从InGaAs半导体（二极管）激光器发射的975nm IR波长辐射。这种975nm激光器是在近红外区域发射的二极管激光源。这是一个毫米光纤耦合激光二极管模块，可以通过USB方便地连接和控制。

Gentec-EO光电探测器系列包括9个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

Gentec-EO光电探测器系列包括9个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

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HL7001MG/02MG InGaAsP半导体激光器

OSI激光二极管公司InGaAs PIN探测器在微型同轴模块中提供了小尺寸和高性能。LDI的探测器模块专为提供高响应度和低泄漏而设计，具有低背反射和低偏振相关损耗（PDL）。探测器模块具有高可靠性，符合Telcordia GR-468-CORE的要求。LPD 3080同轴器件可提供245um或900um护套光纤，并提供两种背向反射水平。

LAPD 1550-200R是一款200um InGaAs APD，采用3引脚TO46密封封装。低噪声、高灵敏度

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来自Laserscom的LDS-1310-FP-1.25G-15/80是耦合到光纤的1310nm InGaAsP激光二极管。在单模光纤G.657.A1中，它在CW模式下提供高达15 MW的光输出功率，在脉冲模式下提供高达80 MW的光输出功率。这款法布里-珀罗激光二极管提供高达1.25 Gbps的数据速率，并内置监控光电二极管。该激光二极管是激光系统和数据速率高达1.25 Gbps的光纤通信系统的理想选择。

来自Laserscom的LDS-1450-DFB-2.5G-15/45是耦合到光纤的1450nm InGaAsP MQW激光二极管。在单模光纤G.657.A1中，它在CW模式下提供高达15 MW的光功率，在脉冲模式下提供高达45 MW的光功率。该激光二极管具有高达2.5Gbps的数据速率和小于500kHz的线宽。该二极管的工作电压为1.4至1.7 V，功耗高达120 mA.该激光二极管采用同轴封装，是光纤通信系统的理想选择。

Laserscom的LDS-1590-DFB-2.5G-15/45是一款InGaAsP多量子阱激光二极管，工作波长为1587至1593 nm.激光二极管提供高达15 MW（CW）和45 MW（峰值脉冲）的光输出功率。它具有边模抑制比大于40dB的DFB腔，并且具有低于500kHz的谱线宽度。激光二极管基于LDS技术，可提供增强的光功率热稳定性，跟踪误差为0.15 dB.它需要1.7 V的直流电源，电流消耗高达120 mA.激光二极管集成了光电二极管，并采用带光纤连接器的同轴封装。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信。该激光二极管可从制造商处订购特定配置。

来自QSI的QL94J6SA/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的940nm波段InGaAs激光二极管。它为工业光学模块和传感器应用提供50 MW的光输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装，内置光电二极管，用于监控激光二极管。

Broadcom的AFBR-S20N1N256是一款近红外光谱仪，工作波长范围为950至1700 nm.它有一个未冷却的256像素InGaAs传感器阵列，具有30微米的入口狭缝，可提供具有高杂散光抑制的可靠测量。该光谱仪具有16位ADC，可提供12000：1的动态范围和大于10000的最大SNR.积分时间为4μs至5分钟，并可对波长、灵敏度、非线性和存储在设备中的多个暗光谱进行校准。该光谱仪可通过USB 2.0 Type-C、SPI和UART接口进行控制。AFBR-S20N1N256需要5 V直流电源，功耗为30 mA.它采用坚固紧凑的封装，尺寸为60 X 50 X 19 mm，并具有用于光学接口的SMA连接器。该光谱仪适用于农业分析、食品安全、化学分析、质量控制、石化分析、环境分析、生物医学应用、制药分析、过程控制和监测应用。

Excelitas Technologies的C30619GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为0.5ns，带宽为700MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为2-15 PF，暗电流为20 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为0.5 mm，有效面积为0.2 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的C30641GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为2ns，带宽为150MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为9-60 PF，暗电流高达50 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该圆形光电二极管的有效直径为1 mm，有效面积为0.8 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。