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设备类型: Benchtop 测量显示: W, kW 功率范围: Up to 8 kW 电池类型: 1100 mAh rechargeable
Ophir Optronics的Ariel是一款短曝光高功率传感器,工作波长为440-550 nm、900-1100 nm和2.94&10.6µm.在脉冲模式下,它可以测量功率高达8千瓦的高功率工业激光,曝光时间为0.05-2.00秒。在连续模式下,该传感器可测量功率高达500 W的激光,辐射时间到20秒。它由单个脉冲组成,可携带高达2.4 KJ的能量,最高工作温度为60°C.在达到最高温度后,传感器需要在14 KJ之间的10分钟冷却时间。它具有USB-C接口,可通过智能手机和PC进行控制。Ariel是一款防尘、防溅的电源传感器,配有LCD闪烁显示屏,1100 mAh充电电池,电池续航时间为15小时。它按照对流冷却机制运行,并具有IP62防护等级,可承受10-80%的非冷凝相对湿度。该传感器采用尺寸为70 X 70 X 80 mm的封装,非常适合在增材制造腔室等狭小空间中使用,以及用于生产过程质量控制和研发应用。
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设备类型: Benchtop 测量显示: mW, W, uJ, J 功率范围: 0.1 to 0.15 W 波长范围: 250 to 2200 nm RoHS: Yes
Ophir Optronics的L50(150)A-LP2-35是一款用于高功率密度和长脉冲激光的热功率/能量激光测量传感器。它的孔径为35毫米,可连续测量100 MW至50 W,间歇测量高达150 W.该传感器可以测量从40mJ到3000J的能量,通过测量暴露于激光的0.4-4s的能量,能够测量高达4000W的高功率激光。高损伤阈值LP2吸收体覆盖0.25至2.2µm的光谱范围。传感器配有标准的1.5米电缆,用于连接仪表或PC接口。
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探测器类型: Si 设备类型: Benchtop 波长范围: 350 to 450 nm RoHS: Chine RoHS
Ophir Optronics的PD300RM-UVA是一款圆形几何结构光电二极管灌注和剂量传感器,工作波长为350至450 nm.它具有平坦的光谱响应,允许在光谱范围内测量窄带和宽带光源,如LED和激光器。传感器的平均功率密度为50 W/cm²,辐照度范围为1.5μW–15 W/cm²。它的剂量采样率为每秒500个样本,产生的脉冲能量高达20µJ.使用该传感器的LED测量不受光源带宽或加热引起的波长偏移的影响。它允许同时测量不同波长的光源。该传感器有一根1.5米长的电缆,用于连接Starbright&Starlite仪表或Juno+PC接口。
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光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs, Silicon, GaP 波长范围: 190 to 2200 nm 上升时间: 20 to 100 ns 暗电流: 0.02 to 1 nA
来自激光器组件的p-Cube系列是光谱范围从190到2200nm的InGaAs/GaP/Si光电探测器。这些器件的光谱带宽为180 nm,响应度为0.16 A/W.P-Cube系列在紧凑的立方体内集成了一个极低噪声和灵敏的PIN光电二极管,可轻松集成到光具座设置中。这些探测器具有快速上升时间、响应均匀性、出色的灵敏度和长期可靠性,适用于各种应用,如气体分析、拉曼光谱、红外荧光、化学检测、光通信、光功率监控和激光二极管监控。光电探测器有一个可选的FC连接器,该连接器提供了一种使用光纤将探测器连接到样品的便捷方法。它采用小型封装,可轻松组装到光学装置中。
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Opto Diode Corporation的BXT2S-28T是一款两级冷却PbSe单通道红外探测器,峰值灵敏度波长为4.3至4.5µm.它的响应度/光敏度为7.5 X 104 V/W,有源元件面积为4 mm2。该红外探测器的比探测率为3.5×1010cm Hz1/2 W-1,分流电阻为1-15MΩ。它专为制冷和非制冷设备而设计,具有最快的中红外应用响应速度。该探测器为极低电平信号检测提供额外的灵敏度,并为温度处于恒定通量的环境提供增强的稳定性。它采用TO8封装,尺寸为2 X 2 mm,带有平面蓝宝石窗口,是医疗和工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像、国防和安全应用的理想选择。
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工作模式: Photovoltaic 光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.7 pF 响应度/光敏度: 3.7 mA/W
Hamamatsu Photonics的P13243-045CF是一款InAsSb光电二极管,工作波长为4450 nm.光电二极管的灵敏度为3.7mA/W,光谱响应半峰全宽(FWHM)为350nm,探测率为8.2×108cm·Hz1/2/W,光敏面积为0.7×0.7mm,视场为90°,带通滤波器为4.45μm.上升时间为15 ns,噪声等效功率为8.5 X 10-11 W/Hz1/2,分流电阻为300 kΩ。P13243-045F采用陶瓷封装,非常适合火焰监测应用。
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工作模式: Photovoltaic 光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.7 pF 响应度/光敏度: 3.7 mA/W
