Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米，直径为38.1毫米。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

Back-llluminated Series系列芯片尺寸封装的背照式硅光电二极管。适用于X射线检查、计算机断层扫描和一般工业用途。

SPOT-4D-0是一款环形象限硅光电二极管，适用于350nm到1100nm的光谱范围。该产品采用环形封装设计，适合与LC插针耦合，具有ϕ200μm激光切割孔，以及反射率测量的后向散射检测。

SPOT-9D-0 Annular Quadrant Silicon Photodiode是一款高性能的硅光电二极管，适用于350nm到1100nm波长范围内的光检测。其独特的环形封装设计特别适用于反射率测量和LC插芯耦合。

Photovoltaic Series系列用于需要高灵敏度和中等响应速度的应用，尤其是对于蓝色增强系列在可见蓝光区域具有额外的灵敏度。光谱响应范围从350nm到1100nm，使常规光伏设备非常适合可见光和近红外应用。对于350nm到550nm区域的额外灵敏度，蓝色增强设备更为适用。

OSI Optoelectronics' High Speed Silicon 系列是小面积设备，优化用于快速响应时间或高带宽应用。BPX-65 补充了其他高速组，具有行业标准。这些设备的光谱范围从 350 nm 到 1100 nm，响应度和响应时间经过优化，HR 系列在 800 nm 时表现出 0.50 A/W 的峰值响应度，在 -5V 时典型响应时间为几百皮秒。具有低暗电流和低电容，适用于视频系统、计算机和工业控制等应用。

Planar Diffused Silicon Photodiodes适用于高速和高灵敏度应用的光电导探测器系列。光谱范围从350到1100纳米，使这些光电二极管理想用于可见光和近红外应用，包括检测脉冲激光源、LED或割接光等交流应用。

XUV Series独特的硅光电二极管系列，设计用于X射线区域的额外灵敏度，无需闪烁晶体或屏幕。它们在从0.07nm到200nm（6eV到17.6KeV）的宽光谱范围内敏感，每3.63eV的入射能量可产生一个电子-空穴对，对应极高的稳定量子效率。适用于电子检测、医疗仪器等应用。

OSI Optoelectronics提供两个独特的UV增强硅光电二极管系列：反型通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备特别设计用于UV区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等应用。

OSI Optoelectronics提供两个独特的紫外线增强硅光电二极管系列：反转通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备专门设计用于紫外区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等多种应用。