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波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1600 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UV-35P是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为1600 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为3µs.有关UV-35P的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UV-50是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为2500 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为3.5µs.有关UV-50的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/WOSI Laser Diode，Inc.的UV-50L是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为2500 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为3.5µs.有关UV-50L的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1450 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 20 pFUshio Inc.的PD1450-35T32是一款光电二极管，波长范围为1450 nm，电容为20 PF，暗电流为100 nA，上升时间为5至10 ns.有关PD1450-35T32的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1450 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 15 to 50 pFUshio Inc.的PD1450-35T54是一款光电二极管，波长范围为1450 nm，电容为15至50 PF，暗电流为100 nA，上升时间为20 ns.有关PD1450-35T54的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, InGaAs, InP 电容: 45 pF 暗电流: 250 to 1000 pA 响应度/光敏度: 0.9 A/WRoithner Lasertechnik的EPD-1300-0-0.5是一款光电二极管，电容为45 PF，暗电流为250至1000 pA，响应度/光敏度为0.9 A/W.有关EPD-1300-0-0.5的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1750 nm 光电二极管材料: GaP, InGaAs 电容: 11 pF 暗电流: 15 to 40 pARoithner Lasertechnik的EPD-1300-5-0.3是一款光电二极管，波长范围为800至1750 nm，带宽为780 nm，电容为11 PF，暗电流为15至40 pA，响应度/光敏度为0.9 A/W.EPD-1300-5-0.3的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 365 nm 光电二极管材料: Gallium RoHS: Yes 电容: 250 pF
Roithner Lasertechnik的EPD-365-0-1.4是一款光电二极管，波长范围为365 nm，带宽为85 nm，电容为250 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.07 A/W.EPD-365-0-1.4的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 暗电流: 5 to 30 pA 响应度/光敏度: 0.18 A/WRoithner Lasertechnik的EPD-470-0-1.4是一款光电二极管，带宽为80 nm，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.18 A/W.EPD-470-0-1.4的更多详细信息见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaN 暗电流: 20 to 50 pA 响应度/光敏度: 0.12 A/W
来自Roithner Lasertechnik的EPD-470-5-0.5是一款光电二极管，带宽为75 nm，暗电流为20至50 pA，响应度/光敏度为0.12 A/W.有关EPD-470-5-0.5的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP 电容: 180 pF 暗电流: 5 to 30 pA 响应度/光敏度: 0.08 A/W
Roithner Lasertechnik的EPD-525-0-1.4是一款光电二极管，带宽为80 nm，电容为180 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.08 A/W.EPD-525-0-1.4的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 50 pF 暗电流: 40 to 200 pA 响应度/光敏度: 0.42 A/W
Roithner Lasertechnik的EPD-660-5/0.5是一款光电二极管，带宽为170 nm，电容为50 PF，暗电流为40至200 pA，响应度/光敏度为0.42 A/W.EPD-660-5/0.5的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, GaAs 响应度/光敏度: 0.5 A/WRoithner Lasertechnik的EPD-740-0/2.5是一款光电二极管，带宽为115 nm，暗电流为2至nA，响应度/光敏度为0.5 A/W.EPD-740-0/2.5的更多详细信息见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 40 pF 暗电流: 40 to 200 pA 响应度/光敏度: 0.5 A/W
Roithner Lasertechnik的EPD-740-5/0.4是一款光电二极管，带宽为115 nm，电容为40 PF，暗电流为40至200 pA，响应度/光敏度为0.5 A/W，上升时间为15 ns.有关EPD-740-5/0.4的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 890 nm 光电二极管材料: GaP, AlGaAs, GaAs 电容: 590 pF 暗电流: 1 to 2.5 nA
Roithner Lasertechnik的EPD-880-0-1.4是一款光电二极管，波长范围为890 nm，带宽为680 nm，电容为590 PF，暗电流为1至2.5 nA，响应度/光敏度为0.3至0.55 A/W.EPD-880-0-1.4的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: Yes 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.14 A/WRoithner Lasertechnik的GUVA-S12SD是一款光电二极管，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.14 A/W.有关GUVA-S12SD的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaN, AlGaN, InGaN RoHS: Yes 暗电流: 1 nA 响应度/光敏度: 0.14 A/WRoithner Lasertechnik的GUVB-S11SD是一款光电二极管，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.14 A/W.有关GUVB-S11SD的更多详细信息，请联系我们。
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