6【参数，厂家，图片，选型】-光电查

LDPW 0036

美国

分类：光纤接收器

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

应用: Telecommunications, Line-Terminating, Equipment, Repeaters, Optical Sensor Systems 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 52 Mb/s 探测器灵敏度: -46 to -48 dBm

OSI Laser Diode，Inc.的LDPW 0036是一款光纤接收器，数据速率为52 MB/s，检测器灵敏度为-46至-48 dBm，光功率为-3至0 dBm，波长范围为1550 nm，电源电压为4.5至5.5 V.

LDPW 0065

美国

分类：光纤接收器

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

应用: Telecommunications, Line-Terminating, Equipment, Repeaters, Optical Sensor Systems 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 90 Mb/s 探测器灵敏度: -41 to -43 dBm

OSI Laser Diode，Inc.的LDPW 0065是一款光纤接收器，数据速率为90 MB/s，检测器灵敏度为-41至-43 dBm，光功率为-3至0 dBm，波长范围为1550 nm，电源电压为4.5至5.5 V.

LDSF 0004

美国

分类：光纤接收器

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

应用: Telecommunications, Line-Terminating, Equipment, Repeaters, Optical Sensor Systems 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 6 Mb/s 探测器灵敏度: -51 to -53 dBm

OSI Laser Diode，Inc.的LDSF 0004是一款光纤接收器，数据速率为6 MB/s，检测器灵敏度为-51至-53 dBm，光功率为25 dBm，波长范围为850 nm，电源电压为4.5至5.5 V.LDSF 0004的更多详细信息可在下面查看。

LDSF 0032

美国

分类：光纤接收器

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

应用: Telecommunications, Line-Terminating, Equipment, Repeaters, Optical Sensor Systems 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 45 Mb/s 探测器灵敏度: -44 to -46 dBm

OSI Laser Diode，Inc.的LDSF 0032是一款光纤接收器，数据速率为45 MB/s，检测器灵敏度为-44至-46 dBm，光功率为25 dBm，波长范围为850 nm，电源电压为4.5至5.5 V.LDSF 0032的更多详细信息见下文。

LDSF 0065

美国

分类：光纤接收器

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

应用: Telecommunications, Line-Terminating, Equipment, Repeaters, Optical Sensor Systems 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 90 Mb/s 探测器灵敏度: -40 to -42 dBm

OSI Laser Diode，Inc.的LDSF 0065是一款光纤接收器，数据速率为90 MB/s，检测器灵敏度为-40至-42 dBm，光功率为25 dBm，波长范围为850 nm，电源电压为4.5至5.5 V.LDSF 0065的更多详细信息可在下面查看。

LDSF 0120

美国

分类：光纤接收器

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

应用: Telecommunications, Line-Terminating, Equipment, Repeaters, Optical Sensor Systems 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 168 Mb/s 探测器灵敏度: -37 to -39 dBm

OSI Laser Diode，Inc.的LDSF 0120是一款光纤接收器，数据速率为168 MB/s，检测器灵敏度为-37至-39 dBm，光功率为25 dBm，波长范围为850 nm，电源电压为4.5至5.5 V.有关LDSF 0120的更多详细信息，请联系我们。

LPAD 0622

美国

分类：光纤接收器

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

应用: Supervisory channel, Long haul transmission networks, Short haul transmission networks, DWDM transponders, SDH/SONET single mode applications, Instrumentation and testing, Data communications 光电二极管半导体: InGaAs 光电二极管类型: PIN Photodiode 数据速率: 622 Mb/s 探测器灵敏度: -31 to -33 dBm

来自OSI Laser Diode，Inc.的LPAD 0622是具有数据速率622Mb/s、检测器灵敏度-31至-33dBm、波长范围1310至1550nm、电源电压4.75至5.25V、电源电流30mA的光纤接收器。有关LPAD 0622的更多详细信息，请联系我们。

RT2000PT-155FCL

美国

分类：光纤接收器

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

应用: Telecom, Datacom 探测器灵敏度: -36 to -38 dBm 波长范围: 1310 to 1550 nm

来自OSI Laser Diode，Inc.的RT2000PT-155FCL是具有检测器灵敏度-36至-38 dBm、波长范围1310至1550 nm、电源电压4.8至5.5 V、电源电流70至125 mA的光纤接收器。有关RT2000PT-155FCL的更多详细信息，请联系我们。

