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波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 20 pF 暗电流: 4 to 15 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的QD7-0是波长范围为900 nm、电容为20 PF、暗电流为4至15 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关QD7-0的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 pF 暗电流: 40 nAOSI Laser Diode，Inc.的S-10CL是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为30 PF，暗电流为40 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.S-10CL的更多详细信息见下文。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 450 pF 暗电流: 800 nAOSI Laser Diode，Inc.的S-120CL是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为450 PF，暗电流为800 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.S-120CL的更多详细信息见下文。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 15 pF 暗电流: 20 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的S-4CL是一种波长范围为970 nm、电容为15 PF、暗电流为20 nA、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 370 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的S-4VL是波长范围为970 nm、电容为370 PF、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。有关S-4VL的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4000 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的S-50VL是一种波长范围为970 nm、电容为4000 PF、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。有关S-50VL的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 pF 暗电流: 0.025 to 25 nAOSI Laser Diode，Inc.的SC-10D是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为300 PF，暗电流为0.025至25 nA，响应度/光敏度为0.35至0.42 A/W，上升时间为1µs.有关SC-10D的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1625 pF 暗电流: 0.1 to 100 nAOSI Laser Diode，Inc.的SC-25D是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为1625 PF，暗电流为0.1至100 nA，响应度/光敏度为0.35至0.42 A/W，上升时间为5µs.有关SC-25D的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 20 pF 暗电流: 0.05 to 5 nAOSI Laser Diode，Inc.的SC-4D是一款光电二极管，波长范围670 nm，电容20 PF，暗电流0.05至5 nA，响应度/光敏度0.35至0.42 A/W，上升时间0.66µs.有关SC-4D的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3900 pF 暗电流: 0.25 to 250 nAOSI Laser Diode，Inc.的SC-50D是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为3900 PF，暗电流为0.25至250 nA，响应度/光敏度为0.35至0.42 A/W，上升时间为5µs.有关SC-50D的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 15 to 25 pFOSI Laser Diode，Inc.的SL15是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为15至25 PF，暗电流为150至300 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.6µs.有关SL15的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 to 7 pF 暗电流: 5 to 50 nAOSI Laser Diode，Inc.的SL3-1是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为3至7 PF，暗电流为5至50 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.04µs.有关SL3-1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 to 7 pFOSI Laser Diode，Inc.的SL3-2是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为3至7 PF，暗电流为5至50 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.04µs.有关SL3-2的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 125 to 150 pF 暗电流: 150 to 1000 nAOSI Laser Diode，Inc.的SL30是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为125至150 PF，暗电流为150至1000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为1µs.有关SL30的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 5 to 9 pF 暗电流: 10 to 100 nAOSI Laser Diode，Inc.的SL5-1是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为5至9 PF，暗电流为10至100 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.1µs.有关SL5-1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 5 to 9 pFOSI Laser Diode，Inc.的SL5-2是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为5至9 PF，暗电流为10至100 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.1µs.有关SL5-2的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 190 to 250 pF 暗电流: 100 to 1000 nAOSI Laser Diode，Inc.的SL76-1是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为190至250 PF，暗电流为100至1000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为14µs.有关SL76-1的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 1000 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 12 pF 暗电流: 25 to 100 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-11-YAG-FL是波长范围为1000nm、电容为12pF、暗电流为25至100nA、响应度/光敏度为0.40A/W、上升时间为15ns的光电二极管。有关SPOT-11-YAG-FL的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 1000 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 15 pF 暗电流: 30 to 200 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-13-YAG-FL是波长范围为1000nm、电容为15pF、暗电流为30至200nA、响应度/光敏度为0.40A/W、上升时间为15ns的光电二极管。有关SPOT-13-YAG-FL的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 0.10 to 1 nA来自OSI Optoelectronics的SPOT-4D是波长范围为970nm、电容为5pF、暗电流为0.10至1nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为22ns的光电二极管。有关SPOT-4D的更多详细信息，请联系我们。
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