•  OSD-E Series 光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    温度: 22±2˚C 噪声等效功率: 1.5 x 10-14 WHz-1/2 有效区域: 1.0 x 1.0 mm 响应度: 1 nA Lux-1 暗电流: 0.2 nA

    OSD-E系列光电二极管是蓝光增强探测器,配有高质量的色彩校正滤光片。其光谱响应接近人眼的响应。适用于光度测量、医疗仪器和分析化学。

  • 高速硅光电二极管系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光谱范围: 350nm-1100nm 峰值响应度: 0.50A/W@800nm 响应时间: 几百皮秒@-5V 反向偏压: 最大指定反向电压 输出信号测量: 示波器或高频放大器

    OSI Optoelectronics' High Speed Silicon 系列是小面积设备,优化用于快速响应时间或高带宽应用。BPX-65 补充了其他高速组,具有行业标准。这些设备的光谱范围从 350 nm 到 1100 nm,响应度和响应时间经过优化,HR 系列在 800 nm 时表现出 0.50 A/W 的峰值响应度,在 -5V 时典型响应时间为几百皮秒。具有低暗电流和低电容,适用于视频系统、计算机和工业控制等应用。

  • 与闪烁体兼容的光电二极管阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    暗电流: 540pA 终端电容: 930pF 温度范围: -10mV 响应度: 0.31A/W 上升时间: 0.59μs

    Multi-Channel X-Ray Detector Series系列由16个元素阵列组成:单个元素被组合在一起并安装在PCB上。对于x射线或伽马射线的应用,这些多通道探测器提供了闪烁体安装选项: BGO、CdWO4或碘化铯(TI)。BGO(德国铋)作为一种理想的能量吸收器:它在高能检测应用中被广泛接受。cdwo4(钨酸镉)表现出足够高的光输出,有助于提高光谱分析结果。碘化铯(碘化铯)是另一种高能量吸收器,提供足够的抵抗机械冲击和热应力。当与闪烁体耦合时,这些硅阵列通过散射效应将任何中等或高辐射能量映射到可见光谱上。此外,他们的特别设计的PCB允许端到端连接。可以在需要更大规模的组装的情况下部署多个阵列。

  • Photoconductive Series 平面漫射硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动区域: 0.20-13 mm² 峰值波长: 632-970 nm 上升时间: 10-250 ns 温度范围: -10-+100°C 反向电压: 0-30 V

    Planar Diffused Silicon Photodiodes适用于高速和高灵敏度应用的光电导探测器系列。光谱范围从350到1100纳米,使这些光电二极管理想用于可见光和近红外应用,包括检测脉冲激光源、LED或割接光等交流应用。

  • Photop™系列光电二极管放大器混合器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: φ 85 - φ 4500 mm² 暗电流: 2.54 - 11.3 nA 温度范围: 0 - 70°C 响应度: 0.25 - 9.2 A/W 电容: 3 - 300 pF

    Photop™系列将光电二极管与运算放大器结合在同一封装中。这些通用探测器具有从350纳米到1100纳米或200纳米到1100纳米的光谱范围,集成封装确保在各种操作条件下低噪声输出。Photop™系列光电二极管放大器混合器,特点包括可调增益/带宽、低噪声、宽带宽,适用于激光功率监控、医学分析等多种应用。

  • Detector-Filter Combination Series 光电二极管和滤波器组合 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 1 cm2 (PIN-10DF/PIN-10AP), 6 mm2 (PIN-005D-254F) 封装类型: BNC (PIN-10DF/PIN-10AP), TO-5 (PIN-005E-550F/PIN-005D-254F) 光谱响应: 450-950 nm (PIN-10DF), CIE曲线 (PIN-10AP/PIN-555AP), 550 nm (PIN-005E-550F), 254 nm (PIN-005D-254F) 温度范围: 0°C to +70°C 存储温度: -25°C to +85°C

    Detector-Filter Combination Series系列产品结合了滤波器和光电二极管,以实现定制的光谱响应。OSI Optoelectronics提供多种标准和定制组合。根据要求,所有探测器-滤波器组合都可以提供NIST可追溯的校准数据,以安培/瓦特、安培/流明、安培/勒克斯或安培/英尺烛光等形式指定。