RT2000PT-622FCL

美国

分类：光纤接收器

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

应用: Telecom, Datacom 探测器灵敏度: -30 to -32 dBm 波长范围: 1310 to 1550 nm

OSI Laser Diode，Inc.的RT2000PT-622FCL是一种光纤接收器，其检测器灵敏度为-30至-32 dBm，波长范围为1310至1550 nm，电源电压为4.8至5.5 V，电源电流为70至125 mA.有关RT2000PT-622FCL的更多详细信息，请联系我们。

LAPD 3050

美国

分类：光电探测器

厂商：OSI Laser Diode, Inc.

光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 1000 to 1650 nm 暗电流: 2 nA 电容: 1 pF

来自OSI Laser Diode，Inc.的LAPD 3050是波长范围为1000至1650 nm、暗电流为2 nA、电容为1 PF、带宽为2.5 GHz、响应度/光敏度为7至9 A/W的光学检测器。

UPD-200-SD

德国

分类：光电探测器

厂商：ALPHALAS

光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

来自AlphaLas的UPD-200-SD是波长范围为320至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-SD的更多详细信息，请联系我们。

UPD-200-SP

德国

分类：光电探测器

厂商：ALPHALAS

光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

来自AlphaLas的UPD-200-SP是波长范围为320至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-SP的更多详细信息，请联系我们。

UPD-200-UD

德国

分类：光电探测器

厂商：ALPHALAS

光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

来自AlphaLas的UPD-200-UD是波长范围为170至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学检测器。有关UPD-200-UD的更多详细信息，请联系我们。

UPD-200-UP

德国

分类：光电探测器

厂商：ALPHALAS

光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

来自AlphaLas的UPD-200-UP是波长范围为170至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-UP的更多详细信息，请联系我们。

UPD-40-VSI-P

德国

分类：光电探测器

厂商：ALPHALAS

光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 500 to 1690 nm 上升时间: 40 ps 暗电流: 5000 nA

来自AlphaLas的UPD-40-VSI-P是波长范围为500至1690nm、上升时间为40ps、暗电流为5000nA、带宽为8.5GHz、有源区直径为0.04mm的光学探测器。有关UPD-40-VSI-P的更多详细信息，请联系我们。

UPD-500-SD

德国

分类：光电探测器

厂商：ALPHALAS

光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA

来自AlphaLas的UPD-500-SD是波长范围为320至1100nm、上升时间为500ps、暗电流为0.01nA、带宽为0.6GHz、有源区直径为0.5mm的光学探测器。有关UPD-500-SD的更多详细信息，请联系我们。

UPD-500-SP

德国

分类：光电探测器

厂商：ALPHALAS

光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA

来自AlphaLas的UPD-500-SP是波长范围为320至1100nm、上升时间为500ps、暗电流为0.01nA、带宽为0.6GHz、有源区直径为0.5mm的光学探测器。有关UPD-500-SP的更多详细信息，请联系我们。

UPD-500-UD

德国

分类：光电探测器

厂商：ALPHALAS

光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA

来自AlphaLas的UPD-500-UD是波长范围170至1100nm、上升时间500ps、暗电流0.01nA、带宽0.6GHz、有源区直径0.5mm的光学检测器。有关UPD-500-UD的更多详细信息，请联系我们。

UPD-500-UP

德国

分类：光电探测器

厂商：ALPHALAS

光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA

来自AlphaLas的UPD-500-UP是波长范围为170至1100nm、上升时间500ps、暗电流0.01nA、带宽0.6GHz、有源区直径0.5mm的光学检测器。有关UPD-500-UP的更多详细信息，请联系我们。

UPD-5N-IR2-P

德国

分类：光电探测器

厂商：ALPHALAS

光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 2600 nm 上升时间: 200 ps 暗电流: 2000 nA

来自AlphaLas的UPD-5N-Ir2-P是波长范围为800至2600nm、上升时间为200ps、暗电流为2000nA、带宽为0.3GHz、有源区直径为0.07mm的光学探测器。有关UPD-5N-IR2-P的更多详细信息，请联系我们。