• ML44 单色仪
    德国
    分类:单色仪
    应用: Separation of monochromatic radiation, Study of light sources and detectors 单色仪类型: UV Monochromator 波长范围: 190 to 1200 nm 线性色散: 18.7 to 37.4 nm/mm 焦距: 44.2 mm

    Topag Lasertechnik GmbH的ML44是一款光谱范围为190 nm-1200 nm的扫描单色仪。它具有从18.7到34.7(nm/mm)变化的线性色散倒数范围。该单色仪的孔径为f/2.9,闪耀波长高达700nm.它的光栅尺寸为25×20×6(mm),扫描速度为200-400nm/s.ML44具有可变的入口和出口狭缝,并且不具有平坦的输出场。它采用尺寸为154 X 114 X 147(mm)的紧凑型模块,是发射、荧光和拉曼光谱应用的理想选择。

  • SLD-70BG2A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Luna Innovations

    Luna Innovations的SLD-70BG2A是一款光学探测器,波长范围为400至700 nm,上升时间为1至1.5µs,暗电流为100 nA,电容为40 PF.有关SLD-70BG2A的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMD2023SLX01 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD2023SLX01是一款光电二极管,波长范围为940 nm,电容为1.3至4 PF,暗电流为1至10 nA,上升时间为100 ns.有关VEMD2023SLX01的更多详细信息,请联系我们。

  • VEMD2523SLX01 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pF

    Vishay Intertechnology的VEMD2523SLX01是一款光电二极管,波长范围为900 nm,电容为1.3至4 PF,暗电流为1至10 nA,上升时间为100 ns.有关VEMD2523SLX01的更多详细信息,请联系我们。

  • OP300SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP300SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1µA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.8 mA.有关OP300SL的更多详情,请联系我们。

  • OP301SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP301SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1µA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.8至2.4 mA.有关OP301SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP302SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP302SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1µA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为1.8至5.4 mA.有关OP302SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP303SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP303SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1µA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为3.6至12.0 mA.有关OP303SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP304SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP304SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1µA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为7.0至21.0 mA.有关OP304SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP305SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP305SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1µA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为14 mA.有关OP305SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP800SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP800SL是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.5 mA,功耗为250 MW.有关OP800SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP800WSL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP800WSL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.3 mA.有关OP800WSL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP801SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP801SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为0.5 mA至3 mA,功耗为250 MW.有关OP801SL的更多详情,请联系我们。

  • OP801WSL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP801WSL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.5 mA至3 mA,功耗为250 MW.有关OP801WSL的更多详情,请联系我们。

  • OP802SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP802SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为2 mA至5 mA,功耗为250 MW.有关OP802SL的更多详情,请联系我们。

  • OP802WSL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP802WSL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为2.5 mA,功耗为250 MW.有关OP802WSL的更多详情,请联系我们。

  • OP803SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP803SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为4 mA至8 mA,功耗为250 MW.有关OP803SL的更多详情,请联系我们。

  • OP804SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP804SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为7 mA至22 mA,功耗为250 MW.有关OP804SL的更多详情,请联系我们。

  • OP805SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP805SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为15 mA,功耗为250 MW.有关OP805SL的更多详情,请联系我们。

  • FESL-1050-10-BTF 超辐射发光二极管
    光纤模式: Single Mode 类型: Fiber-Coupled SLED

    Frankfurt Laser Company的FESL-1050-10-BTF是一款超辐射发光二极管,波长为1030至1070 nm,输出功率为6至10 MW,带宽(FWHM)为60至70 nm,工作电流为200 mA,正向电压为2.5 V.FESL-1050-10-BTF的更多详情见下文。