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光电探测器类型: PIN 波长范围: 940 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 25 to 70 pF来自Light Avenue的LA PD120HP1是波长范围为940nm、带宽为430至1100nm、电容为25至70pF、暗电流为2至5nA、上升时间为100ns的光电二极管。有关LA PD120HP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.3 pF来自Light Avenue的LA PD26HP1是波长范围为900 nm、带宽为430至1100 nm、电容为1.3 PF、反向暗电流为0.1至3 nA、上升时间为4 ns的光电二极管。有关LA PD26HP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 560 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 28 pF来自Light Avenue的LA PD28AP1是波长范围为560 nm、带宽为390至800 nm、电容为28 PF、反向暗电流为0.1至2 nA、上升时间为100 ns的光电二极管。有关LA PD28AP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 950 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 to 18 pF来自Light Avenue的LA PD60HP1是波长范围为950nm、带宽为590至1070nm、电容为6至18pF、暗电流为3至5nA、上升时间为625ns的光电二极管。有关LA PD60HP1的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.5 to 2 pF 暗电流: 0.5 to 3 nAFermionics Opto-Technology的FD150系列是一款光电二极管，波长范围为1300至1550 nm，电容为1.5至2 PF，暗电流为0.5至3 nA，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W，上升时间为0.1至0.3 ns.有关FD150系列的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 400 to 1000 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.95 A/WFermionics Opto-Technology的FD2000W系列是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为400至1000 PF，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W.有关FD2000W系列的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.25 to 0.4 pF 暗电流: 0.1 to 1 nAFermionics Opto-Technology的FD50系列是一款光电二极管，波长范围为1300至1550 nm，电容为0.25至0.4 PF，暗电流为0.1至1 nA，响应度/光敏度为0.8至0.90 A/W，上升时间为100至200 PS.有关FD50系列的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 15 to 25 pF 暗电流: 8 to 15 nAFermionics Opto-Technology的FD500系列是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为15至25 PF，暗电流为8至15 nA，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W，上升时间为1至3 ns.有关FD500系列的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 2000 to 3500 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.95 A/WFermionics Opto-Technology的FD5000W系列是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为2000至3500 PF，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W.有关FD5000W系列的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 850 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 750 to 2500 pF 暗电流: 5 to 10 µA 响应度/光敏度: 0.10 to 0.95 A/WGPD Optoelectronics的GAP5000是一款光电二极管，波长范围为850至1550 nm，带宽为4 MHz，电容为750至2500 PF，暗电流为5至10µA，响应度/光敏度为0.10至0.95 A/W.有关GAP5000的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nAGPD Optoelectronics的IAV200是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至1.05 A/W.有关IAV200的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nAGPD Optoelectronics的IAV202是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至1.05 A/W.有关IAV202的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nAGPD Optoelectronics的IAV203是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV203的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nAGPD Optoelectronics的IAV204是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV204的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nAGPD Optoelectronics的IAV205是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV205的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 25 nAGPD Optoelectronics的IAV350是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.6 GHz，电容为3.2至4 PF，暗电流为30至25 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV350的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 250 nAGPD Optoelectronics的IAV352是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.6 GHz，电容为3.2至4 PF，暗电流为30至250 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 250 nAGPD Optoelectronics的IAV353是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.6 GHz，电容为3.2至4 PF，暗电流为30至250 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nAGPD Optoelectronics的IAV82是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV82的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1 to 1.65 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.45 to 0.65 pF 暗电流: 0.1 to 0.3 nA来自Precision Micro-Optics的DPIN-222是一款光电二极管，波长范围为1至1.65µm，电容为0.45至0.65 PF，暗电流为0.1至0.3 nA，响应度/光敏度为0.88到0.95 A/W.DPIN-222的更多详情见下文。
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