  • XUV Series 硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: 5V 工作温度: -20到+60ºC 储存温度: -20到+80ºC 有效区域: 5到100mm2 活动区域尺寸: 具体型号数据参考

    XUV Series独特的硅光电二极管系列,设计用于X射线区域的额外灵敏度,无需闪烁晶体或屏幕。它们在从0.07nm到200nm(6eV到17.6KeV)的宽光谱范围内敏感,每3.63eV的入射能量可产生一个电子-空穴对,对应极高的稳定量子效率。适用于电子检测、医疗仪器等应用。

  • FCI-InGaAs-36C 光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    感光区直径: 36µm 芯片尺寸: 450 x 250µm x µm 响应度(1310nm): 0.8 - 0.85A/W 响应度(1550nm): 0.75 - 0.8A/W 电容: VR=5V --- 0.16 - 0.2pF

    OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-36C是一款OC-192 (SONET/SDH)兼容的光电探测器,适用于高速光通信和光网络。具有低暗电流和良好的性能稳定性。该器件的阳极和阴极接触点都出现在芯片的顶面,非常适合在10Gbps的高速光数据传输应用中使用,能够响应从910nm到1650nm的光谱范围。

  • FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: 最高 +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管,具有75µm、120µm、300µm、400µm和500µm的活动区尺寸,展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度,使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装,或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率,适用于高速光通信,具有高响应度和宽光谱范围,是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。

  • FCI-InGaAs-XXX-WCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40 to +85 °C 工作温度: 0 to +70 °C 焊接温度: --- to +260 °C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

    FCI-InGaAs-XXX-WCER高速InGaAs光电二极管,安装在环绕式陶瓷基板上。这些紧凑的组件设计用于便于集成。芯片可以用环氧树脂或共晶安装在陶瓷基板上。适用于高速光通信和激光二极管监控,具有900nm到1700nm的宽光谱响应范围。

  • FCI-InGaAs-XXX-CCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40-+85°C 工作温度: 0-+70°C 焊接温度: ----+260°C 活动区域直径: 75-500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80-0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管安装在带玻璃窗的空腔陶瓷封装上。这些设备具有玻璃窗,可以直接将光纤环氧树脂安装上去。芯片可以环氧树脂或者熔融焊接安装在陶瓷基板上。这些设备可以提供定制的抗反射涂层窗口。FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管适用于高速光通信和激光二极管监控,具有高响应度和900nm至1700nm的宽光谱范围。

  • 1064CHP 500 mW 1060 nm冷却种子/泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 60-80 mA 标称工作功率: 500-525 mW 峰值波长: 1050-1070 nm 正向电压: 1.6-2.0 V 操作峰值功率: 0.9-1.2 W

    1064CHP 1060 nm高功率单模激光模块是为需要在1050-1070 nm波长范围内工作的脉冲和连续波(CW)光纤激光应用而设计的种子源,也可以用作泵浦模块。适用于光纤激光器、传感器和拉曼光谱等应用。

  • 1064CHP 1030 nm高功率单模激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 60-80 mA 标称工作功率: 150-170 mW 峰值波长: 1025-1045 nm 正向电压: 1.6-2.0 V 操作峰值功率: 0.9-1.0 W

    1064CHP 150 mW 1030 nm高功率单模激光模块是为需要在1025-1045 nm范围内工作波长的脉冲和CW光纤激光应用而设计的种子源,也可以用作泵浦模块。适用于光纤激光器、传感器和拉曼光谱等应用,具备高工作功率和宽温度范围。

  • Laser Controller C150 温度和激光驱动的设备 半导体激光器驱动器
    电源选项1: +12 V/2 A -12 V/0.5 A 电源选项2: +12V/0.5 A -12V/0.5A +5V /1.5A 激光电流控制: 0 - 250 mA 恒流输出电压: > 4.0 V 设置精度: 2 % fs

    C150结合了集成的温度驱动器和激光驱动器于一体。温度控制完全线性;激光TEC可以使用单独的电源。TEC控制可以通过内置的PI环路或外部信号。激光驱动具有250 kHz的模拟带宽;通过SMB连接器提供单独的快速TTL兼容开关。激光电流具有250 mA的硬件限制,除非定制,否则不能超过。适用于光谱学、激光和精密仪器等应用,具有高精度和线性温度控制功能。

