广泛应用。由于短激光腔和Nd:YAG晶体的出色热性能,QUANTAS-Q2-355可提供20mJ@8Hz的脉冲能量。RMS抖动<0.5 ns的高速触发脉冲(相对于泵浦二极管触发脉冲的下降沿)。内部和外部触发使该激光器成为各种高速应用的理想选择。Quantas-Q2-355激光器通过内置以太网端口进行控制,并可选择添加Wi-Fi适配器,允许用户远程监控和控制激光器。其他选项包括用于基波波长的可连接衰减器、可连接脉冲能量监测器等。
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波长: 527nm 平均值功率: 0.350W 重复频率: 0 - 0.01 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%
QUANTAS-Q2-527是来自Quantum Light Instruments的高能量调Q 527nm二极管泵浦固态(DPSS)激光器。该风冷、调Q系列激光器设计用于需要高峰值功率脉冲的广泛应用。由于Nd:YAG晶体的短激光腔和出色的热性能,QUANTAS-Q2-527可提供40mJ@8Hz的脉冲能量。RMS抖动<0.5 ns的高速触发脉冲(相对于泵浦二极管触发脉冲的下降沿)。内部和外部触发使该激光器成为各种高速应用的理想选择。Quantas-Q2-527激光器通过内置以太网端口进行控制,并可选择添加Wi-Fi适配器,允许用户远程监控和控制激光器。其他选项包括用于基波波长的可连接衰减器、可连接脉冲能量监测器等。
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波长: 532nm 平均值功率: 0.500W 重复频率: 0 - 10 kHz 脉宽: 8ns 脉冲间稳定性: 0.7%
QUANTAS-Q2-532是Quantum Light Instruments推出的一款高能量调Q 532nm二极管泵浦固态(DPSS)激光器。该风冷、调Q系列激光器设计用于需要高峰值功率脉冲的广泛应用。由于激光腔较短且Nd:YAG晶体具有出色的热性能,QUANTAS-Q2-532可提供40mJ@8Hz的脉冲能量。RMS抖动<0.5 ns的高速触发脉冲(相对于泵浦二极管触发脉冲的下降沿)。内部和外部触发使该激光器成为各种高速应用的理想选择。Quantas-Q2-532激光器通过内置以太网端口进行控制,并可选择添加Wi-Fi适配器,允许用户远程监控和控制激光器。其他选项包括用于基波波长的可连接衰减器、可连接脉冲能量监测器等。
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波长: 1064nm 平均值功率: 0.225W 重复频率: 0.001 - 15 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 1.3ns
我们Microchip系列的SB1-1064-15-15是一款短纳秒脉冲、15uJ、低SWAP、超紧凑、10 kHz–15 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser推出了全新的、完全重新设计的一体化SB1型号,进一步推动了其独特的微芯片激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计,Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备合并到一个高度集成且坚固耐用的激光封装中。在保持同样出色的激光输出性能的同时,SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置,范围从236.5nm到1064nm,提供高达80µJ的脉冲能量,脉冲持续时间从几ns到350ps,工厂设置的重复率从单次到100kHz,并且能够产生窄线宽的单频操作,M^2<1.3,脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换,在不同波长之间共享相同的外形尺寸和电气及软件接口,使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。
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波长: 1064nm 平均值功率: 0.200W 重复频率: 0.001 - 100 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 0.4ns
我们的Microchip系列的SB1-1064-2-100是一款短纳秒脉冲、2uJ、低SWAP、超紧凑、100 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Microchip系列可在1064、946、532、473、355、266和236.5nm下使用,能够产生窄线宽的单频操作,M^2<1.3,脉冲间不稳定性<3%。Microchip系列标配MLD-019激光控制器,可提供高度监测和控制以及实时反馈。Microchip激光器系列可进行定制,以满足各种应用要求。Microchip激光器系列目前在该领域拥有超过3,000台设备,已被证明是一种多功能、可靠的激光器解决方案,适用于从天基LIBS到3D扫描和激光播种的广泛应用。
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波长: 1064nm 平均值功率: 0.110W 重复频率: 0.001 - 55 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 0.47ns
我们Microchip系列的SB1-1064-2-55是一款短纳秒脉冲、2UJ、低SWAP、超紧凑、55 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser通过全新重新设计的一体化SB1型号进一步推动了其独特的Microchip激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计,Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备合并到一个单元中,高度集成且坚固耐用的激光器封装。同时保持同样出色的激光输出性能。SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置,范围从236.5nm到1064nm,提供高达80µJ的脉冲能量,脉冲持续时间从几ns到350ps,工厂设置的重复率从单次到100kHz,并且能够产生窄线宽的单频操作,M^2<1.3,脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换,在不同波长上共享相同的外形尺寸以及电气和软件接口,使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。
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波长: 1064nm 平均值功率: 0.200W 重复频率: 1 - 10 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 1.3ns
我们Microchip系列的SB1-1064-20-10是一款短纳秒脉冲、20uJ、低SWAP、超紧凑、10 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser通过全新重新设计的一体化SB1型号进一步推动了其独特的Microchip激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计,Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备合并到一个单元中,高度集成且坚固耐用的激光器封装。在保持同样出色的激光输出性能的同时,SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置,范围从236.5nm到1064nm,提供高达80µJ的脉冲能量,脉冲持续时间从几ns到350ps,工厂设置的重复率从单次到100kHz,并且能够产生窄线宽的单频操作,M^2<1.3,脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换,在不同波长之间共享相同的外形尺寸和电气及软件接口,使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。
