• FCI-InGaAs-120CCER 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1 pF 暗电流: 0.05 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-120CCER是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05至2 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120CCER的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-120LCER 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1 pF 暗电流: 0.05 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-120LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05至2 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120LCER的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-120WCER 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1 pF 暗电流: 0.05 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-120WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05至2 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120WCER的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-12M 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-12M是波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。

  • FCI-InGaAs-1500 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 200 to 450 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-1500是一种波长范围为900至1700 nm、电容为200至450 PF、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W的光电二极管。

  • FCI-InGaAs-16M 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-16M是波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。

  • FCI-InGaAs-300 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 10 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-300是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.30至5、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-3000-X 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 750 to 1800 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-3000-X是一种波长范围为900至1700 nm、电容为750至1800 PF、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W的光电二极管。FCI-InGaAs-3000-X的更多详细信息可参见下文。

  • FCI-InGaAs-300ACER 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 10 pF 暗电流: 0.3 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-300ACER是波长范围为900至1700nm、电容为10pF、暗电流为0.3至5nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间为1.5ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300ACER的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-300B1 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 暗电流: 0.05 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.生产的FCI-InGaAs-300B1是一款光电二极管,波长范围为900至1700 nm,带宽为100 MHz,电容为8至10 PF,暗电流为0.05至5 nA,响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1的更多详情见下文。

  • FCI-InGaAs-300B1x4 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 暗电流: 0.05 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-300B1X4是一款光电二极管,波长范围为900至1700 nm,带宽为100 MHz,电容为8至10 PF,暗电流为0.05至5 nA,响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1X4的更多详细信息见下文。

  • FCI-InGaAs-300B1x8 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 暗电流: 0.05 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.生产的FCI-InGaAs-300B1x8是一款光电二极管,波长范围为900至1700 nm,带宽为100 MHz,电容为8至10 PF,暗电流为0.05至5 nA,响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1x8的更多详情见下文。

  • FCI-InGaAs-300CCER 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 10 pF 暗电流: 0.3 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-300CCER是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.3至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300CCER的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-300LCER 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 10 pF 暗电流: 0.3 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-300LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.3至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300LCER的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-300WCER 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 10 pF 暗电流: 0.3 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-300WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.3至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300WCER的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-36C 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 1310 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.16 to 0.20 pF 暗电流: 0.5 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.75 to 0.85 A/W

    OSI Laser Diode,Inc.生产的FCI-InGaAs-36C是一款光电二极管,波长范围为1310至1550 nm,带宽为9 GHz,电容为0.16至0.20 PF,暗电流为0.5至2 nA,响应度/光敏度为0.75至0.85 A/W.FCI-InGaAs-36C的更多详情见下文。

  • FCI-InGaAs-400 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 14 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-400是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.40至5、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-400ACER 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 14 pF 暗电流: 0.4 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-400ACER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400ACER的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-400CCER 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 14 pF 暗电流: 0.4 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-400CCER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400CCER的更多详细信息,请联系我们。

  • FCI-InGaAs-400LCER 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 14 pF 暗电流: 0.4 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode,Inc.的FCI-InGaAs-400LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400LCER的更多详细信息,请联系我们。