• PGAx1S03H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片多达4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • PGAx1S09H 脉冲激光二极管 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计,包括多腔单片结构,每个芯片较多有4个有效区域,可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的,产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择,适用于恶劣环境应用。对于大批量应用,可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度,从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间,但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用,因此应进行相应的设计。为此,Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括:MOVPE晶圆生长;生长的GaAs晶片的晶片处理;使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件;引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

  • 光电二极管检测器 PE3B-IN-D0 激光能量计
    加拿大
    分类:激光能量计
    厂商:Gentec-EO
    最大可测量能量: 0.000000245mJ 最大重复率: 1000Hz 有效光圈: 3mm 光谱范围: 0.9 - 1.7 um

    Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管,但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米,直径为38.1毫米。

  • 光电二极管检测器 PE3B-SI-D0 激光能量计
    加拿大
    分类:激光能量计
    厂商:Gentec-EO
    最大可测量能量: 0.000000024mJ 最大重复率: 1000Hz 有效光圈: 3mm 光谱范围: 0.21 - 1.080 um

    Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管,但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米,直径为38.1毫米。

  • 光电二极管检测器PE5B-GE-D0 激光能量计
    加拿大
    分类:激光能量计
    厂商:Gentec-EO
    最大可测量能量: 0.0000024mJ 最大重复率: 1000Hz 有效光圈: 5mm 光谱范围: 0.8 - 1.65 um

    Gentec-EO光电探测器系列包括九个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管,但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。所有探测头的厚度为27.4毫米,直径为38.1毫米。

  • 针孔镜 光圈
    美国
    分类:光圈
    厂商:Lenox Laser
    针孔直径: 100um 安装: Unmounted 部件直径: 25.4mm

    实心铝基板中的针孔镜具有独特的光处理特性。这些反射镜的平面度为1-2波,是激光、干涉测量、高功率望远镜、成像和其他应用的理想选择,在这些应用中,通孔可能是有用的或需要用于选择性的光传输和反射。这些反射镜可用于高功率应用,在这些应用中,薄涂层玻璃基板通常会劣化。其他应用包括信号处理、距离测量、激光滤波、天文学等。针孔镜的标准配置是在120°螺栓圆的反面(非抛光)上有3个2-56-TPI螺纹孔。您的针孔镜将标配安装34/40螺丝,以帮助处理/安装组件。

  • pl 450b激光二极管 半导体激光器
    加拿大
    厂商:World Star Tech
    中心波长: 0.5um 输出功率: 80mW

    World Star Tech提供全系列的蓝色、绿色和红外欧司朗激光二极管。提供这些二极管的完整特性服务,使您的制造过程更简单、更可靠且更具成本效益。我们提供波长、激光器阈值电流、斜率效率、电压和监控二极管信息。所有欧司朗激光二极管均提供分拣服务和波长选择选项。我们有大量的欧司朗激光二极管库存。过时的欧司朗激光二极管也可从库存中获得。请联系我们了解您的要求。PL 450B激光二极管具有单模和3.8毫米封装。PL 450B是投影仪和传感器应用的理想选择,要求可靠的操作,具有较长的使用寿命和稳定的输出功率。

  • plpm4 450 激光二极管 半导体激光器
    加拿大
    厂商:World Star Tech
    中心波长: 0.45um 输出功率: 50000mW

    World Star Tech提供全系列的蓝色、绿色和红外欧司朗激光二极管。提供这些二极管的完整特性服务,使您的制造过程更简单、更可靠且更具成本效益。我们提供波长、激光器阈值电流、斜率效率、电压和监控二极管信息。所有欧司朗激光二极管均提供分拣服务和波长选择选项。我们有大量的欧司朗激光二极管库存。过时的欧司朗激光二极管也可从库存中获得。请联系我们为您的要求。PLPM4 450激光二极管具有多阵列和高功率。PLPM4 450是投影仪和医疗应用的理想选择,要求可靠的操作,具有较长的使用寿命和稳定的输出功率。

  • plpt9 450lb_e 蓝色激光二极管TO90封装 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    中心波长: 0.45um 输出功率: 5000mW

    plpt9 450lb_e欧司朗蓝色激光二极管。TO90封装

  • PLTB 450B激光二极管 半导体激光器
    加拿大
    厂商:World Star Tech
    中心波长: 0.45um 输出功率: 1600mW

    World Star Tech提供全系列的蓝色、绿色和红外欧司朗激光二极管。提供这些二极管的完整特性服务,使您的制造过程更简单、更可靠且更具成本效益。我们提供波长、激光器阈值电流、斜率效率、电压和监控二极管信息。所有欧司朗激光二极管均提供分拣服务和波长选择选项。我们有大量的欧司朗激光二极管库存。过时的欧司朗激光二极管也可从库存中获得。请联系我们了解您的需求。PLTB 450B激光二极管具有多模式和窄波长。PLTB 450B是投影仪和机器视觉应用的理想选择,要求可靠的操作,具有较长的使用寿命和稳定的输出功率。

  • q1072-sf24l ao q-switch 电光调制器(EOM)
    美国
    厂商:Isomet Corp
    孔径: 1.5mm 峰值光功率密度: 300MW/cm^2 波长范围: 1 - 1 nm 变速箱: 80% 消光比: < 10:1

    Q开关是用于产生非常高的峰值功率、短持续时间的激光脉冲的腔内器件。这些典型地是在零级光束上操作的损耗调制器。Q开关的目标是从零级衍射尽可能多的功率,以增加腔损耗并消除激光输出。当对Q开关的RF驱动瞬间关闭时,在激光器中建立的光功率作为短脉冲发射。该过程可以以超过100kHz的速率重复。根据频率和相互作用长度,AO Q开关要么像AOM一样工作在主要具有单个衍射光束的Bragg区域,要么工作在具有多个衍射光束的Raman-Nath区域。

  • QFLD-405-10SAX 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 404nm 输出功率: 10.4mW

    QFLD-405-10SAX光纤耦合二极管

  • QFLD-405-20S 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 406nm 输出功率: 20mW

    QFLD-405-20S光纤耦合激光二极管

  • QFLD-450-10S 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 451nm 输出功率: 10mW

    QFLD-450-10S光纤耦合激光二极管

  • QFLD-450-15SAX 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 448nm 输出功率: 15.2mW

    QFLD-450-15SAX光纤耦合激光二极管

  • QFLD-488-20S 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 488nm 输出功率: 20mW

    QFLD-488-20S光纤耦合激光二极管

  • QFLD-488-20SAX 光纤耦合激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    激光类型: Continuous Wave (CW), Modulated, Pulsed 纤维类型: Single Mode 波长: 488nm 输出功率: 20.1mW

    QFLD-488-20SAX光纤耦合激光二极管

  • Qioptiq 200mW iFLEX-iRIS - 405nm 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.405um 输出功率: 200mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • Qioptiq458nm iFLEX-iRIS 20mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.458um 输出功率: 20mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • Qioptiq 50mW iFLEX-iRIS - 405nm 激光器模块和系统
    波长: 405nm 最大输出功率: 50mW 运行模式: CW, Modulated

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。该功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。