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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 20 pF 暗电流: 0.05 to 5 nAOSI Laser Diode，Inc.的SC-4D是一款光电二极管，波长范围670 nm，电容20 PF，暗电流0.05至5 nA，响应度/光敏度0.35至0.42 A/W，上升时间0.66µs.有关SC-4D的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3900 pF 暗电流: 0.25 to 250 nAOSI Laser Diode，Inc.的SC-50D是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为3900 PF，暗电流为0.25至250 nA，响应度/光敏度为0.35至0.42 A/W，上升时间为5µs.有关SC-50D的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 15 to 25 pFOSI Laser Diode，Inc.的SL15是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为15至25 PF，暗电流为150至300 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.6µs.有关SL15的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 to 7 pF 暗电流: 5 to 50 nAOSI Laser Diode，Inc.的SL3-1是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为3至7 PF，暗电流为5至50 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.04µs.有关SL3-1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 to 7 pFOSI Laser Diode，Inc.的SL3-2是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为3至7 PF，暗电流为5至50 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.04µs.有关SL3-2的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 125 to 150 pF 暗电流: 150 to 1000 nAOSI Laser Diode，Inc.的SL30是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为125至150 PF，暗电流为150至1000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为1µs.有关SL30的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 5 to 9 pF 暗电流: 10 to 100 nAOSI Laser Diode，Inc.的SL5-1是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为5至9 PF，暗电流为10至100 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.1µs.有关SL5-1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 5 to 9 pFOSI Laser Diode，Inc.的SL5-2是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为5至9 PF，暗电流为10至100 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.1µs.有关SL5-2的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 190 to 250 pF 暗电流: 100 to 1000 nAOSI Laser Diode，Inc.的SL76-1是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为190至250 PF，暗电流为100至1000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为14µs.有关SL76-1的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 1000 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 12 pF 暗电流: 25 to 100 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-11-YAG-FL是波长范围为1000nm、电容为12pF、暗电流为25至100nA、响应度/光敏度为0.40A/W、上升时间为15ns的光电二极管。有关SPOT-11-YAG-FL的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 1000 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 15 pF 暗电流: 30 to 200 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-13-YAG-FL是波长范围为1000nm、电容为15pF、暗电流为30至200nA、响应度/光敏度为0.40A/W、上升时间为15ns的光电二极管。有关SPOT-13-YAG-FL的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 1000 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 15 pF 暗电流: 1000 to 3000 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的SPOT-15-YAG是波长范围为1000nm、电容为15pF、暗电流为1000至3000nA、响应度/光敏度为0.60A/W、上升时间为36ns的光电二极管。SPOT-15-YAG的更多细节可以在下面看到。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 11 pF 暗电流: 0.15 to 2 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-2D是波长范围为970nm、电容为11pF、暗电流为0.15至2nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为22ns的光电二极管。SPOT-2D的更多细节可以在下面看到。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF 暗电流: 0.05 to 1 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-2DMI是波长范围为970nm、电容为3pF、暗电流为0.05至1nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为11ns的光电二极管。有关SPOT-2DMI的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 7 pF 暗电流: 0.13 to 2 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-3D是波长范围为970nm、电容为7pF、暗电流为0.13至2nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为25ns的光电二极管。SPOT-3D的更多细节可以在下面看到。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 0.10 to 1 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-4D是波长范围为970nm、电容为5pF、暗电流为0.10至1nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为22ns的光电二极管。有关SPOT-4D的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF 暗电流: 0.01 to 0.5 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的SPOT-4DMI是波长范围为970nm、电容为1pF、暗电流为0.01至0.5nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为9ns的光电二极管。有关SPOT-4DMI的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 1000 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 1 to 5 pF 暗电流: 35 to 250 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-9-YAG是波长范围为1000nm、电容为1至5pF、暗电流为35至250nA、响应度/光敏度为0.40A/W、上升时间为18ns的光电二极管。SPOT-9-YAG的更多细节可以在下面看到。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 pF 暗电流: 0.5 to 10 nA来自 OSI Optoelectronics 的SPOT-9D是波长范围为970nm、电容为60pF、暗电流为0.5至10nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为33ns的光电二极管。有关SPOT-9D的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 pF 暗电流: 0.5 to 10 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的SPOT-9DMI是波长范围为970nm、电容为60pF、暗电流为0.5至10nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为28ns的光电二极管。有关SPOT-9DMI的更多详细信息，请联系我们。
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