14引脚蝶形封装激光二极管系列提供了利用Modulight单发射器芯片性能的紧凑方式。该封装保留了内部TEC和光电二极管。标准配置包括200µm纤芯光纤和SMA-905连接器。如有要求，可提供其他连接器和光纤类型。

14引脚蝶形封装激光二极管系列提供了利用Modulight单发射器芯片性能的紧凑方式。该封装保留了内部TEC和光电二极管。标准配置包括200µm纤芯光纤和SMA-905连接器。如有要求，可提供其他连接器和光纤类型。

详细信息：NDV4512高功率405nm 250mW紫光激光二极管特点光输出功率：200mW，较大250mW多横模CAN类型：φ5.6，带光电二极管绝对较大额定值光输出功率：250mWLD反向电压：5VPD反向电压：20V储存温度：-35~85°C工作箱温度：*0~30°C建议工作温度在20~30°C范围内。激光的安全性：激光会损伤人的眼睛和皮肤。不要将眼睛或皮肤直接和/或通过光学透镜暴露在任何激光下。在处理LDS时，请佩戴适当的安全眼镜，以防止激光甚至任何反射光进入眼睛。通过光学仪器的聚焦激光束将增加对眼睛造成伤害的机会。这些LD属于IEC60825-1和21 CFR第1040.10部分安全标准的第4类。绝对有必要对采用和/或集成了Nichia LDS的用户模块、设备和系统采取全面的安全措施。

日亚紫405nm-450nm激光二极管NDV4632特点：光输出功率：250mW（@TC=25℃）单一模式CAN类型：5.6，带光电二极管。绝对较大额定值：光输出功率（@TC=25℃）*：250mWLD反向电压：2V储存温度：-40~90℃工作环境温度：-10~80℃初始电/光特性（TC=25℃）光输出功率：100 MW峰值波长：410nm阈值电流：60mA工作电流：130mA坡度效率：1.9W/a工作电压：5.5V

日亚紫405nm-450nm激光二极管NDV4B16特点：光输出功率：连续波300mW（@TC=25℃）峰值波长：405nmCAN类型：5.6浮动安装，带光电二极管和齐纳二极管。绝对较大额定值：光输出功率（@TC=25℃）*：360mW允许反向电流：85mAPD反向电压：5V储存温度：-40~85℃工作环境温度：0~70℃初始电/光特性（TC=25℃）光输出功率：300 MW峰值波长：410nm阈值电流：35mA工作电流：250mA坡度效率：1.9W/a工作电压：5.8V

在我们的帮助下，您将找到具有高时钟速率、低暗电流和低电容的高质量InGaAs光电二极管，其有效面积为50至5000nm。有不同的外壳可供选择，当然我们也可以提供客户特定的解决方案。

光电二极管PD 24-03设计用于探测1000至2430nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 24-03设计用于探测1000至2430nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与GaSb衬底晶格匹配的窄带隙GaInAsSb/AlGaAsSb基异质结构制成。

光电二极管PD 25-05设计用于检测1000至2500nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 25-05设计用于探测1000至2500nm中红外光谱范围内的辐射。

光电二极管PD 25-10被设计用于检测从1000到2500nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 25-10设计用于探测1000至2500nm中红外光谱范围内的辐射。

光电二极管PD 36-03被设计用于检测从1800到3800nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 36-03被设计用于检测从1800到3800nm的中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 36-05被设计用于检测从1800到3800nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 36-05设计用于检测1800至3600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 41-03设计用于检测3000至4100nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 41-03设计用于探测3000至4100nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 41-05被设计用于检测从3000到4100nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 41-05设计用于探测3000至4100nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。