• GUVC-T10GD-L 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 20 nA

    Genuv的GUVC-T10GD-L是一款光电二极管,波长范围为220至280 nm,暗电流为20 nA,响应度/光敏度为0.05 A/W.有关GUVC-T10GD-L的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVC-T20GD-U 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 90 nA

    Genuv的GUVC-T20GD-U是一款光电二极管,波长范围为220至280 nm,暗电流为90 nA,响应度/光敏度为0.06 A/W.有关GUVC-T20GD-U的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVV-S10SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVV-S10SD是一款光电二极管,波长范围为240至395 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVV-S10SD的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVV-T10GD-L 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 20 nA

    Genuv的GUVV-T10GD-L是一款光电二极管,波长范围为230至395 nm,暗电流为20 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVV-T10GD-L的更多详细信息,请联系我们。

  • GUVV-T20GD-U 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 90 nA

    Genuv的GUVV-T20GD-U是一款光电二极管,波长范围为230至395 nm,暗电流为90 nA,响应度/光敏度为0.15 A/W.有关GUVV-T20GD-U的更多详细信息,请联系我们。

  • GVBL-S12SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 345 to 450 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GVBL-S12SD是一款光电二极管,波长范围为345至450 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.68 A/W.有关GVBL-S12SD的更多详细信息,请联系我们。

  • GVBL-T12GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 330 to 445 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GVBL-T12GD是一款光电二极管,波长范围为330至445 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GVBL-T12GD的更多详细信息,请联系我们。

  • GVGR-S11SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 295 to 490 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GVGR-S11SD是一款光电二极管,波长范围为295至490 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.07 A/W.有关GVGR-S11SD的更多详细信息,请联系我们。

  • GVGR-T10GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 300 to 510 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GVGR-T10GD是一款光电二极管,波长范围为300至510 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.026 A/W.有关GVGR-T10GD的更多详细信息,请联系我们。

  • BPV11 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPV11是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为70 V,集电极暗电流为1至50 nA,集电极发射极电压(饱和)为130至300 MV,功耗为150 MW,波长(光谱灵敏度)为450至1080 nm.有关BPV11的更多详细信息,请联系我们。

  • BPV11F 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPV11F是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为70 V,集电极暗电流为1至50 nA,功耗为150 MW,波长(光谱灵敏度)为900至980 nm.有关BPV11F的更多详细信息,请联系我们。

  • BPW76A 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW76A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.15至0.3 V,功耗250 MW,波长(光谱灵敏度)450至1080 nm.有关BPW76A的更多详细信息,请联系我们。

  • BPW76B 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW76B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.15至0.3 V,功耗250 MW,波长(光谱灵敏度)450至1080 nm.有关BPW76B的更多详细信息,请联系我们。

  • BPW85 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW85是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关BPW85的更多详细信息,请联系我们。

  • BPW85A 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW85A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关BPW85A的更多详细信息,请联系我们。

  • BPW85B 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW85B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关BPW85B的更多详细信息,请联系我们。

  • BPW85C 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW85C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关BPW85C的更多详细信息,请联系我们。

  • T1070P 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的T1070P是一款光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为6 V,集电极暗电流为3至50 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.1 V,发射极集电极电压(击穿)为1.5 V,波长(光谱灵敏度)为440至800 nm.有关T1070P的更多详细信息,请联系我们。

  • T1090P6 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的T1090P6是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为80 V,集电极暗电流为1至50 nA,发射极集电极电压(击穿)为7.8 V,波长(光谱灵敏度)为620至1000 nm.有关T1090P6的更多详细信息,请联系我们。

  • T5096P 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的T5096P是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为85 V,集电极暗电流为1至50 nA,发射极集电极电压(击穿)为7.8 V,波长(光谱灵敏度)为480至1080 nm.有关T5096P的更多详细信息,请联系我们。