• MK-25 - 100 DPSS激光器 激光器模块和系统
    波长: 1535nm 平均值功率: 0.1W 重复频率: 0.001 - 0.005 kHz 空间模式: 1.7 脉宽: 6ns

    L3 Kigre制造微型“眼睛安全”二极管泵浦1.54µm铒玻璃激光发射器和专业激光和滤光玻璃材料,优化用于微芯片、微板、光纤、波导和磁盘激光/放大器应用。L3的MK-25是一款“人眼安全”的1.54µm二极管泵浦被动调Q铒玻璃激光发射器,无集成光电二极管。

  • MK-25 - 150A DPSS激光器 激光器模块和系统
    波长: 1535nm 平均值功率: 0.1W 重复频率: 0.001 - 0.005 kHz 空间模式: 1.7 脉宽: 6ns

    L3 Kigre制造微型“眼睛安全”二极管泵浦1.54µm铒玻璃激光发射器和专业激光和滤光玻璃材料,优化用于微芯片、微板、光纤、波导和磁盘激光/放大器应用。L3的MK-25-150A是一款“人眼安全”的1.54µm二极管泵浦被动调Q铒玻璃激光发射器,无集成光电二极管。

  • MK-82 DPSS激光器 激光器模块和系统
    波长: 1535nm 平均值功率: 0.04W 重复频率: 0.001 - 0.002 kHz 空间模式: 1.7 脉宽: 6ns

    L3 Kigre制造微型“眼睛安全”二极管泵浦1.54µm铒玻璃激光发射器和专业激光和滤光玻璃材料,优化用于微芯片、微板、光纤、波导和磁盘激光/放大器应用。L3的MK-82是一款“人眼安全”的1.54µm二极管泵浦被动调Q铒玻璃激光发射机,集成了光电二极管。

  • MK-85 DPSS激光器 激光器模块和系统
    波长: 1535nm 平均值功率: 0.02W 重复频率: 0.001 - 0.01 kHz 空间模式: 1.7 脉宽: 6ns

    L3 Kigre制造微型“眼睛安全”二极管泵浦1.54µm铒玻璃激光发射器和专业激光和滤光玻璃材料,优化用于微芯片、微板、光纤、波导和磁盘激光/放大器应用。L3的MK-85是一款“人眼安全”的1.54µm二极管泵浦被动调Q铒玻璃激光发射机,集成了光电二极管。

  • MK-88 DPSS激光器 激光器模块和系统
    波长: 1535nm 平均值功率: 0.3W 重复频率: 0.001 - 0.01 kHz 空间模式: 1.7 脉宽: 6ns

    L3 Kigre制造微型“人眼安全”1.54µm铒玻璃激光发射器和专业激光和滤光玻璃材料,优化用于微芯片、微板、光纤、波导和磁盘激光/放大器应用。L3的MK-88是一款“人眼安全”的1.54µm二极管泵浦被动调Q铒玻璃激光发射机,集成了光电二极管。

  • ML1856 蝴蝶模块 半导体激光器
    芬兰
    厂商:Modulight Inc.
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Single Mode 波长: 1550nm 输出功率: 500mW 纤维芯直径: 200um

    14引脚蝶形封装激光二极管系列提供了利用Modulight单发射器芯片性能的紧凑方式。该封装保留了内部TEC和光电二极管。标准配置包括200µm纤芯光纤和SMA-905连接器。如有要求,可提供其他连接器和光纤类型。

  • ML1862蝴蝶模块 半导体激光器
    芬兰
    厂商:Modulight Inc.
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Single Mode 波长: 635nm 输出功率: 400mW 纤维芯直径: 200um

    14引脚蝶形封装激光二极管系列提供了利用Modulight单发射器芯片性能的紧凑方式。该封装保留了内部TEC和光电二极管。标准配置包括200µm纤芯光纤和SMA-905连接器。如有要求,可提供其他连接器和光纤类型。

  • ML1982 蝴蝶模块 半导体激光器
    芬兰
    厂商:Modulight Inc.
    激光类型: Continuous Wave (CW) 纤维类型: Single Mode 波长: 650nm 输出功率: 750mW 纤维芯直径: 200um

    14引脚蝶形封装激光二极管系列提供了利用Modulight单发射器芯片性能的紧凑方式。该封装保留了内部TEC和光电二极管。标准配置包括200µm纤芯光纤和SMA-905连接器。如有要求,可提供其他连接器和光纤类型。

  • nortus光电二极管 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    APD 类型: InGaAs 工作波长范围: 50 - 5000 nm

    在我们的帮助下,您将找到具有高时钟速率、低暗电流和低电容的高质量InGaAs光电二极管,其有效面积为50至5000nm。有不同的外壳可供选择,当然我们也可以提供客户特定的解决方案。

  • 光电二极管MID-IR PD 24-03-PA 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 2430nm

    光电二极管PD 24-03设计用于探测1000至2430nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器(-PA)在光伏模式下工作(零偏置)。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器,并封装在铝管中,用于保护和屏蔽。

  • 光电二极管MID-IR PD 24-03-TO 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: GaInAsSb 工作波长: 2430nm

    光电二极管PD 24-03设计用于探测1000至2430nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与GaSb衬底晶格匹配的窄带隙GaInAsSb/AlGaAsSb基异质结构制成。

  • 光电二极管MID-IR PD 25-05-PA 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 2500nm

    光电二极管PD 25-05设计用于检测1000至2500nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器(-PA)在光伏模式下工作(零偏置)。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器,并封装在铝管中,用于保护和屏蔽。

  • 光电二极管MID-IR PD 25-05-TO 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 2500nm

    光电二极管PD 25-05设计用于探测1000至2500nm中红外光谱范围内的辐射。

  • 光电二极管MID-IR PD 25-10-PA 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 2460nm

    光电二极管PD 25-10被设计用于检测从1000到2500nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器(-PA)在光伏模式下工作(零偏置)。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器,并封装在铝管中,用于保护和屏蔽。

  • MID-IR光电二极管PD 25-10-TO 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 2500nm

    光电二极管PD 25-10设计用于探测1000至2500nm中红外光谱范围内的辐射。

  • 光电二极管MID-IR PD 36-03-PA 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InAsSbP 工作波长: 3800nm

    光电二极管PD 36-03被设计用于检测从1800到3800nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器(-PA)在光伏模式下工作(零偏置)。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器,并封装在铝管中,用于保护和屏蔽。

  • 光电二极管MID-IR PD 36-03-TO 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InAsSbP 工作波长: 3800nm

    光电二极管PD 36-03被设计用于检测从1800到3800nm的中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

  • 光电二极管MID-IR PD 36-05-PA 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InAsSbP 工作波长: 3800nm

    光电二极管PD 36-05被设计用于检测从1800到3800nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器(-PA)在光伏模式下工作(零偏置)。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器,并封装在铝管中,用于保护和屏蔽。

  • 光电二极管MID-IR PD 36-05-TO 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InAsSbP 工作波长: 3600nm

    光电二极管PD 36-05设计用于检测1800至3600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

  • 光电二极管MID-IR PD 41-03-PA 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InAsSbP 工作波长: 4100nm

    光电二极管PD 41-03设计用于检测3000至4100nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器(-PA)在光伏模式下工作(零偏置)。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器,并封装在铝管中,用于保护和屏蔽。