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波长: 1064nm 平均值功率: 0.150W 重复频率: 0.001 - 5 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 1.3ns
我们Microchip系列的SB1-1064-30-5是一款短纳秒脉冲、30uJ、低SWAP、超紧凑、5 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser通过全新重新设计的一体化SB1型号进一步推动了其独特的Microchip激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计,Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备整合到一个高度集成且坚固耐用的激光封装中。在保持同样出色的激光输出性能的同时,SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置,范围从236.5nm到1064nm,提供高达80µJ的脉冲能量,脉冲持续时间从几ns到350ps,工厂设置的重复率从单次到100kHz,并且能够产生窄线宽的单频操作,M^2<1.3,脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换,在不同波长之间共享相同的外形尺寸和电气及软件接口,使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。
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波长: 1064nm 平均值功率: 0.6W 重复频率: 0.001 - 1 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 1.3ns
我们Microchip系列的SB1-1064-40-1是一款短纳秒脉冲、40uJ、低SWAP、超紧凑、1 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser推出了全新的、完全重新设计的一体化SB1型号,进一步推动了其独特的微芯片激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计,Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备合并到一个单元中,高度集成且坚固耐用的激光器封装。同时保持同样出色的激光输出性能。SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置,范围从236.5nm到1064nm,提供高达80µJ的脉冲能量,脉冲持续时间从几ns到350ps,工厂设置的重复率从单次到100kHz,并且能够产生窄线宽的单频操作,M^2<1.3,脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换,在不同波长之间共享相同的外形尺寸和电气及软件接口,使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。
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波长: 266nm 平均值功率: 0.001W 重复频率: 1 - 10 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 1.3ns
我们Microchip系列的SB1-266-0.5-10是一款短纳秒脉冲、500nJ、低SWAP、超紧凑、1kHz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser推出了全新的、完全重新设计的一体化SB1型号,进一步推动了其独特的微芯片激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计,Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备合并到一个单元中,高度集成且坚固耐用的激光器封装。同时保持同样出色的激光输出性能。SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置,范围从236.5nm到1064nm,提供高达80µJ的脉冲能量,脉冲持续时间从几ns到350ps,工厂设置的重复率从单次到100kHz,并且能够产生窄线宽的单频操作,M^2<1.3,脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换,在不同波长之间共享相同的外形尺寸和电气及软件接口,使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。
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波长: 473nm 平均值功率: 0.015W 重复频率: 1 - 5 kHz 空间模式: 1.3 脉宽: 2.5ns
SB1-473-3-5微芯片激光器是一种短纳秒脉冲、3uJ、低SWAP、超紧凑、5 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser推出了全新的、完全重新设计的一体化SB1型号,进一步推动了其独特的微芯片激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计,Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备合并到一个高度集成且坚固耐用的激光封装中。同时保持同样出色的激光输出性能。SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置,范围从236.5nm到1064nm,提供高达80µJ的脉冲能量,脉冲持续时间从几ns到350ps,工厂设置的重复率从单次到100kHz,并且能够产生窄线宽的单频操作,M^2<1.5,脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换,在不同波长之间共享相同的外形尺寸和电气及软件接口,使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。
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波长: 473nm 平均值功率: 0.009W 重复频率: 0.001 - 100 kHz 空间模式: 1.5 脉宽: 2.0ns
SB1-473-9-0.1微芯片激光器是一种短纳秒脉冲、9uJ、低SWAP、超紧凑、100 Hz、被动调Q的DPSS激光器。Bright MicroLaser推出了全新的、完全重新设计的一体化SB1型号,进一步推动了其独特的微芯片激光技术。得益于其先进的光学、机械和电子设计,Bright MicroLaser能够将光学腔以及驱动和监控电子设备合并到一个高度集成且坚固耐用的激光封装中。在保持同样出色的激光输出性能的同时,SB1型号在不同的输出波长下提供28种标准配置,范围从236.5nm到1064nm,提供高达80µJ的脉冲能量,脉冲持续时间从几ns到350ps,工厂设置的重复率从单次到10kHz,并且能够产生窄线宽的单频操作,M^1.5<2,脉冲到脉冲不稳定性<3%。所有这些型号均可互换,在不同波长之间共享相同的外形尺寸和电气及软件接口,使其成为希望探索新应用的系统集成商的灵活通用解决方案。