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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.25 to 0.4 pF 暗电流: 0.1 to 1 nAFermionics Opto-Technology的FD50系列是一款光电二极管，波长范围为1300至1550 nm，电容为0.25至0.4 PF，暗电流为0.1至1 nA，响应度/光敏度为0.8至0.90 A/W，上升时间为100至200 PS.有关FD50系列的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.4 to 0.75 pF 暗电流: 0.1 to 1 nAFermionics Opto-Technology的FD80系列是一款光电二极管，波长范围为1300至1550 nm，电容为0.4至0.75 PF，暗电流为0.1至1 nA，响应度/光敏度为0.8至0.90 A/W，上升时间为0。有关FD80系列的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 850 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 750 to 2500 pF 暗电流: 5 to 10 µA 响应度/光敏度: 0.10 to 0.95 A/WGPD Optoelectronics的GAP5000是一款光电二极管，波长范围为850至1550 nm，带宽为4 MHz，电容为750至2500 PF，暗电流为5至10µA，响应度/光敏度为0.10至0.95 A/W.有关GAP5000的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.8 to 2.2 pF 暗电流: 8 to 25 nAGPD Optoelectronics的IAV204是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV204的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 25 nAGPD Optoelectronics的IAV350是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.6 GHz，电容为3.2至4 PF，暗电流为30至25 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV350的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 250 nAGPD Optoelectronics的IAV352是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.6 GHz，电容为3.2至4 PF，暗电流为30至250 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 3.2 to 4 pF 暗电流: 30 to 250 nAGPD Optoelectronics的IAV353是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.6 GHz，电容为3.2至4 PF，暗电流为30至250 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nAGPD Optoelectronics的IAV80是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV80的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nAGPD Optoelectronics的IAV80BL是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV80BL的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nAGPD Optoelectronics的IAV80PTS是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.IAV80PTS的更多详情见下文。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nAGPD Optoelectronics的IAV81是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV81的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 1 to 1.63 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.35 to 0.45 pF 暗电流: 4 to 15 nAGPD Optoelectronics的IAV82是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV82的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1 to 1.65 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.45 to 0.65 pF 暗电流: 0.1 to 0.3 nA来自Precision Micro-Optics的DPIN-222是一款光电二极管，波长范围为1至1.65µm，电容为0.45至0.65 PF，暗电流为0.1至0.3 nA，响应度/光敏度为0.88到0.95 A/W.DPIN-222的更多详情见下文。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1 to 1.65 µm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 5 to 6 pF 暗电流: 0.5 to 1 nA
Precision Micro-Optics的DPIN-422是一款光电二极管，波长范围为1至1.65µm，电容为5至6 PF，暗电流为0.5至1 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W，上升时间为3 ns.有关DPIN-422的更多详细信息，请联系我们。
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模块: Yes 波长范围: 800 to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 响应度/光敏度: 10.5 A/WSensors Unlimited的LE/LSE系列是波长为0.8-2.2μm的InGaAs线性光电二极管阵列。这些光电二极管阵列的像素间距为25/50μm，像素高度为250/500μm.它们具有1.5μm的峰值波长灵敏度和10.5nV/光子的最小响应度。这些光电二极管阵列需要4.9-5.25 V的模拟电源。LE/LSE光电二极管阵列具有防晕光保护功能，可防止电荷从饱和像素流出，并允许增加场景内动态范围。它们与CMOS读出集成电路（ROIC）集成，可提供最大的抗扰度和灵敏度。这些光电二极管阵列需要一个模拟电源和两条数字控制线，以实现最佳ROIC性能，并提供通过单个输入选择两个独立增益的选项。它们由1级或2级热电冷却器组成，用于温度稳定和监控。这些光电二极管阵列采用ESD保护模块，非常适合FTIR/NIR干涉测量、NIR分子光谱、生物医学分析、塑料回收、工业过程控制和检测、机器视觉、农业分拣和热成像应用。
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光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 0.8 µm to 1.7 µm 光电二极管材料: InGaAsSensors Unlimited的SU1024LE-1.7是一款光电二极管，波长范围为0.8µm至1.7µm，响应度/光敏度为10.5 nV/光子。有关SU1024LE-1.7的更多详细信息，请联系我们。
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波长范围: 400 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon 窗口材料: Flat WindowCentronic的ASD 1.75-3T-10M/10K是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，带宽为10 kHz，上升时间为50µs.有关ASD 1.75-3T-10M/10K的更多详细信息，请联系我们。
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