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  • QSA157 光电晶体管
    QSA157
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的QSA157是一款功耗为250 MW的光电晶体管。有关QSA157的更多详细信息，请联系我们。

  • QSA158 光电晶体管
    QSA158
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的QSA158是一款功耗为250 MW的光电晶体管。有关QSA158的更多详细信息，请联系我们。

  • QSA159 光电晶体管
    QSA159
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的QSA159是一款功耗为250 MW的光电晶体管。有关QSA159的更多详细信息，请联系我们。

  • PT204-6B 光电晶体管
    PT204-6B
    中国台湾
    分类：光电晶体管
    厂商：亿光电子
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 V

    Ever Light的PT204-6B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT204-6B的更多详细信息，请联系我们。

  • PT204-6C 光电晶体管
    PT204-6C
    中国台湾
    分类：光电晶体管
    厂商：亿光电子
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 V

    Ever Light的PT204-6C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT204-6C的更多详细信息，请联系我们。

  • PT2559B/L2/H2-F 光电晶体管
    PT2559B/L2/H2-F
    中国台湾
    分类：光电晶体管
    厂商：亿光电子
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 V

    Ever Light的PT2559B/L2/H2-F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT2559B/L2/H2-F的更多详细信息，请联系我们。

  • PT5529B/L2/H2-F 光电晶体管
    PT5529B/L2/H2-F
    中国台湾
    分类：光电晶体管
    厂商：亿光电子
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 V

    Ever Light的PT5529B/L2/H2-F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT5529B/L2/H2-F的更多详细信息，请联系我们。

  • LA PT28AP1 光电晶体管
    LA PT28AP1
    德国
    分类：光电晶体管
    厂商：Light Avenue
    安装类型: Chip 光电晶体管型: Phototransistor 集电极发射极电压（击穿）: 6 V 集电极暗电流: 3 to 50 nA 发射极集电极电压（击穿）: 1.5 V

    来自Light Avenue的LA PT28AP1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为6 V，集电极暗电流为3至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为1.5 V，波长（光谱灵敏度）为570 nm.有关LA PT28AP1的更多详细信息，请联系我们。

  • SFH 3201 光电晶体管
    SFH 3201
    奥地利
    分类：光电晶体管
    厂商：ams OSRAM
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 20 to 70 V

    OSRAM的SFH 3201是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20至70 V，集电极暗电流为3至200 nA，集电极发射极电压（饱和）为170至250 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为120 MW.有关SFH 3201的更多详细信息，请联系我们。

  • SFH 325 光电晶体管
    SFH 325
    奥地利
    分类：光电晶体管
    厂商：ams OSRAM
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 35 V

    OSRAM的SFH 325是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）35 V，功耗165 MW.SFH 325的更多细节可以在下面看到。

  • SFH 3400 光电晶体管
    SFH 3400
    奥地利
    分类：光电晶体管
    厂商：ams OSRAM
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 20 to 70 V

    欧司朗的SFH 3400是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20至70 V，集电极暗电流为3至10 nA，集电极发射极电压（饱和）为170 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为120 MW.有关SFH 3400的更多详细信息，请联系我们。

  • SFH 3600 光电晶体管
    SFH 3600
    奥地利
    分类：光电晶体管
    厂商：ams OSRAM
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 35 V

    欧司朗的SFH 3600是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗130 MW.有关SFH 3600的更多详细信息，请联系我们。

  • SFH 3605 光电晶体管
    SFH 3605
    奥地利
    分类：光电晶体管
    厂商：ams OSRAM
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 35 V

    OSRAM的SFH 3605是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗130 MW.有关SFH 3605的更多详细信息，请联系我们。

  • AA3528P3S 光电晶体管
    AA3528P3S
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的AA3528P3S是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2至0.4 mA，功耗100 MW.有关AA3528P3S的更多详细信息，请联系我们。

  • AM4457P3C 光电晶体管
    AM4457P3C
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自KingbrightUSA的AM4457P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.35至0.8 mA，功耗为100 MW.有关AM4457P3C的更多详细信息，请联系我们。

  • AP1608P1C 光电晶体管
    AP1608P1C
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的AP1608P1C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA，功耗100 MW.有关AP1608P1C的更多详细信息，请联系我们。

  • AP2012P3C 光电晶体管
    AP2012P3C
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的AP2012P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2至0.4 mA，功耗100 MW.有关AP2012P3C的更多详细信息，请联系我们。

  • APA3010P3BT-GX 光电晶体管
    APA3010P3BT-GX
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的APA3010P3BT-GX是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA，功耗100 MW.有关APA3010P3BT-GX的更多详细信息，请联系我们。

  • APT2012P3BT 光电晶体管
    APT2012P3BT
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的APT2012P3BT是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA，功耗100 MW.有关APT2012P3BT的更多详细信息，请联系我们。

  • KP-2012P3C 光电晶体管
    KP-2012P3C
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：kingbrightusa
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    KingbrightUSA的KP-2012P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2至0.4 mA.有关KP-2012P3C的更多详细信息，请联系我们。