VM100-850-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品，供开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统使用。VCSEL通过顶部表面单独接触，使用地-源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。

V50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或倒装键合在顶面单独接触。

这些紧凑且具有非常高调制速率的顶部发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片是用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的工程样品。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶面单独接触。

V25-850-HT紧凑且具有高调制速率的高温顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4）阵列作为工程样品提供，用于开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统。VCSELs在顶表面上单独接触，使用地源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。此VCSEL版本具有非常高的温度稳定性，并且可以在25°C至125°C范围内工作。适用于以太网、汽车应用和有源光缆（AOC），具有高达28 Gbit/s的速率。

V25-940-SG-MA-HP-C1紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面单独接触。新的多孔设计可在高输出功率下实现高速操作，适用于高速传感和光无线应用。适用于高速光通信和光无线应用。

VM100-940-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的基于GaAs的顶面发射垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现作为工程样品供应，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL通过顶部使用地源-地源（GSG）微探针或线键单独接触。新的多孔径设计使其能够单模发射并在高输出功率下高速运行。适用于200G/400G SWDM、专有光互连和有源光缆(AOC)等应用。

VM50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或翻转芯片键合在顶面上单独接触。

VM100-940-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片作为工程样品可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合单独接触顶面。

VM100-910-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品可用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。VCSEL通过接地-源（GS）微探头、线键合或翻转芯片键合单独接触到顶面。

D40-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶部照明InP基pin光电探测器芯片，支持数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于SWDM光互连、有源光缆和芯片间互连。可提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

D35-SWDM-Cxx高速度 840-960 nm 顶部照射 InP 基 PIN 光电探测器芯片，数据速率可达 112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。这些光电探测器有单芯片或 4 通道芯片阵列可供选择，间距为 250 µm，便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

D30-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶照式InP基pin光电探测器芯片，数据速率高达112 Gbit/s PAM-4，适用于下一代数据通信系统。提供单芯片或4通道芯片阵列，间距为250 µm，可与多模光纤对准。芯片可进行线键合。

D25-SWDM-Cxx高速840-960纳米顶照式InP基PIN光电探测器芯片，适用于高达112 Gbit/s PAM-4数据传输速率，用于下一代数据通信系统的应用。这些光电探测器提供单芯片和4通道芯片阵列两种形式，通道间距为250微米，可与多模光纤对齐。芯片支持线缆键合。

D30-850M是一款高性能光电探测器模块，适用于多模光纤耦合，光纤系统测试、研究与开发及VCSEL测试，工作波长范围为840-1650nm，具有高达56 Gbit/s的传输速度。

VM100-850M用于测试目的的超高速发射模块，集成了850nm VCSEL，光纤耦合到OM3多模光纤，用于光输出。该模块设计为高速测试应用的工程样品。通过高阶调制（4-PAM、DMT和多CAP）已证明比特率超过100G。提供多模和单模VCSEL版本。适用于研究与开发、100G测试（PAM-4、DMT）等应用。

YAG系列硅光电探测器针对1064nm Nd:YAG激光波长进行了优化，具有低电容和快速响应时间。由于低噪声和高响应度，非常适合测量低光强度，如被Nd:YAG激光束照射物体反射的光，用于测距应用。

SPOT-YAG系列是1064纳米的钕：钇铝石榴石优化的四象限光电二极管，非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计，用于收集在活动区域外部产生的电流，以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间，非常适合低光强度测量，因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式（无偏）下运行，适用于需要低噪声的应用，也可以在光导模式（有偏）下操作，适用于高速、瞄准和指向应用。

SPOT-4D-0是一款环形象限硅光电二极管，适用于350nm到1100nm的光谱范围。该产品采用环形封装设计，适合与LC插针耦合，具有ϕ200μm激光切割孔，以及反射率测量的后向散射检测。

Multi-Channel X-Ray Detector Series系列由16个元素阵列组成：单个元素被组合在一起并安装在PCB上。对于x射线或伽马射线的应用，这些多通道探测器提供了闪烁体安装选项： BGO、CdWO4或碘化铯（TI）。BGO（德国铋）作为一种理想的能量吸收器：它在高能检测应用中被广泛接受。cdwo4（钨酸镉）表现出足够高的光输出，有助于提高光谱分析结果。碘化铯（碘化铯）是另一种高能量吸收器，提供足够的抵抗机械冲击和热应力。当与闪烁体耦合时，这些硅阵列通过散射效应将任何中等或高辐射能量映射到可见光谱上。此外，他们的特别设计的PCB允许端到端连接。可以在需要更大规模的组装的情况下部署多个阵列。

高质量和可靠性的塑料封装光电二极管系列产品。这些模制设备以多种形状和尺寸的光检测器和封装形式提供，包括行业标准T1和T13/4、平面和带透镜的侧视器以及表面安装版本（SOT-23）。它们非常适合在恶劣环境中安装在PCB和手持设备上。