• LPAD 0155 光纤接收器
    美国
    分类:光纤接收器
    应用: Supervisory channel, Long haul transmission networks, Short haul transmission networks, DWDM transponders, SDH/SONET single mode applications, Instrumentation and testing, Data communications 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 155 Mb/s 探测器灵敏度: -37 to -39 dBm

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LPAD 0155是具有数据速率155Mb/s、检测器灵敏度-37至-39dBm、波长范围1310至1550nm、电源电压4.75至5.25V、电源电流30mA的光纤接收器。有关LPAD 0155的更多详细信息,请联系我们。

  • LPAD 0622 光纤接收器
    美国
    分类:光纤接收器
    应用: Supervisory channel, Long haul transmission networks, Short haul transmission networks, DWDM transponders, SDH/SONET single mode applications, Instrumentation and testing, Data communications 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 622 Mb/s 探测器灵敏度: -31 to -33 dBm

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LPAD 0622是具有数据速率622Mb/s、检测器灵敏度-31至-33dBm、波长范围1310至1550nm、电源电压4.75至5.25V、电源电流30mA的光纤接收器。有关LPAD 0622的更多详细信息,请联系我们。

  • RT2000PT-052FCL 光纤接收器
    美国
    分类:光纤接收器
    应用: Telecom, Datacom 探测器灵敏度: -38 to -40 dBm 波长范围: 1310 to 1550 nm

    OSI Laser Diode,Inc.的RT2000PT-052FCL是一种光纤接收器,其检测器灵敏度为-38至-40 dBm,波长范围为1310至1550 nm,电源电压为4.8至5.5 V,电源电流为70至125 mA.有关RT2000PT-052FCL的更多详细信息,请联系我们。

  • RT2000PT-155FCL 光纤接收器
    美国
    分类:光纤接收器
    应用: Telecom, Datacom 探测器灵敏度: -36 to -38 dBm 波长范围: 1310 to 1550 nm

    来自OSI Laser Diode,Inc.的RT2000PT-155FCL是具有检测器灵敏度-36至-38 dBm、波长范围1310至1550 nm、电源电压4.8至5.5 V、电源电流70至125 mA的光纤接收器。有关RT2000PT-155FCL的更多详细信息,请联系我们。

  • RT2000PT-622FCL 光纤接收器
    美国
    分类:光纤接收器
    应用: Telecom, Datacom 探测器灵敏度: -30 to -32 dBm 波长范围: 1310 to 1550 nm

    OSI Laser Diode,Inc.的RT2000PT-622FCL是一种光纤接收器,其检测器灵敏度为-30至-32 dBm,波长范围为1310至1550 nm,电源电压为4.8至5.5 V,电源电流为70至125 mA.有关RT2000PT-622FCL的更多详细信息,请联系我们。

  • LAPD 3050 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 1000 to 1650 nm 暗电流: 2 nA 电容: 1 pF

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LAPD 3050是波长范围为1000至1650 nm、暗电流为2 nA、电容为1 PF、带宽为2.5 GHz、响应度/光敏度为7至9 A/W的光学检测器。

  • LPD 3080 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 暗电流: 0.05 to 0.5 nA 电容: 0.5 to 0.75 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.9 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LPD 3080是一款光学探测器,其暗电流为0.05至0.5 nA,电容为0.5至0.75 PF,带宽为2.5 GHz,响应度/光敏度为0.8到0.9 A/W,有效面积直径为75µm.有关LPD 3080的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-100-IR1-P 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Germanium 波长范围: 400 to 2000 nm 上升时间: 100 ps 暗电流: 700 nA

    来自AlphaLas的UPD-100-IR1-P是波长范围为400至2000nm、上升时间为100ps、暗电流为700nA、带宽为3GHz、有源区直径为0.005mm的光学探测器。有关UPD-100-IR1-P的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-15-IR2-FC 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 15 ps 暗电流: 0.1 nA

    来自AlphaLas的UPD-15-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为15ps、暗电流为0.1nA、带宽为25GHz的光学探测器。有关UPD-15-IR2-FC的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-200-SD 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-200-SD是波长范围为320至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-SD的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-200-SP 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-200-SP是波长范围为320至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-SP的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-200-UD 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-200-UD是波长范围为170至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学检测器。有关UPD-200-UD的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-200-UP 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-200-UP是波长范围为170至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-UP的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-2M-IR2-P-1TEC 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 900 to 1700 nm 上升时间: 75000 ps 暗电流: 0.3 nA

    AlphaLas公司的UPD-2M-IR2-P-1TEC是一种光学探测器,波长范围为900~1700nm,上升时间为75000ps,暗电流为0.3nA,带宽为0.004GHz,有源区直径为3.14mm.UPD-2M-IR2-P-1TEC的更多详情见下文。

  • UPD-2M-IR2-P 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 900 to 1700 nm 上升时间: 75000 ps 暗电流: 5 nA

    来自AlphaLas的UPD-2M-IR2-P是波长范围为900至1700nm、上升时间为75000ps、暗电流为5nA、带宽为0.004GHz、有源区直径为3.14mm的光学探测器。有关UPD-2M-IR2-P的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-30-VSG-P 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: GaAs 波长范围: 320 to 900 nm 上升时间: 30 ps 暗电流: 0.1 nA

    来自AlphaLas的UPD-30-VSG-P是波长范围为320至900nm、上升时间为30ps、暗电流为0.1nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.04mm的光学探测器。有关UPD-30-VSG-P的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-300-SD 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nA

    AlphaLas公司的UPD-300-SD是一种光学探测器,波长范围为320-1100nm,上升时间为300ps,暗电流为0.01nA,带宽为1GHz,有源区直径为0.283mm.有关UPD-300-SD的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-300-SP 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nA

    AlphaLas公司的UPD-300-SP是一种光学探测器,波长范围为320-1100nm,上升时间为300ps,暗电流为0.01nA,带宽为1GHz,有源区直径为0.283mm.有关UPD-300-SP的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-300-UD 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nA

    AlphaLas公司的UPD-300-UD是一种光学探测器,波长范围为170~1100nm,上升时间为300ps,暗电流为0.01nA,带宽为1GHz,有源区直径为0.283mm.有关UPD-300-UD的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-300-UP 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nA

    AlphaLas公司的UPD-300-UP是一种光学探测器,波长范围170~1100nm,上升时间300ps,暗电流0.01nA,带宽1GHz,有源区直径0.283mm.有关UPD-300-UP的更多详细信息,请联系我们。