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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2523SLX01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2523SLX01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.3 to 4 pFVishay Intertechnology的VEMD2523X01是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为1.3至4 PF，暗电流为1至10 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD2523X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pFVishay Intertechnology的VEMD5010X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为25至70 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD5010X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 820 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 80 pFVishay Intertechnology的VEMD5060X01是一款光电二极管，波长范围为820 nm，电容为35至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为30 ns.有关VEMD5060X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 25 to 70 pFVishay Intertechnology的VEMD5110X01是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为25至70 PF，暗电流为2至30 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD5110X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 840 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 80 pFVishay Intertechnology的VEMD5160X01是一款光电二极管，波长范围为840 nm，电容为35至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为30 ns.有关VEMD5160X01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 80 pFVishay Intertechnology的VEMD5510C是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为30至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为70 ns.有关VEMD5510C的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 540 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 80 pFVishay Intertechnology的VEMD5510CF是一款光电二极管，波长范围为540 nm，电容为30至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为70 ns.有关VEMD5510CF的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3.6 to 12 pFVishay Intertechnology的VEMD6010x01是一款光电二极管，波长范围900 nm，电容3.6至12 PF，暗电流1至3 nA，上升时间100 ns.有关VEMD6010x01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 820 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4.8 to 11 pFVishay Intertechnology的VEMD6060X01是一款光电二极管，波长范围为820 nm，电容为4.8至11 PF，暗电流为0.03至5 nA，上升时间为60 ns.有关VEMD6060x01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3.6 to 12 pFVishay Intertechnology的VEMD6110X01是一款光电二极管，波长范围为950 nm，电容为3.6至12 PF，暗电流为1至3 nA，上升时间为100 ns.有关VEMD6110x01的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 840 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4.6 to 11 pFVishay Intertechnology的VEMD6160X01是一款光电二极管，波长范围为840 nm，电容为4.6至11 PF，暗电流为0.03至5 nA，上升时间为60 ns.有关VEMD6160x01的更多详细信息，请联系我们。
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模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 250 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes来自Marktech Optoelectronics的MT03-018是一款光电二极管，波长范围为250至1100 nm，电容为50至130 PF，暗电流为0.1至10 nA，响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-018的更多详细信息见下文。
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模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 250 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes来自Marktech Optoelectronics的MT03-022是一款光电二极管，波长范围为250至1100 nm，电容为50至130 PF，暗电流为0.1至10 nA，响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-022的更多详情见下文。
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模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 250 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes来自Marktech Optoelectronics的MT03-023是一款光电二极管，波长范围为250至1100 nm，电容为6至20 PF，暗电流为0.2至10 nA，响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-023的更多详情见下文。
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模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 250 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes来自Marktech Optoelectronics的MT03-036是一款光电二极管，波长范围为250至1100 nm，电容为50至130 PF，暗电流为0.1至10 nA，响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-036的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-001是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-001的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-002是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-002的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-003是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-003的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-004是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-004的更多详细信息，请联系我们。
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