• OT-27: 二极管泵浦的Er:玻璃激光发射器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1540nm 平均值功率: 0.015W 重复频率: 0.005 - 0.005 kHz 脉宽: 9ns 冷却: Air, Conductive

    OT-27是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态(DPSS)激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内,OT-27提供超过2 MJ的脉冲能量,半高宽(FWHM)脉冲宽度为10 ns,脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz,在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm,光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-27还具有内置光电二极管作为参考。作为启动信号。

  • OT-29。Er: 二极管泵浦的玻璃激光发射器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1540nm 平均值功率: 0.002W 重复频率: 0.001 - 0.001 kHz 脉宽: 9ns 冷却: Air, Conductive

    OT-29是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态(DPSS)激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内,OT-29提供超过1.2 MJ的脉冲能量,半峰全宽(FWHM)脉冲宽度为10 ns,脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz,在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm,光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-29还内置光电二极管用作参考。作为启动信号。

  • OT-37: 二极管泵浦的Er:玻璃激光发射器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1540nm 平均值功率: 0.030W 重复频率: 0.01 - 0.01 kHz 脉宽: 9ns 冷却: Air, Conductive

    OT-37是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态(DPSS)激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内,OT-37提供超过2 MJ的脉冲能量,半高宽(FWHM)脉冲宽度为10 ns,脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz,在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm,光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-37还具有内置光电二极管作为参考。作为启动信号。

  • OT-39: Er: 玻璃激光发射器与二极管泵浦 激光器模块和系统
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    波长: 1540nm 平均值功率: 0.004W 重复频率: 0.001 - 0.001 kHz 脉宽: 9ns 冷却: Air, Conductive

    OT-39是Optitask公司的高能量Q开关1.54mm二极管泵浦固态(DPSS)激光器。这种空气冷却的被动Q开关激光器是专门为高能量激光传输而设计的。在-40oC至75oC的工作温度范围内,OT-39提供超过3 MJ的脉冲能量,半高宽(FWHM)脉冲宽度为10 ns,脉冲重复频率在连续工作模式下为1 Hz,在突发模式下为5 Hz。输出光束直径<0.8 mm,光束发散度小于5毫弧度。这些激光器非常适合长距离传输。OT-39还具有内置光电二极管作为参考。作为启动信号。

  • PGEW1S03H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • PGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • 针孔镜 光圈
    美国
    分类:光圈
    厂商:Lenox Laser
    针孔直径: 100um 安装: Unmounted 部件直径: 25.4mm

    实心铝基板中的针孔镜具有独特的光处理特性。这些反射镜的平面度为1-2波,是激光、干涉测量、高功率望远镜、成像和其他应用的理想选择,在这些应用中,通孔可能是有用的或需要用于选择性的光传输和反射。这些反射镜可用于高功率应用,在这些应用中,薄涂层玻璃基板通常会劣化。其他应用包括信号处理、距离测量、激光滤波、天文学等。针孔镜的标准配置是在120°螺栓圆的反面(非抛光)上有3个2-56-TPI螺纹孔。您的针孔镜将标配安装34/40螺丝,以帮助处理/安装组件。

  • Q1025-TxxL-H AO Q-SWITCH 电光调制器(EOM)
    美国
    厂商:Isomet Corp
    孔径: 1.0mm 峰值光功率密度: 250MW/cm^2 波长范围: 1 - 1 nm 变速箱: 85% 消光比: < 10:1

    Q开关是用于产生非常高的峰值功率、短持续时间的激光脉冲的腔内器件。这些典型地是在零级光束上操作的损耗调制器。Q开关的目标是从零级衍射尽可能多的功率,以增加腔损耗并消除激光输出。当对Q开关的RF驱动瞬间关闭时,在激光器中建立的光功率作为短脉冲发射。该过程可以以超过100kHz的速率重复。根据频率和相互作用长度,AO Q开关要么像AOM一样工作在主要具有单个衍射光束的Bragg区域,要么工作在具有多个衍射光束的Raman-Nath区域。

  • Q1058C-SFxxL-H AO Q-SWITCH 电光调制器(EOM)
    美国
    厂商:Isomet Corp
    孔径: 1.0-1.5mm 峰值光功率密度: 300MW/cm^2 波长范围: 1 - 1 nm 变速箱: 85% 消光比: < 10:1

    Q开关是用于产生非常高的峰值功率、短持续时间的激光脉冲的腔内器件。这些典型地是在零级光束上操作的损耗调制器。Q开关的目标是从零级衍射尽可能多的功率,以增加腔损耗并消除激光输出。当对Q开关的RF驱动瞬间关闭时,在激光器中建立的光功率作为短脉冲发射。该过程可以以超过100kHz的速率重复。根据频率和相互作用长度,AO Q开关要么像AOM一样工作在主要具有单个衍射光束的Bragg区域,要么工作在具有多个衍射光束的Raman-Nath区域。

  • q1072-sf24l ao q-switch 电光调制器(EOM)
    美国
    厂商:Isomet Corp
    孔径: 1.5mm 峰值光功率密度: 300MW/cm^2 波长范围: 1 - 1 nm 变速箱: 80% 消光比: < 10:1

    Q开关是用于产生非常高的峰值功率、短持续时间的激光脉冲的腔内器件。这些典型地是在零级光束上操作的损耗调制器。Q开关的目标是从零级衍射尽可能多的功率,以增加腔损耗并消除激光输出。当对Q开关的RF驱动瞬间关闭时,在激光器中建立的光功率作为短脉冲发射。该过程可以以超过100kHz的速率重复。根据频率和相互作用长度,AO Q开关要么像AOM一样工作在主要具有单个衍射光束的Bragg区域,要么工作在具有多个衍射光束的Raman-Nath区域。

  • Qioptiq 100mW iFLEX-iRIS - 637nm 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.637um 输出功率: 100mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • Qioptiq 200mW iFLEX-iRIS - 405nm 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.405um 输出功率: 200mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • Qioptiq458nm iFLEX-iRIS 20mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.458um 输出功率: 20mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • Qioptiq 50mW iFLEX-iRIS - 405nm 激光器模块和系统
    波长: 405nm 最大输出功率: 50mW 运行模式: CW, Modulated

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。该功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 405nm 130mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.405um 输出功率: 130mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 405nm 50mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.405um 输出功率: 50mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 458nm 45mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.458um 输出功率: 45mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • Qioptiq iFLEX-iRIS - 488nm 100mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.488um 输出功率: 100mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 488nm 20mW 激光器模块和系统
    波长: 488nm 最大输出功率: 20mW 运行模式: CW, Modulated

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

  • QIOPTIQ iFLEX-iRIS - 488nm 90mW 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.488um 输出功率: 90mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。