Hamamatsu Photonics的P13243-045MF是一款InAsSb光电二极管,工作波长为4450 nm.光电二极管的灵敏度为3.7mA/W,光谱响应半峰全宽(FWHM)为350nm,探测率为8.2×108cm·Hz1/2/W,光敏面积为0.7×0.7mm,带通滤波器为4.45μm,视场为82°。它的上升时间为15 ns,噪声等效功率为8.5 X 10-11 W/Hz1/2,分流电阻为300 kΩ。P13243-045MF采用TO-46封装,非常适合火焰监测应用。
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模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.95 µm 光电二极管材料: Pyroelectric, LiTaO3
Laser Components的L2200D1810-JH是一款掺杂钽酸锂的双通道热释电探测器,覆盖从UV到LWIR的宽光谱范围。它集成了运算放大器和有机黑色吸收器,孔径尺寸为2.7 X 1.8 mm.该负极化检测器具有响应度为60000-120000 V/W的100 Gohm反馈电阻器。它具有每当吸收任何辐射时就产生信号的热检测器。该探测器由使用光盲元件集成的TFC(温度通量补偿)组成。L2200D1810-JH需要2.7-10 V直流电源,采用8 X 13.4 mm封装。它是非分散红外气体分析、火焰和火灾探测、非接触式温度测量、火焰控制和湿度监测应用的理想选择。
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工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.6 to 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire
Opto Diode Corporation的BXP-15E是一款基于单通道PbSe的光电二极管,响应速度快,适用于中红外应用。该光电二极管具有1平方的有源元件面积。mm,探测率为2 X 10^10 cm sqrt.Hz/W,峰值灵敏度波长为3.8µm,响应率为3 X 10^4 V/W,电阻为0.7-1.5 mOhm,时间常数小于5µs.BXP-15E光电二极管在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装,带有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。
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工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.6 to 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire
Opto Diode Corporation的BXP-25SE是一款基于单通道PbSe的光电二极管,可为中红外应用提供最快的响应速度。它的有源元件面积为4平方英寸。mm,探测率为2 X 10^10 cm-sqrt.Hz/W.光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm,响应度为1.5 X 10^4 V/W,电阻为0.7-2.5 MΩ,时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装,配有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。
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工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.6 to 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire
Opto Diode Corporation的BXP-35E是一款基于单通道PbSe的光电二极管,响应速度快,适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。该光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm,响应度为1.5 X 10^4 V/W,电阻为0.5-1.75 mΩ,时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装,配有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。
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工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: 2.4 µm Longpass Ge Filter
Opto Diode Corporation的BXP-35F是一款基于单通道PbSe的光电二极管,响应速度快,适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm,响应度为1.0 X 10^4 V/W,电阻为0.5-1.0 mΩ,时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。它采用TO5封装,具有2.4µm长通GE滤波器窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 4.3 to 4.5 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire
Opto Diode Corporation的BXT2S-68TE是基于PbSe的单通道光电二极管,可为中红外应用提供最快的响应速度。它的峰值灵敏度波长为4.3~4.5μm,响应度为1.65×104~2.5×104V/W,有效元件面积为36mm2,最小探测率为1.5×1010cm Hz1/2W-1。其电阻为1-15 MΩ,时间常数为12-25µs.这款红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO8封装,具有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。