Laser Components的SAH系列是低成本的通用硅APD，波长范围为400至1000 nm.它们的峰值灵敏度为800 nm，有效区域直径为230µm和500µm.针对850 nm和905 nm测距仪优化了响应度。这些APD采用微型SMD封装，是测距和光通信系统的理想选择。

Laser Components的SAH1L12系列是低噪声、高灵敏度、12元件线性硅雪崩光电二极管阵列，工作波长为800至900 nm.它们可以提供高达60 MW的功耗。APD具有较低的温度系数，元件之间的间隙仅为40µm.这些器件采用带保护窗的14引脚DIL封装，非常适合测距、激光扫描仪和激光雷达ACC应用。

来自Laser Components的SAH1L16系列是线性Si-APD阵列，具有16个元件，采用带保护窗的LCC44封装。响应度优化为850 nm.它们具有低噪声、高速度和高量子效率的特点。这些阵列每个元件的有效面积为620µm X 190µm，可在-40至85℃的宽温度范围内工作。它们是测距、激光雷达ACC和激光扫描仪应用的理想选择。

Laser Components的SAP500系列基于“穿透”结构，具有出色的量子效率、极低的噪声和体暗电流以及高增益。该APD的有效面积为D=500µm，既可用于增益高达250或更高的正常线性模式，也可用于“盖革”模式。盖革模式APD可以被偏置在击穿电压之上，以允许检测单个光子。SAP500系列可用于各种要求苛刻的应用，包括激光雷达、光谱学、小信号荧光检测和光子计数。APD密封在改进的TO-46封装中，或者作为选项，它可以与TO-37封装中的一级TEC或TO-8封装中的二级TEC一起提供。

Laser Components的SUR500X是一款雪崩光电二极管（APD），可在260 nm至1000 nm的商用波长范围内提供无与伦比的噪声和灵敏度性能。它基于硅“穿透”结构，在DUV/UV波长范围内具有高灵敏度。有源区的直径为0.5mm.该APD在10μA的暗电流下具有200V的击穿电压。SUR500X采用特殊的密封TO-46封装，针对紫外线波长范围进行了优化。它是荧光测量、分析设备、医疗、闪烁和高速光度测量应用的理想解决方案。

Opto Diode Corporation的AXUV100TF400是一款具有集成薄膜滤波器的100 mm2方形有效面积光电二极管。它的探测范围为18 nm至80 nm，响应度为0.15 A/W@40 nm.该光电二极管非常适合用于探测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。它在黑色塑料容器中配有保护盖。

Opto Diode Corporation的AXUV20A是一种圆形光电二极管，有效面积为5.5 mm直径，对电子能级的灵敏度低至100eV.它的分流电阻超过100 mOhm，电容低于10 N，反向击穿电压为10 V，上升时间为2µs.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C（大气环境）和-20°C至+80°C（氮气或真空环境）。该器件配有保护盖板，以保护光电二极管芯片和焊线。

Opto Diode Corporation的AXUV20HS1是一款圆形光电二极管，有效面积为20平方。嗯。它的电容小于800pF，反向击穿电压为160V，上升时间为3.5nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C（大气环境）和-20°C至+80°C（氮气或真空环境）。该设备是EUV探测的理想选择。它配有保护盖板，以保护光电二极管芯片和焊线。

Opto Diode Corporation的AXUV63HS1是一款圆形光电二极管，有效面积为63 sq.对电子能级的灵敏度低至100eV.它的电容小于85pF，反向击穿电压为160V，上升时间为10nsec.该光电二极管的工作温度范围为-10°C至+40°C（大气环境）和-20°C至+80°C（氮气或真空环境）。该器件配有保护盖板，以保护光电二极管芯片和焊线。

Opto Diode Corporation的BXP-15E是一款基于单通道PbSe的光电二极管，响应速度快，适用于中红外应用。该光电二极管具有1平方的有源元件面积。mm，探测率为2 X 10^10 cm sqrt.Hz/W，峰值灵敏度波长为3.8µm，响应率为3 X 10^4 V/W，电阻为0.7-1.5 mOhm，时间常数小于5µs.BXP-15E光电二极管在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装，带有平面蓝宝石窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

