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波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 3 pF 暗电流: 0.1 to 0.75 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.62 A/WOpto Diode Corporation的NXIR-RF100是一款光电二极管，波长范围为320至1100 nm，电容为3 PF，暗电流为0.1至0.75 nA，响应度/光敏度为0.35至0.62 A/W，上升时间为50 nsec.有关NXIR-RF100的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 18 to 80 nm RoHS: yes 电容: 220 to 350 pFOpto Diode Corporation的SXUV100TF135是一款集成薄膜滤波器的光电二极管，工作波长为18至80 nm.该100平方毫米的光电二极管在40纳米处具有0.15 A/W的响应度。它带有保护罩，可以在-10到40摄氏度的温度下工作。
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光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 12 to 18 nm RoHS: Yes 电容: 5 to 20 pFOpto Diode Corporation的SXUV100TF135B是一款集成薄膜滤波器的100平方毫米光电二极管。它的探测范围为12~18nm，在13.5nm处的响应度为0.09A/A.光电二极管具有10兆欧的高分流电阻。它可在黑色塑料容器中的带有保护盖的陶瓷载体中使用。
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光电二极管公司的SXUV5是一种有效面积为5mm2的EUV（极紫外）圆形光电二极管。这款高速光电二极管具有卓越的13.5 nm光刻能力，在1至90 nm的极端UV曝光中具有稳定的响应度，使其成为EUV光最关键测量的理想选择。该器件具有高达1500 PF的电容、高达1 ns的响应时间和高达0.34 A/W的响应度。在大气环境中，该器件的工作温度范围为-10°C至+40°C，在氮气或真空环境中，该器件的工作温度范围为-20°C至+80°C.这款光电二极管符合RoHS规范，采用TO-5封装。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1100 to 1600 nm RoHS: Yes 电容: 0.35 to 0.4 pF 暗电流: 5 to 50 nA来自Emcore Corporation的2651A是一款光电二极管，波长范围为1100至1600 nm，带宽为1000 MHz，电容为0.35至0.4 PF，暗电流为5至50 nA，响应度/光敏度为0.90至0.98 A/W.
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1100 to 1600 nm RoHS: Yes 电容: 0.35 to 0.4 pF 暗电流: 5 to 50 nA来自Emcore Corporation的2651E是一款光电二极管，波长范围为1100至1600 nm，带宽为3000 MHz，电容为0.35至0.4 PF，暗电流为5至50 nA，响应度/光敏度为0.90至0.98 A/W.
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 400 to 1100 nm 电容: 3.5 to 20 pF 暗电流: 0.2 nA 响应度/光敏度: 0.4 to 0.52 A/WFirst Sensor的500128是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为3.5至20 PF，暗电流为0.2 nA，响应度/光敏度为0.4至0.52 A/W.500128的更多详情见下文。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: Scintillator RoHS: YesFirst Sensor的50147701是一款光电二极管，电容为80至500 PF，暗电流为1.5至2.5 nA，响应度/光敏度为0.27 A/W，上升时间为1µs.有关50147701的更多详细信息，请联系我们。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: Scintillator RoHS: YesFirst Sensor的50147702是一款光电二极管，电容为80至500 PF，暗电流为1.5至2.5 nA，响应度/光敏度为0.27 A/W，上升时间为1µs.有关50147702的更多详细信息，请联系我们。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 650 to 860 nm 光电二极管材料: GaAsOSI Optoelectronics的FCI-GaAs-xxM是一款光电二极管，波长范围为650至860 nm，带宽为2 GHz，电容为0.65 PF，暗电流为0.03 nA，响应度/光敏度为0.63 A/W.有关FCI-GaAs-xxM的更多详细信息，请联系我们。
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模块: No 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 25 to 225 pFOSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-Qxxx系列是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，电容为25至225 PF，暗电流为0.5至100 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W，上升时间为3至24 ns.有关FCI-InGaAs-Qxxx系列的更多详细信息，请联系我们。
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模块: No 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pFOSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-xxM系列是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为2 GHz，电容为0.65 PF，暗电流为0.03 nA，响应度/光敏度为0.95 A/W.有关FCI-InGaAs-xxM系列的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1310 nm 光电二极管材料: InGaAs 暗电流: 7 µA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.94 A/WCEL的NR6800系列是一款光电二极管，波长范围为1310 nm，暗电流为7µA，响应度/光敏度为0.80至0.94 A/W.有关NR6800系列的更多详细信息，请联系我们。
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模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 pF 暗电流: 5 µACEL的NR8300FP-CC是一款光电二极管，波长范围为1310 nm、1550 nm，电容为0.35 PF，暗电流为5µA，响应度/光敏度为0.80至0.96 A/W.有关NR8300FP-CC的更多详细信息，请联系我们。
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模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1 to 1.7 pF 暗电流: 5 µACEL的NR8360JP-BC是一款光电二极管，波长范围为1310 nm、1550 nm，电容为1至1.7 PF，暗电流为5µA，响应度/光敏度为0.73至1 A/W.有关NR8360JP-BC的更多详细信息，请联系我们。
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模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1310 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.5 to 0.75 pFCEL的NR8800FS-CB是一款光电二极管，波长范围为1310 nm，电容为0.5至0.75 PF，暗电流为7µA，响应度/光敏度为0.8至0.94 A/W.有关NR8800FS-CB的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.1 to 1.5 pF 暗电流: 0.5 to 3 nAFermionics Opto-Technology的FD100系列是一款光电二极管，波长范围为1300至1550 nm，电容为1.1至1.5 PF，暗电流为0.5至3 nA，响应度/光敏度为0.8至0.90 A/W，上升时间为0.3至0.7 ns.有关FD100系列的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 80 to 150 pF 响应度/光敏度: 0.10 to 0.90 A/WFermionics Opto-Technology的FD1000W系列是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为80至150 PF，响应度/光敏度为0.10至0.90 A/W.有关FD1000W系列的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.5 to 2 pF 暗电流: 0.5 to 3 nAFermionics Opto-Technology的FD150系列是一款光电二极管，波长范围为1300至1550 nm，电容为1.5至2 PF，暗电流为0.5至3 nA，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W，上升时间为0.1至0.3 ns.有关FD150系列的更多详细信息，请联系我们。
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