• 用于脉冲操作的混合激光二极管 半导体激光器
    美国
    输出功率: 200W 激光波长: 0.905um 脉宽: 10 - 10 ns 中心波长附近的调谐范围: <= 200nm

    LHCVN系列将脉冲激光点火电路集成到与激光二极管相同的封装中。与分立器件相比,驱动器的混合允许在更低的电压要求下实现更窄的脉冲宽度和更快的上升时间

  • M02061 4.3Gbps,3.3或5V激光驱动器 半导体激光器配件
    美国
    厂商:Macom

    高达4 Gbps的SFF/SFP激光驱动器采用4x4 MLF封装M02061是一款高度集成的可编程激光驱动器,适用于高达4.25 Gbps的SFP/SFF模块应用。利用差分PECL数据和时钟输入,M02061提供驱动边缘发射激光器所需的偏置和调制电流。M02061具有自动功率控制功能,可在整个温度范围和使用寿命内保持恒定的平均激光输出功率。此外,可以对调制电流进行温度补偿,以使消光比随温度的变化较小。许多特性可由用户调整,包括自动功率控制(APC)环路偏置控制(通过监控光电二极管)、调制电流、调制电流的温度补偿控制和脉冲宽度调整。

  • OT-27: 二极管泵浦的Er:玻璃激光发射器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1540nm 平均值功率: 0.015W 重复频率: 0.005 - 0.005 kHz 脉宽: 9ns 冷却: Air, Conductive

    OT-27是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态(DPSS)激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内,OT-27提供超过2 MJ的脉冲能量,半高宽(FWHM)脉冲宽度为10 ns,脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz,在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm,光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-27还具有内置光电二极管作为参考。作为启动信号。

  • OT-29。Er: 二极管泵浦的玻璃激光发射器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1540nm 平均值功率: 0.002W 重复频率: 0.001 - 0.001 kHz 脉宽: 9ns 冷却: Air, Conductive

    OT-29是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态(DPSS)激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内,OT-29提供超过1.2 MJ的脉冲能量,半峰全宽(FWHM)脉冲宽度为10 ns,脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz,在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm,光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-29还内置光电二极管用作参考。作为启动信号。

  • OT-37: 二极管泵浦的Er:玻璃激光发射器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1540nm 平均值功率: 0.030W 重复频率: 0.01 - 0.01 kHz 脉宽: 9ns 冷却: Air, Conductive

    OT-37是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态(DPSS)激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内,OT-37提供超过2 MJ的脉冲能量,半高宽(FWHM)脉冲宽度为10 ns,脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz,在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm,光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-37还具有内置光电二极管作为参考。作为启动信号。

  • OT-39: Er: 玻璃激光发射器与二极管泵浦 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1540nm 平均值功率: 0.004W 重复频率: 0.001 - 0.001 kHz 脉宽: 9ns 冷却: Air, Conductive

    OT-39是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态(DPSS)激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内,OT-39提供超过3 MJ的脉冲能量,半高宽(FWHM)脉冲宽度为10 ns,脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz,在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm,光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-39还具有内置光电二极管作为参考。作为启动信号。

  • PGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • PGAx1S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx1S09H脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx2S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx2S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx3S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • QPGAx3S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • 天狼星-1064。皮秒DPSS激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1064nm 平均值功率: 5W 重复频率: 0 - 1000 kHz 空间模式: 1.2 脉宽: 0.01ns

    Sirius-1064是一款超快皮秒脉冲激光器,平均功率5W,脉冲宽度<10ps,脉冲能量>60uJ,光束质量卓越(m²<1.2)。Sirius-1064专为促进集成而设计,具有用户友好的图形用户界面,允许用户轻松监控和控制激光器的参数。短脉冲和高脉冲能量的组合使Sirius1064激光器非常适合需要“冷加工”的应用。这些应用包括:但不限于医疗设备和消费电子应用。易于使用和坚固耐用的设计使Sirius-1064成为OEM和基于研究的应用的理想解决方案。

  • 天狼星-532:皮秒DPSS激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 532nm 平均值功率: 1.5W 重复频率: 0 - 1000 kHz 空间模式: 1.2 脉宽: 0.01ns

    Sirius-532是一种超快皮秒脉冲激光器,可产生2W的平均功率,脉冲宽度<10ps,脉冲能量>30uJ,光束质量卓越(m²<1.2)。Sirius-532专为促进集成而设计,具有用户友好的图形用户界面,允许用户轻松监控和控制激光器的参数。短脉冲和高脉冲能量的组合使Sirius532激光器非常适合需要“冷加工”的应用。这些应用包括:但不限于医疗设备和消费电子应用。易于使用和坚固耐用的设计使Sirius-1064成为OEM和基于研究的应用的理想解决方案。

  • SPOT-10-100-355 DPSS激光器 激光器模块和系统
    英国
    厂商:Elforlight
    波长: 355nm 平均值功率: 0.1W 重复频率: 0 - 50 kHz 空间模式: 1.2 脉宽: 1.5ns

    用于工业和科学应用的短脉冲DPSS激光器。在从单次发射到>50kHz的重复率下,激光光斑激光器产生<2ns的脉冲宽度。短脉冲由短腔长和新型快速电光调Q技术相结合产生。

  • SPOT-10-100-532 DPSS激光器 激光器模块和系统
    英国
    厂商:Elforlight
    波长: 532nm 平均值功率: 0.1W 重复频率: 0 - 50 kHz 空间模式: 1.2 脉宽: 1.8ns

    用于工业和科学应用的短脉冲DPSS激光器。在从单次发射到>50kHz的重复率下,激光光斑激光器产生<2ns的脉冲宽度。短脉冲由短腔长和新型快速电光调Q技术相结合产生。

  • SPOT-10-200-532 DPSS激光器 激光器模块和系统
    英国
    厂商:Elforlight
    波长: 532nm 平均值功率: 0.2W 重复频率: 0 - 50 kHz 空间模式: 1.2 脉宽: 1.8ns

    用于工业和科学应用的短脉冲DPSS激光器。在从单次发射到>50kHz的重复率下,激光光斑激光器产生<2ns的脉冲宽度。短脉冲由短腔长度和新型快速电光Q开关的组合产生技巧。

  • SPOT-10-500-1064 DPSS激光器 激光器模块和系统
    英国
    厂商:Elforlight
    波长: 1064nm 平均值功率: 0.5W 重复频率: 0 - 50 kHz 空间模式: 1.2 脉宽: 2ns

    用于工业和科学应用的短脉冲DPSS激光器。在从单次发射到>50kHz的重复率下,激光光斑激光器产生<2ns的脉冲宽度。短脉冲由短腔长和新型快速电光调Q技术相结合产生。