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  • TEFT4300 光电晶体管
    TEFT4300
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Vishay Intertechnology
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEFT4300是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关TEFT4300的更多详细信息，请联系我们。

  • TEMT1000 光电晶体管
    TEMT1000
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Vishay Intertechnology
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT1000是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1000的更多详细信息。

  • TEMT1020 光电晶体管
    TEMT1020
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Vishay Intertechnology
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT1020是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1020的更多详细信息。

  • TEMT1030 光电晶体管
    TEMT1030
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Vishay Intertechnology
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT1030是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1030的更多详细信息。

  • TEMT1040 光电晶体管
    TEMT1040
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Vishay Intertechnology
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT1040是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1040的更多详细信息。

  • TEMT7100ITX01 光电晶体管
    TEMT7100ITX01
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Vishay Intertechnology
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT7100ITX01是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20 V，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为100 MW，波长（光谱灵敏度）为750至1010 nm.有关TEMT7100ITX01的更多详细信息，请联系我们。

  • MTD6000PT-T 光电晶体管
    MTD6000PT-T
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Marktech Optoelectronics
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    来自Marktech Optoelectronics的MTD6000PT-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关MTD6000PT-T的更多详细信息，请联系我们。

  • MTD8000N4-T 光电晶体管
    MTD8000N4-T
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Marktech Optoelectronics
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8000N4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关MTD8000N4-T的更多详细信息，请联系我们。

  • MTD8600N4-T 光电晶体管
    MTD8600N4-T
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Marktech Optoelectronics
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600N4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600N4-T的更多详细信息，请联系我们。

  • MTD8600T-T 光电晶体管
    MTD8600T-T
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Marktech Optoelectronics
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600T-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600T-T的更多详细信息，请联系我们。

  • MTD8600T4-T 光电晶体管
    MTD8600T4-T
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Marktech Optoelectronics
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600T4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600T4-T的更多详细信息，请联系我们。

  • OP300SL 光电晶体管
    OP300SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP300SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1µA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.8 mA.有关OP300SL的更多详情，请联系我们。

  • OP301SL 光电晶体管
    OP301SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP301SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1µA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.8至2.4 mA.有关OP301SL的更多详细信息，请联系我们。

  • OP302SL 光电晶体管
    OP302SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP302SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1µA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为1.8至5.4 mA.有关OP302SL的更多详细信息，请联系我们。

  • OP303SL 光电晶体管
    OP303SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP303SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1µA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为3.6至12.0 mA.有关OP303SL的更多详细信息，请联系我们。

  • OP304SL 光电晶体管
    OP304SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP304SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1µA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为7.0至21.0 mA.有关OP304SL的更多详细信息，请联系我们。

  • OP305SL 光电晶体管
    OP305SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP305SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1µA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为14 mA.有关OP305SL的更多详细信息，请联系我们。

  • OP505A 光电晶体管
    OP505A
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP505A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流4.3 mA.有关OP505A的更多详细信息，请联系我们。

  • OP505B 光电晶体管
    OP505B
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP505B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.15至5.95 mA.有关OP505B的更多详细信息，请联系我们。

  • OP505C 光电晶体管
    OP505C
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP505C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.1至3 mA.有关OP505C的更多详细信息，请联系我们。