Quantum Semiconductor International生产的QL63D4SA/B/C是一款连续波红色激光二极管，工作波长为635 nm.该单个横向激光二极管提供5mW的光输出功率。它具有8度的平行光束发散角和35度的垂直光束发散角。QL63D4SA/B/C需要24 mA的阈值电流、32 mA的工作电流和30 V的反向电压。它采用5.6 mm TO-CAN封装，非常适合光学水平仪和激光指示器应用。

来自OSRAM的SPL PL90_3，是波长为905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管。输出峰值功率为65W-85W，脉宽为1-100ns，光谱带宽7nm.该激光二极管有3个发射器，光束发散角（FWHM）为9°（平行）和25°（垂直）。它的阈值电流为0.75 A，反向电压高达3 V。它需要9 V的直流电源，正向电流高达40 A。该激光二极管采用Ø5.8 X 32 mm的塑料封装，非常适合电子设备、设备照明（如固化、内窥镜）、工矿灯行业、工业自动化、安全安保和CCTV应用。

来自Vixar的V00145，是波长为795nm的单模VCSEL芯片（裸片）。输出功率为0.13mW，线宽≤100MHz，调制带宽≥3.4GHz，可应用于原子钟，磁力计。该产品为现货，如有需要，请联系我们。

1290nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)封装在紧凑的同轴外壳中，配有单模光纤尾纤。适用于光纤传感、激光传输和光通信应用，具有低驱动电流和温度稳定性。

1060 nm 垂直腔面发射激光器（VCSEL）采用紧凑的同轴外壳，配有单模光纤尾纤，专为光纤传感、激光发射器和光通信应用设计。其驱动电流非常低，并可以通过内置TEC进行温度稳定。

1310 nm 垂直腔面发射激光器（VCSEL）采用紧凑的同轴外壳，配备单模光纤尾纤，专为光纤传感、激光发射器和光通信应用设计。它需要非常低的驱动电流，并可通过内置的TEC进行温度稳定。

线激光剖面测量系统（LLPS）是一套完整的解决方案，用于分析长达200 mm、宽至55µm的线激光。通过使用我们的200 mm线性载物台在光束长度上扫描Dataray的旗舰WinCAMD-LCM4光束轮廓相机，全功能免费软件将显示线激光强度分布的完整图像，以及垂直质心图、线宽图和其他几个有用的测量结果。线激光仿形–长达200毫米线激光仿形系统由Dataray的全功能、高度可定制、以用户为中心的软件支持，该软件无许可费、无限制安装和免费软件更新。软件控制载物台的移动，自动配置线激光扫描的较佳曝光时间，并提供线的分析。

线激光剖面测量系统（LLPS）是一套完整的解决方案，用于分析长达200 mm、宽至55µm的线激光。通过使用我们的200 mm线性载物台在光束长度上扫描Dataray的旗舰WinCAMD-LCM4光束轮廓相机，全功能免费软件将显示线激光强度分布的完整图像，以及垂直质心图、线宽图和其他几个有用的测量结果。线激光仿形–长达200毫米线激光仿形系统由Dataray的全功能、高度可定制、以用户为中心的软件支持，该软件无许可费、无限制安装和免费软件更新。软件控制载物台的移动，自动配置线激光扫描的较佳曝光时间，并提供线的分析。

RamSpec-VUV在冷却至-45℃的25 mm×7 mm背面减薄CCD探测器上捕获超光谱拉曼光谱图像。它可以捕获1044像素宽的光谱，分辨率高达0.01 nm，每个光谱元素有多达256个垂直元素。光谱仪的工作范围是140和550 nm之间的任何10 nm波段。RamSpec-VUV是先进个可用于真空紫外光谱区域的商用拉曼光谱仪，也是先进个在177-190nm真空紫外范围内测量拉曼散射信号的仪器。该系统被设计成允许各种光栅排列之间的互换性，以获得较佳配置。

线激光轮廓扫描系统（LLPS）是一个完整的解决方案，用于分析长度最长达200毫米、宽度最小达55微米的线激光。通过在我们的200毫米线性平台上扫描DataRay旗舰型号WinCamD-LCM光束成形摄像机沿着激光束的长度，这款功能齐全且免费的软件将显示线激光强度分布的完整图像，以及垂直质心图、线宽图和其他几个有用的测量结果。

VM100-850-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品，供开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统使用。VCSEL通过顶部表面单独接触，使用地-源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。

VM100-850-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现已作为工程样品提供，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL器件通过顶部分别使用地源-地源（GSG）微探针或线键进行接触。

V50-850-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列可作为工程样品用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源（GS）微探针、线键合或倒装键合在顶面单独接触。

这些紧凑且具有非常高调制速率的顶部发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片是用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的工程样品。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶面单独接触。

VM100-910-SM-MA-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。这些VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面进行接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速操作。

V25-850-HT紧凑且具有高调制速率的高温顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4）阵列作为工程样品提供，用于开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统。VCSELs在顶表面上单独接触，使用地源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。此VCSEL版本具有非常高的温度稳定性，并且可以在25°C至125°C范围内工作。适用于以太网、汽车应用和有源光缆（AOC），具有高达28 Gbit/s的速率。

VM100-880-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL可以通过接地-源-接地(GSG)微探针或线键合在顶表面上单独接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速运行。

VM100-910-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶部表面单独接触。

V25-940-SG-MA-HP-C1紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面单独接触。新的多孔设计可在高输出功率下实现高速操作，适用于高速传感和光无线应用。适用于高速光通信和光无线应用。

VM100-940-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的基于GaAs的顶面发射垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现作为工程样品供应，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL通过顶部使用地源-地源（GSG）微探针或线键单独接触。新的多孔径设计使其能够单模发射并在高输出功率下高速运行。适用于200G/400G SWDM、专有光互连和有源光缆(AOC)等应用。