Opto Diode Corporation的BXP-25SE是一款基于单通道PbSe的光电二极管，可为中红外应用提供最快的响应速度。它的有源元件面积为4平方英寸。mm，探测率为2 X 10^10 cm-sqrt.Hz/W.光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm，响应度为1.5 X 10^4 V/W，电阻为0.7-2.5 MΩ，时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装，配有平面蓝宝石窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

Opto Diode Corporation的BXP-35E是一款基于单通道PbSe的光电二极管，响应速度快，适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。该光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm，响应度为1.5 X 10^4 V/W，电阻为0.5-1.75 mΩ，时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装，配有平面蓝宝石窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

Opto Diode Corporation的BXP-35F是一款基于单通道PbSe的光电二极管，响应速度快，适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm，响应度为1.0 X 10^4 V/W，电阻为0.5-1.0 mΩ，时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。它采用TO5封装，具有2.4µm长通GE滤波器窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

Opto Diode Corporation的BXT2S-68TE是基于PbSe的单通道光电二极管，可为中红外应用提供最快的响应速度。它的峰值灵敏度波长为4.3~4.5μm，响应度为1.65×104~2.5×104V/W，有效元件面积为36mm2，最小探测率为1.5×1010cm Hz1/2W-1。其电阻为1-15 MΩ，时间常数为12-25µs.这款红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO8封装，具有平面蓝宝石窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

Opto Diode Corporation的NXIR-5C是一款红光至近红外（NIR）增强型光电二极管，圆形有效面积为5 mm2。光电二极管具有从320nm到1100nm的光谱响应。该器件具有出色的响应度、低反向偏压和高灵敏度，在850 nm时为0.62 A/W，在1064 nm时为0.35 A/W.该光电二极管在1nA时具有低暗电流，在10伏时具有5皮法（PF）的低电容，以及大于100mΩ的高分流电阻。它采用定制的4.7 mm X 4.9 mm陶瓷载体表面贴装器件（SMD）封装。坚固的封装具有AR涂层窗口，可提供超过98%的透射率。NIR增强型探测器适用于激光监测、医疗诊断设备、工业自动化、科学测量和军事应用。SMD符合RoHS和REACH标准，并以卷带和卷盘形式提供。

Opto Diode Corporation的NXIR-RF100C是一款表面贴装光电二极管，工作波长为320至1100 nm.它的感光面积为1×1mm，灵敏度为0.62A/W（λ=850nm），0.35A/W（λ=1064nm）。光电二极管是激光监测、雨水和阳光传感器应用的理想选择。

Opto Diode Corporation的SXUV100TF135是一款集成薄膜滤波器的光电二极管，工作波长为18至80 nm.该100平方毫米的光电二极管在40纳米处具有0.15 A/W的响应度。它带有保护罩，可以在-10到40摄氏度的温度下工作。

光电二极管公司的SXUV5是一种有效面积为5mm2的EUV（极紫外）圆形光电二极管。这款高速光电二极管具有卓越的13.5 nm光刻能力，在1至90 nm的极端UV曝光中具有稳定的响应度，使其成为EUV光最关键测量的理想选择。该器件具有高达1500 PF的电容、高达1 ns的响应时间和高达0.34 A/W的响应度。在大气环境中，该器件的工作温度范围为-10°C至+40°C，在氮气或真空环境中，该器件的工作温度范围为-20°C至+80°C.这款光电二极管符合RoHS规范，采用TO-5封装。

Thorlabs Inc的DET100A2是一款偏置硅探测器模块，可探测320至1100 nm波长范围内的光信号。其光电二极管的有效面积为75.4 mm2，输出电流高达10 mA.该探测器的上升时间为35 ns，峰值响应为0.72 A/W，偏置电压为10 V，暗电流最高可达10 nA.它有一个可拆卸的1 “光耦合器，可轻松安装ND滤光片、光谱滤光片、光纤适配器（SMA、F和ST型）和其他1 ”可堆叠镜头安装配件。该探测器可使用40 mAh 12 V电池工作，封装尺寸为70.9 X 49.8 X 22.5 mm.

Thorlabs的FD11A是一款硅光电二极管，工作波长范围为320至1100 nm.它的上升时间为400 ns，有效面积为1.21 mm2。光电二极管采用TO-18封装。