  • 高性能通用光谱仪器平台 半导体激光器驱动器
    CPU型号: Com Express Type 10 后背板: 具有同步2MS/s 16位DAC和ADC,24位ADC,1kS/s。集成数字PID的压力控制器。 电源管理: 完整的电源管理,集成电池充电器。10-30V直流输入电压。 激光控制器插件卡: 多种激光控制器插件卡,以适应各种引脚类型:C155 NEL(C156 EagleYard)。 操作系统: Linux OS,配有完整的库和广泛的示例。

    Universal platform for spectroscopic instruments是一款适用于大气监测、工业过程控制等领域的高性能光谱分析平台。通用光谱仪器平台,可满足电源、数据处理、信号采集和控制、数据存储和外部通信的所有电子需求。

  •  D320-B400K-G10M-DC-FS 低噪声光电接收器 光电探测器
    英国
    分类:光电探测器
    厂商:RedWave Labs Ltd
    光谱响应: 300-1100nm 外形尺寸: 57.2 x 48.8 x 19.3mm (Without C-Mount adaptor) 重量: 200g 存储温度: -20 to 85C 工作温度: 0 to 70C

    RedWave Labs Ltd的Low Noise Visible Photoreceiver D320-B400K-G10M-DC-FS,是一款用于光子学、光谱学和OEM应用的低噪声光电接收器。基于我们的低噪声电流放大器设计,适用于多种仪器。光谱范围覆盖300-1100nm,具有单一增益设置,直流耦合和400kHz的带宽。设备上有多个安装孔,适用于不同的安装方向。可以作为独立仪器使用,也可以作为OEM单元。

  • AD200 高效单光子探测器 光电探测器
    英国
    分类:光电探测器
    厂商:RedWave Labs Ltd
    量子效率: 70% 量子效率: 55% 功率: 单一+12V 波长: 400-1100nm 光电二极管击穿电压: 125V@25C

    Redwave Labs的AD200是一款紧凑型且价格实惠的单光子探测器模块,内置计数器。它基于在可见光谱范围内敏感的可靠硅雪崩光电二极管。AD200在近可见区域(约650nm)有很高的探测效率,并具备主动淬灭和全数字温度控制功能。标配有独立电源 ,可用于激光扫描显微镜、粒子物理和分光光度计等。

  • QubeCL系统 高性能激光器驱动环境 半导体激光器驱动器
    意大利
    厂商:ppqSense S.r.l.
    工作温度: -20到+40°C 储存温度: -20到+70°C 主电源电压: 26V TEC电源电压: 26V 监控电源电压: 5.5V

    QubeCL系统是专为最先进的量子级联激光器(QCL)源设计的高性能激光器驱动环境,也可以驱动任何种类的半导体激光器。该系统的扩展模块允许您定制系统,获得一个10x10 cm2足迹的高性能仪器。该系统旨在最小化外部接线,并将易受干扰的连接封闭在其框架内,从而减少噪声耦合并最大化性能。适用于精密气体光谱学等应用。

  • FLAME 紧凑型频率稳定激光模块 激光器模块和系统
    西班牙
    厂商:ALTER
    波长: 780.24nm 线宽: <500kHz 输出功率: >150mW 光束直径: <0.5mm FWHM 光束发散角: <1mrad FWHM

    FLAME Frequency-Stabilised Laser Modules是一款集成蒸汽室的紧凑型频率稳定激光模块,允许锁定到原子参考的光谱特性。这款产品针对的是780nm左右的铷原子跃迁,这对于量子技术中的应用至关重要,特别适用于激光冷却、原子钟和惯性导航单元。

  • CW-MHF™ 中红外激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:Leonardo DRS
    波长可用性: < 4 to > 11 µm MHF调谐范围: ≥ 30 - 100 cm-1 连续波功率: > 70 mW typical 线宽(FWHM): < 5 MHz (100 ms) and < 10 MHz (1s) 波长精度: ± 0.5 cm-1 (± 15 GHz), unidirectional

    CW-MHF™中红外激光器为高分辨率光谱学提供超过30 cm-1的模式跳跃调谐能力和高稳定性激光腔设计。CW-MHF™ 中红外激光器是高分辨率中红外光谱学的终极工具。如果您需要高光谱分辨率,连续相位调谐以避免跳过光谱线,或者两者兼备,DRS Daylight CW-Mode-Hop-Free(MHF)激光器将满足您的需求。