Excelitas Technologies的C30642GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为9ns，带宽为40MHz.该光电二极管的击穿电压超过15 V，电容为36-400 PF，暗电流小于2 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为2 mm，有效面积为3.1 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。

Excelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。

Excelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为17ns，带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V，电容为77-530 PF，暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的ExactD-332是一款光谱范围为500-1650 nm的光电二极管模块。它可以从激光测距仪、目标指示器和主动激光光电（E.O.）系统的直接和间接散射光中探测并提供精确的到达角（AOA）信息。该光电二极管使用组装在夹层结构中的5元件Si和InGaAs检测器阵列，并结合3位数字格雷码掩模，以将入射激光束AOA转换为3位数字图案。它具有0.2-0.7A/W的响应度和60dB的动态范围。该光电二极管的上升时间为5 ns，结面积为0.75 mm2，视场为±45°。它的电容为13.5 PF，击穿电压为25 V.EXACTD-332采用TO-8 CAN封装，非常适合激光报警接收器系统、位置确定系统和方向辅助应用。

OSI Laser Diode，Inc.的FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是一款波长范围为1100至1650 nm、带宽为900至1750 MHz的光电二极管。有关FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-H125G-InGaAs-75是波长范围为1100至1650nm、带宽为900MHz的光电二极管。FCI-H125G-InGaAs-75的更多详情见下文。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-H250G-InGaAs-75是波长范围为1100至1650nm、带宽为1750MHz的光电二极管。有关FCI-H250G-InGaAs-75的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-H622M-InGaAs-75是波长范围为1100至1650 nm、带宽为520 MHz的光电二极管。FCI-H622M-InGaAs-75的更多详情见下文。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-1000是一种波长范围为900至1700 nm、电容为80至200 PF、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W的光电二极管。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-120-XX-XX是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120-XX-XX的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-120是波长范围为900至1700 nm、电容为2 PF、暗电流为0.05至2、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.30 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-120ACER是波长范围为900至1700nm、电容为1pF、暗电流为0.05至2nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间为0.3ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120ACER的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-120C-XX-XX是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120C-XX-XX的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-120CCER是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05至2 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120CCER的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-120LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05至2 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120LCER的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-120WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05至2 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120WCER的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-12M是波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-1500是一种波长范围为900至1700 nm、电容为200至450 PF、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W的光电二极管。

来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-16M是波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。