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  • DLS-4 光电二极管
    DLS-4
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 30 to 1500 pF 暗电流: 25 to 12000 nA

    OSI Laser Diode，Inc.的DLS-4是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为30至1500 PF，暗电流为25至12000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为1µs.有关DLS-4的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-125G-006HRL 光电二极管
    FCI-125G-006HRL
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 0.65 to 0.66 pF 暗电流: 20 to 500 pA

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-125G-006HRL是波长范围为850nm、电容为0.65至0.66pF、暗电流为20至500pA、响应度/光敏度为0.36A/W、上升时间为35至38ps的光电二极管。有关FCI-125G-006HRL的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-125G-010HRL 光电二极管
    FCI-125G-010HRL
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 0.94 to 0.96 pF 暗电流: 25 to 500 pA

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-125G-010HRL是波长范围为850nm、电容为0.94至0.96pF、暗电流为25至500pA、响应度/光敏度为0.36A/W、上升时间为47至50ps的光电二极管。有关FCI-125G-010HRL的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-125G-012HRL 光电二极管
    FCI-125G-012HRL
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.13 to 1.16 pF 暗电流: 30 to 500 pA

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-125G-012HRL是波长范围为850nm、电容为1.13至1.16pF、暗电流为30至500pA、响应度/光敏度为0.36A/W、上升时间为60至69ps的光电二极管。有关FCI-125G-012HRL的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-125G-016HRL 光电二极管
    FCI-125G-016HRL
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.70 to 1.73 pF 暗电流: 40 to 500 pA

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-125G-016HRL是波长范围为850nm、电容为1.70至1.73pF、暗电流为40至500pA、响应度/光敏度为0.36A/W、上升时间为84至100ps的光电二极管。有关FCI-125G-016HRL的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-GaAs-12M 光电二极管
    FCI-GaAs-12M
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: GaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-GaAs-12M是波长范围为850 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.63 A/W的光电二极管。

  • FCI-GaAs-4M 光电二极管
    FCI-GaAs-4M
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: GaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA

    OSI Laser Diode，Inc.的FCI-GaAs-4M是一款光电二极管，波长范围850 nm，带宽2 GHz，电容0.65 PF，暗电流0.03 nA，响应度/光敏度0.63 A/W.

  • FCI-H125/250G-InGaAs-XX series 光电二极管
    FCI-H125/250G-InGaAs-XX series
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 1100 to 1650 nm 光电二极管材料: InGaAs

    OSI Laser Diode，Inc.的FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是一款波长范围为1100至1650 nm、带宽为900至1750 MHz的光电二极管。有关FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-H125G-InGaAs-75 光电二极管
    FCI-H125G-InGaAs-75
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 1100 to 1650 nm 光电二极管材料: InGaAs

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-H125G-InGaAs-75是波长范围为1100至1650nm、带宽为900MHz的光电二极管。FCI-H125G-InGaAs-75的更多详情见下文。

  • FCI-H250G-InGaAs-75 光电二极管
    FCI-H250G-InGaAs-75
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 1100 to 1650 nm 光电二极管材料: InGaAs

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-H250G-InGaAs-75是波长范围为1100至1650nm、带宽为1750MHz的光电二极管。有关FCI-H250G-InGaAs-75的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-H622M-InGaAs-75 光电二极管
    FCI-H622M-InGaAs-75
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 1100 to 1650 nm 光电二极管材料: InGaAs

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-H622M-InGaAs-75是波长范围为1100至1650 nm、带宽为520 MHz的光电二极管。FCI-H622M-InGaAs-75的更多详情见下文。

  • FCI-InGaAs-12M 光电二极管
    FCI-InGaAs-12M
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-12M是波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。

  • FCI-InGaAs-16M 光电二极管
    FCI-InGaAs-16M
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-16M是波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。

  • FCI-InGaAs-36C 光电二极管
    FCI-InGaAs-36C
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 1310 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.16 to 0.20 pF 暗电流: 0.5 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.75 to 0.85 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-36C是一款光电二极管，波长范围为1310至1550 nm，带宽为9 GHz，电容为0.16至0.20 PF，暗电流为0.5至2 nA，响应度/光敏度为0.75至0.85 A/W.FCI-InGaAs-36C的更多详情见下文。

  • FCI-InGaAs-4M 光电二极管
    FCI-InGaAs-4M
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-4M是一种波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。

  • FCI-InGaAs-75-XX-XX 光电二极管
    FCI-InGaAs-75-XX-XX
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.75 to 0.90 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75-XX-XX是波长范围为900至1700 nm的光电二极管，电容为0.65 PF，暗电流为0.03 nA，响应度/光敏度为0.75至0.90 A/W，上升时间0.2 ns.有关FCI-InGaAs-75-XX-XX的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75ACER 光电二极管
    FCI-InGaAs-75ACER
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75Acer是波长范围为900至1700nm的光电二极管，电容为0.65pF，暗电流为0.03至2nA，响应度/光敏度为0.80至0.95A/W，上升时间0.2ns.有关FCI-InGaAs-75ACER的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75C-XX-XX 光电二极管
    FCI-InGaAs-75C-XX-XX
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 nA 响应度/光敏度: 0.75 to 0.90 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75C-XX-XX是波长范围为900至1700nm、电容为0.65pF、暗电流为0.03nA、响应度/光敏度为0.75至0.90A/W、上升时间为020ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-75C-XX-XX的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75CCER 光电二极管
    FCI-InGaAs-75CCER
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75CCER是波长范围为900至1700nm、电容为0.65pF、暗电流为0.03至2nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间0.2ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-75CCER的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75LCER 光电二极管
    FCI-InGaAs-75LCER
    美国
    分类：光电二极管
    厂商：OSI Laser Diode, Inc.
    波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 暗电流: 0.03 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75LCER是波长范围为900至1700nm的光电二极管，电容为0.65pF，暗电流为0.03至2nA，响应度/光敏度为0.80至0.95A/W，上升时间为020ns.有关FCI-InGaAs-75LCER的更多详细信息，请联系我们。