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  • A5V-35 光电二极管
    A5V-35
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 340 pF

    OSI Laser Diode，Inc.的A5V-35是一款波长范围为970 nm、电容为340 PF、响应度/光敏度为0.60 A/W的光电二极管。A5V-35的更多详细信息见下文。

  • A5V-38 光电二极管
    A5V-38
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 340 pF

    OSI Laser Diode，Inc.的A5V-38是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为340 PF，响应度/光敏度为0.60 A/W.A5V-38的更多详情见下文。

  • DL-10 光电二极管
    DL-10
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 175 to 30 pF 暗电流: 500 to 600 nA

    OSI Laser Diode，Inc.的DL-10是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为175至30 PF，暗电流为500至600 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.025µs.有关DL-10的更多详细信息，请联系我们。

  • DL-10C 光电二极管
    DL-10C
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 175 to 375 pF 暗电流: 500 to 5000 nA

    OSI Laser Diode，Inc.的DL-10C是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为175至375 PF，暗电流为500至5000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.2µs.有关DL-10C的更多详细信息，请联系我们。

  • DL-2 光电二极管
    DL-2
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 10 to 14 pF 暗电流: 30 to 175 nA

    OSI Laser Diode，Inc.的DL-2是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为10至14 PF，暗电流为30至175 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.025µs.下面可以看到DL-2的更多详细信息。

  • DL-20 光电二极管
    DL-20
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 600 to 14 pF 暗电流: 2000 to 175 nA

    OSI Laser Diode，Inc.的DL-20是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为600至14 PF，暗电流为2000至175 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.025µs.有关DL-20的更多详细信息，请联系我们。

  • DL-20C 光电二极管
    DL-20C
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 600 to 1500 pF 暗电流: 2000 to 12000 nA

    OSI Laser Diode，Inc.的DL-20C是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为600至1500 PF，暗电流为2000至12000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为1µs.有关DL-20C的更多详细信息，请联系我们。

  • DL-4 光电二极管
    DL-4
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 60 pF 暗电流: 50 to 1000 nA

    OSI Laser Diode，Inc.的DL-4是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为35至60 PF，暗电流为50至1000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.08µs.下面可以看到DL-4的更多详细信息。

  • DLS-10 光电二极管
    DLS-10
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 160 to 200 pF 暗电流: 50 to 400 nA

    OSI Laser Diode，Inc.的DLS-10是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为160至200 PF，暗电流为50至400 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.2µs.有关DLS-10的更多详细信息，请联系我们。

  • DLS-2 光电二极管
    DLS-2
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 40 pF 暗电流: 10 to 300 nA

    OSI Laser Diode，Inc.的DLS-2是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为8至40 PF，暗电流为10至300 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.08µs.有关DLS-2的更多详细信息，请联系我们。

  • DLS-20 光电二极管
    DLS-20
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 580 to 725 pF 暗电流: 100 to 1000 nA

    OSI Laser Diode，Inc.的DLS-20是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为580至725 PF，暗电流为100至1000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为1µs.有关DLS-20的更多详细信息，请联系我们。

  • DLS-2S 光电二极管
    DLS-2S
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 375 pF 暗电流: 10 to 5000 nA

    OSI Laser Diode，Inc.的DLS-2S是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为8至375 PF，暗电流为10至5000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.2µs.有关DLS-2S的更多详细信息，请联系我们。

  • DLS-4 光电二极管
    DLS-4
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 1500 pF 暗电流: 25 to 12000 nA

    OSI Laser Diode，Inc.的DLS-4是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为30至1500 PF，暗电流为25至12000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为1µs.有关DLS-4的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-125G-010HRL 光电二极管
    FCI-125G-010HRL
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 0.94 to 0.96 pF 暗电流: 25 to 500 pA

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-125G-010HRL是波长范围为850nm、电容为0.94至0.96pF、暗电流为25至500pA、响应度/光敏度为0.36A/W、上升时间为47至50ps的光电二极管。有关FCI-125G-010HRL的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-125G-016HRL 光电二极管
    FCI-125G-016HRL
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.70 to 1.73 pF 暗电流: 40 to 500 pA

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-125G-016HRL是波长范围为850nm、电容为1.70至1.73pF、暗电流为40至500pA、响应度/光敏度为0.36A/W、上升时间为84至100ps的光电二极管。有关FCI-125G-016HRL的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-GaAs-4M 光电二极管
    FCI-GaAs-4M
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: GaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA

    OSI Laser Diode，Inc.的FCI-GaAs-4M是一款光电二极管，波长范围850 nm，带宽2 GHz，电容0.65 PF，暗电流0.03 nA，响应度/光敏度0.63 A/W.

  • FCI-InGaAs-1500 光电二极管
    FCI-InGaAs-1500
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 200 to 450 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-1500是一种波长范围为900至1700 nm、电容为200至450 PF、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W的光电二极管。

  • FCI-InGaAs-300B1x4 光电二极管
    FCI-InGaAs-300B1x4
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 暗电流: 0.05 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300B1X4是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为100 MHz，电容为8至10 PF，暗电流为0.05至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1X4的更多详细信息见下文。

  • FCI-InGaAs-400 光电二极管
    FCI-InGaAs-400
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 14 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-400是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.40至5、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-400ACER 光电二极管
    FCI-InGaAs-400ACER
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 14 pF 暗电流: 0.4 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-400ACER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400ACER的更多详细信息，请联系我们。